技术摘要：
本申请公开一种晶体管结构、GOA电路以及显示面板，所述晶体管结构包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极层、钝化层；其中，所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影  全部
背景技术：
随着显示技术的发展，目前显示屏的像素值越来越高，且显示屏的边框越来越窄， 其中，在显示屏中，晶体管的尺寸较大会造成遮光区域面积变大，进而相应透光区域面积变 少，从而影响到像素单元的开口率。而当采用阵列基板栅极驱动技术(Gate  Driveron  Array，简称GOA)时，晶体管的尺寸也会影响到显示屏的边框大小，如果晶体管的尺寸较大， 边框会随之变宽。因此，晶体管的大小会限制像素单元的开口率以及将栅极驱动电路集成 制作在阵列基板上时边框的大小。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种晶体管结构、GOA电路及显示面板，能够有效减小晶体管结 构的尺寸。 本申请提供了一种晶体管结构，包括：基板，以及依次设置在所述基板上的源漏极 层和钝化层；其中， 所述源漏极层包括源极以及漏极，所述源极围绕所述漏极设置，且所述源极呈环 形状；所述钝化层具有一过孔，所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述过孔对应位于所述漏极的中间区域。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构还包括一栅极层，所述栅极层 设置在所述基板上，所述栅极层包括一栅极；所述栅极呈环形状。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述栅极在所述基板上的投影环绕所述漏极在 所述基板上的投影设置。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构为顶栅结构或者底栅结构。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述晶体管结构还包括一有源层，所述有源层 设置在所述基板与所述源漏极层之间，所述有源层包括一沟道；所述源极、所述漏极均与所 述沟道直接接触，以使得所述源极、所述漏极均与所述沟道电性连接。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述沟道呈环形状，且所述沟道对应围绕所述 过孔设置。 在本申请所提供的晶体管结构中，所述源极在所述基板上的投影、所述漏极在所 述基板上的投影均与所述沟道在所述基板上的投影至少部分重合。 相应的，本申请还提供一种GOA电路，其包括以上任意一项所述的晶体管结构。 相应的，本申请还提供一种显示面板，其包括以上任意一项所述的晶体管结构。 本申请提供一种晶体管结构、GOA电路以及显示面板，所述晶体管结构包括：基板， 以及依次设置在所述基板上的源漏极层、钝化层；所述钝化层具有一过孔；其中，通过将源 极设置成环绕漏极的环形状，漏极在钝化层上的投影覆盖过孔，从而可将过孔直接对应被 3 CN 111584640 A 说　明　书 2/5 页 源极环绕的漏极设置，从而减小了晶体管结构的尺寸。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于 本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附 图。 图1是本申请实施例提供的晶体管结构的第一平面示意图； 图2是本申请实施例提供的晶体管结构的第一结构示意图； 图3是本申请实施例提供的晶体管结构的第二结构示意图； 图4是本申请实施例提供的晶体管结构的第三结构示意图； 图5是本申请实施例提供的晶体管结构的第四结构示意图； 图6是本申请实施例提供的晶体管结构的第五结构示意图； 图7是本申请实施例提供的晶体管结构的第六结构示意图； 图8是本申请实施例提供的晶体管结构的第二平面示意图； 图9是本申请实施例提供的晶体管结构的第七结构示意图。