技术摘要：
本发明涉及鳍式场效应晶体管的鳍体结构，涉及半导体集成电路制造技术，该鳍体包括位于半导体衬底上的鳍体的第二部分和位于鳍体的第二部分上的鳍体的第一部分，鳍体的第二部分的靠近半导体衬底侧的宽度大于远离半导体衬底侧的宽度，鳍体的第一部分的靠近鳍体的第二部分  全部
背景技术：
随着半导体技术的不断发展，传统的平面性器件已经不能满足人们对高性能器件 的需求。FinFET(Fin  Field-Effect  Transistor，鳍式场效应晶体管)是一种立体型器件， 包括在衬底上竖直形成的鳍以及与鳍相交的堆叠栅。这种设计可以大幅改善电路控制并减 少漏电流，而得到广泛应用。然，目前的鳍式场效应晶体管仍不能满足需求，如闸极控制能 力较差，晶体管处于关断状态下时的漏电流比较大，而不能满足半导体公司的需求。
技术实现要素：
本发明提供的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，包括：S1：提供半导体衬底，在 所述半导体衬底表面依次形成第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层，对第二氧化层进行光 刻刻蚀定义出鳍式场效应晶体管的鳍体的形成区域，所述鳍式场效应晶体管的鳍体的形成 区域由多个第二氧化层条形排列而成；S2：对所述硬掩膜层进行刻蚀,并继续对半导体衬底 进行刻蚀,对半导体衬底的刻蚀深度在2nm至8nm之间，并去除多个第二氧化层条形；S3：形 成一层第三氧化层，所述第三氧化层覆盖裸露的半导体衬底的上表面和侧面、硬掩膜层的 顶部以及第一氧化层和硬掩膜层形成的条形结构的侧面；S4：进行回蚀工艺，去除覆盖裸露 的半导体衬底的上表面和硬掩膜层的顶部的所述第三氧化层；S5：对半导体衬底进行回蚀 工艺，形成鳍体的第一部分，鳍体的第一部分的靠近第一氧化层侧的宽度大于鳍体的第一 部分的远离第一氧化层侧的宽度，且鳍体的第一部分的高度在30nm至50nm之间；S6：去除剩 余的所述第三氧化层；以及S7：对半导体衬底进行刻蚀工艺，形成鳍体的第二部分，鳍体的 第二部分的靠近鳍体的第一部分侧的宽度小于鳍体的第二部分的远离鳍体的第一部分侧 的宽度，使鳍体的第一部分和鳍体的第二部分共同构成鳍式场效应晶体管的鳍体。 更进一步的，所述第一氧化层与所述第三氧化层的材质相同。 更进一步的，以干刻腔在腔内、原子层沉积或现场水汽生成形成所述第三氧化层。 更进一步的，步骤S4中的回蚀工艺为干刻工艺。 更进一步的，步骤S5中的回蚀工艺为干刻工艺或碱性溶剂的湿法工艺。 更进一步的，步骤S7中的所述对半导体衬底的刻蚀工艺为干刻工艺。 本发明还提供一种鳍式场效应晶体管，包括根据上述的鳍式场效应晶体管的鳍体 制造方法制造的鳍体。 本发明还提供一种鳍式场效应晶体管的鳍体结构，包括：位于半导体衬底上的鳍 体的第二部分和位于鳍体的第二部分上的鳍体的第一部分，鳍体的第二部分的靠近半导体 衬底侧的宽度大于远离半导体衬底侧的宽度，鳍体的第一部分的靠近鳍体的第二部分侧的 宽度小于远离鳍体的第二部分的宽度。 3 CN 111599684 A 说　明　书 2/4 页 更进一步的，鳍体的第一部分和鳍体的第二部分通过对半导体衬底的刻蚀形成。 更进一步的，鳍体的第一部分的高度在30nm至50nm之间。 附图说明 图1至图8为本发明一实施例的鳍式场效应晶体管鳍体制造过程中的器件结构示 意图。 图9为现有技术的鳍式场效应晶体管的鳍体示意图。 图10为当鳍式场效应晶体管处于关断状态(off-state)时，对于相同顶部宽度和 相同高度的不同形状的鳍体的鳍状场效晶体管的漏电流示意图。 图中主要组件附图标记说明如下： 100、半导体衬底；105a、鳍体的第一部分；105b、鳍体的第二部分；105、鳍体；101、 第一氧化层；102、硬掩膜层。