技术摘要：
本申请涉及用于存储器单元的自参考感测。本申请描述用于存储器单元的自参考感测的方法、系统和设备。可使用特定于单元的参考值感测所述单元，所述单元具有两个晶体管，或其它开关组件，以及一个电容器，例如铁电电容器。能够经由一个存取线读取所述单元并对所述单元进  全部
背景技术：
存储器装置广泛用以将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器 等各种电子装置中。通过程序设计存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装 置具有两个状态，通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储大于两个的状态。 为存取所存储的信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电 子装置可写入或编程存储器装置中的状态。 存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态 RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、闪 存存储器等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如闪存存储器)即使 在不存在外部电源的情况下仍可将数据存储很长一段时间。易失性存储器装置(例如， DRAM)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间丢失其存储的状态。二进制存储器装置可 例如包含经充电或放电电容器。然而，经充电电容器可随时间由于泄漏电流而放电，造成所 存储的信息丢失。易失性存储器的某些特征可提供性能优点，例如较快速读取或写入速度， 而非易失性存储器的特征例如存储数据而无需定期刷新的能力可为有利的。 FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存 储装置而可具有非易失性性质。因此，与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装 置可具有改进的性能。然而，一些FeRAM感测方案不考虑存储器单元内的变化。这可减小存 储器单元的感测操作的可靠性。
技术实现要素：
在一个方面中，本发明提供一种方法，其包括：在存取操作的第一部分期间，将第 一读取电压施加到铁电存储器单元的第一存取线；在所述存取操作的第二部分期间，将第 二读取电压施加到所述铁电存储器单元的第二存取线；在所述存取操作的第三部分期间， 5 CN 111599394 A 说　明　书 2/17 页 将所述第二存取线的第一电压与所述第一存取线的第二电压进行比较，其中所述第一电压 至少部分地基于所述第一读取电压的所述施加，且所述第二电压至少部分地基于所述第二 读取电压的所述施加；和至少部分地基于将所述第二存取线的所述第一电压与所述第一存 取线的所述第二电压进行比较，确定与所述铁电存储器单元相关联的逻辑值。 在另一方面中，本发明提供一种用于存取操作的方法，其包括：启动耦合于第一读 取电压源与第一存取线之间的第一开关组件；在启动所述第一开关组件之后，感测表示第 二存取线处与铁电存储器单元相关联的第一状态的值；在感测表示所述第一状态的所述值 之后，启动耦合于第二读取电压源与所述第二存取线之间的第二开关组件；至少部分地基 于启动所述第二开关组件，产生参考值；和确定存储于所述铁电存储器单元处的逻辑值，其 中所述逻辑值至少部分地基于将表示所述铁电存储器单元的所述第一状态的所述值与所 述参考值进行比较。 在另一方面中，本发明提供一种电子存储器设备，其包括：存储器单元，其包括第 一晶体管、第二晶体管和铁电电容器，其中所述存储器单元经由所述第一晶体管与第一存 取线电子通信且经由所述第二晶体管与第二存取线电子通信；锁存器，其经由第一开关组 件与所述第一存取线电子通信，且经由第二开关组件与所述第二存取线电子通信；第一电 压源，其经由第三开关组件与所述第一存取线和所述锁存器电子通信；和第二电压源，其经 由第四开关组件与所述第二存取线和所述锁存器电子通信。 在另一方面中，本发明提供一种电子存储器设备，其包括：铁电存储器单元，其包 括第一晶体管、第二晶体管和铁电电容器，其中所述铁电存储器单元经由所述第一晶体管 与第一存取线电子通信且经由所述第二晶体管与第二存取线电子通信；和控制器，其与所 述铁电存储器单元电子通信，其中所述控制器可操作以：在存取操作的第一部分期间，将第 一读取电压施加到所述第一存取线；在所述存取操作的第二部分期间，将第二读取电压施 加到所述第二存取线；和在所述存取操作的第三部分期间，将所述第二存取线的第一电压 与所述第一存取线的第二电压进行比较，其中所述第一电压至少部分地基于所述第一读取 电压，且所述第二电压至少部分地基于所述第二读取电压；和至少部分地基于将所述第一 存取线的所述第一电压与所述第二存取线的所述第二电压进行比较，确定与所述铁电存储 器单元相关联的逻辑值。 在另一方面中，本发明提供一种电子存储器设备，其包括：用于在存取操作的第一 部分期间，将第一读取电压施加到第一存取线的构件；用于在所述存取操作的第二部分期 间，将第二读取电压施加到第二存取线的构件；和用于在所述存取操作的第三部分期间，将 所述第二存取线的第一电压与所述第一存取线的第二电压进行比较的构件，其中所述第一 电压至少部分地基于所述第一读取电压，且所述第二电压至少部分地基于所述第二读取电 压；和用于至少部分地基于将所述第一存取线的所述第一电压与所述第二存取线的所述第 二电压进行比较，确定与铁电存储器单元相关联的逻辑值的构件。 附图说明 本文中的公开内容提及且包含以下各图： 图1说明根据本公开的实例支持自参考感测方案的实例存储器阵列； 图2说明根据本公开的实例的支持自参考感测方案的实例电路； 6 CN 111599394 A 说　明　书 3/17 页 图3说明根据本公开的实例的支持自参考感测方案的单元的实例磁滞曲线； 图4说明根据本公开的实例的支持自参考感测方案的实例电路； 图5说明根据本公开的实例的支持自参考感测放大器的实例铁电存储器阵列； 图6说明根据本公开的实例的支持自参考感测放大器的包含存储器阵列的装置； 和 图7-8是说明根据本公开的实例用于自参考感测方案的一种或多种方法的流程 图。