技术摘要：
一种铜网原位生长三维硫化铜的光催化材料、制备方法及应用，所述材料是以一定的电流恒定输出，以石墨为阴极、铜网为阳极、溶液A为电解液阳极氧化，去离子水反复冲洗阳极氧化后的铜网并氮气吹干，得到产物A；将产物A置于氩气中退火得到产物B；直接将产物B作为光催化薄膜 全部
背景技术：
能源及环境为当今社会面临的两大问题，随着能源的日益短缺及环境的不断恶 化，全球陷入能源短缺和环境恶化的窘境，新能源的开发以及环境的治理迫在眉睫，因而对 环境友好能源的开发以及污染物的治理是十分重要的课题。氢气做为一种清洁，可持续新 型能源成为化石燃料热门替代品候选之一。光催化技术利用清洁太阳能可降解污染物并在 裂解水的同时产出清洁能源氢气。如何提高光催化性能是解决当前环境污染与能源短缺问 题的有效途径。 近年来，硫化铜在锂离子电池，传感器，超级电容器，光催化产氢等领域备受青睐， 这主要归因于其优良的物理化学稳定性，除此之外，硫化铜具有窄的带隙宽度具有较宽的 光响应范围，相较于常见的氧化物光催化剂，硫化铜对于太阳光的利用率更高，不仅如此其 电导率也要比相应的氧化物高出几个数量级，在电化学反应过程中表现出较高的电子传输 速度；故硫化铜是一个较为理想的光催化剂之一。
技术实现要素：
为了提高简化光催化剂的重复利用率，本发明目的在于提供种铜网原位生长三维 硫化铜的光催化材料的制备方法。 为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是： 一种铜网原位生长三维硫化铜的光催化材料制备方法，包括以下步骤： 步骤一：将铜网裁剪成一定大小依次放入无水乙醇，丙酮，去离子水中超声处理，并在 一定浓度稀盐酸中浸泡。得到抛光铜网若干； 步骤二：将一定摩尔量的Na2S▪9H2O溶解于200 ml去离子水得到溶液A； 步骤三：调整三恒电泳仪，以一定的电流恒定输出，以石墨为阴极，铜网为阳极，溶液A 为电解液，阳极氧化一定时间，去离子水反复冲洗阳极氧化后的铜网并氮气吹干，得到铜网 附着着黑色活性物质的产物A； 步骤四：将产物A置于氩气中在一定温度下退火一定时间后得到附着硫化铜纳米片的 产物B。 所述步骤二中溶剂A浓度范围为0.5～1.5 M。 所述步骤三中阳极氧化电流范围为5～25 mA，氧化时间范围为5～30 min。 步骤四中退火温度为120℃～200℃，反应2～4 h。 本发明制备所得硫化铜薄膜用于光催化降解含双氧水有机物。 本发明提供的铜片原位生长硫化铜薄膜处于钠米尺度，铜片上生长的硫化铜纳米 3 CN 111589457 A 说 明 书 2/3 页 片，垂直均匀生长与铜网底上；铜网原位生长硫化铜材料处于微米尺度，铜网上生长的硫化 铜为片状结构，表面光滑，片与片之间相互交连且垂直均匀生长于铜网线上。 本发明制备设备要求低，受外界影响小，方法简单，成本低，可控性高，适用于大规 模工业化生产。 附图说明 图1（a）阳极氧化装置简单示意图，（b）实施例1产物B光学照片图（c和d）铜网氧化 前后扫描电镜图。 图2实施例1中硫化铜降解亚甲蓝降解液的紫外-可见吸收光谱。
一种铜网原位生长三维硫化铜的光催化材料、制备方法及应用，所述材料是以一定的电流恒定输出，以石墨为阴极、铜网为阳极、溶液A为电解液阳极氧化，去离子水反复冲洗阳极氧化后的铜网并氮气吹干，得到产物A；将产物A置于氩气中退火得到产物B；直接将产物B作为光催化薄膜 全部
背景技术：
能源及环境为当今社会面临的两大问题，随着能源的日益短缺及环境的不断恶 化，全球陷入能源短缺和环境恶化的窘境，新能源的开发以及环境的治理迫在眉睫，因而对 环境友好能源的开发以及污染物的治理是十分重要的课题。氢气做为一种清洁，可持续新 型能源成为化石燃料热门替代品候选之一。光催化技术利用清洁太阳能可降解污染物并在 裂解水的同时产出清洁能源氢气。如何提高光催化性能是解决当前环境污染与能源短缺问 题的有效途径。 近年来，硫化铜在锂离子电池，传感器，超级电容器，光催化产氢等领域备受青睐， 这主要归因于其优良的物理化学稳定性，除此之外，硫化铜具有窄的带隙宽度具有较宽的 光响应范围，相较于常见的氧化物光催化剂，硫化铜对于太阳光的利用率更高，不仅如此其 电导率也要比相应的氧化物高出几个数量级，在电化学反应过程中表现出较高的电子传输 速度；故硫化铜是一个较为理想的光催化剂之一。
技术实现要素：
为了提高简化光催化剂的重复利用率，本发明目的在于提供种铜网原位生长三维 硫化铜的光催化材料的制备方法。 为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是： 一种铜网原位生长三维硫化铜的光催化材料制备方法，包括以下步骤： 步骤一：将铜网裁剪成一定大小依次放入无水乙醇，丙酮，去离子水中超声处理，并在 一定浓度稀盐酸中浸泡。得到抛光铜网若干； 步骤二：将一定摩尔量的Na2S▪9H2O溶解于200 ml去离子水得到溶液A； 步骤三：调整三恒电泳仪，以一定的电流恒定输出，以石墨为阴极，铜网为阳极，溶液A 为电解液，阳极氧化一定时间，去离子水反复冲洗阳极氧化后的铜网并氮气吹干，得到铜网 附着着黑色活性物质的产物A； 步骤四：将产物A置于氩气中在一定温度下退火一定时间后得到附着硫化铜纳米片的 产物B。 所述步骤二中溶剂A浓度范围为0.5～1.5 M。 所述步骤三中阳极氧化电流范围为5～25 mA，氧化时间范围为5～30 min。 步骤四中退火温度为120℃～200℃，反应2～4 h。 本发明制备所得硫化铜薄膜用于光催化降解含双氧水有机物。 本发明提供的铜片原位生长硫化铜薄膜处于钠米尺度，铜片上生长的硫化铜纳米 3 CN 111589457 A 说 明 书 2/3 页 片，垂直均匀生长与铜网底上；铜网原位生长硫化铜材料处于微米尺度，铜网上生长的硫化 铜为片状结构，表面光滑，片与片之间相互交连且垂直均匀生长于铜网线上。 本发明制备设备要求低，受外界影响小，方法简单，成本低，可控性高，适用于大规 模工业化生产。 附图说明 图1（a）阳极氧化装置简单示意图，（b）实施例1产物B光学照片图（c和d）铜网氧化 前后扫描电镜图。 图2实施例1中硫化铜降解亚甲蓝降解液的紫外-可见吸收光谱。
