技术摘要：
本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物及其制备方法和应用。R‑T‑B系永磁材料的原料组合物，以质量百分比计，其包含下述组分：R，29.5‑32％，所述R为至少包含Nd的稀土元素，并且，Pr的含量为0‑17％；Zr，0.15‑0.50％；Cu，0‑0.08％、但不为0、不为0.08；  全部
背景技术：
Nd-Fe-B永磁材料以Nd2Fel4B化合物为基体，具有磁性能高、热膨胀系数小、易加工 和价格低等优点，自问世以来，以平均每年20-30％的速度增长，成为应用最广泛的永磁材 料。按制备方法，Nd-Fe-B永磁体可分为烧结、粘结和热压三种，其中烧结磁体占总产量的 80％以上，应用最广泛。 现有技术中，在制作耐热、耐蚀型烧结Nd-Fe-B磁体时，Co是用得最多而且最有效 的元素。这是因为添加Co能够降低磁感可逆温度系数温度系数，有效提高居里温度，并且可 以提高Nd-Fe-B磁体抗腐蚀性能。但是，Co的加入容易造成剩磁急剧下降，同时，由于所添加 的Co不仅包含于主相，还包含于晶界相，从而产生使机械强度降低的问题，并且Co的成本较 高。 为了提高磁特性、抑制晶粒长大并改善烧结温度幅度，JP2002075717A在含有Cu的 R-T-B系稀土类永久磁铁中添加Zr，其使含有Co、Al、Cu并含有Zr、Nb或Hf的R-T-B系稀土类 永久磁铁中细微的ZrB化合物、NbB化合物或HfB化合物(以下称M-B化合物)均匀分散的析出 来，其中，M-B化合物的平均粒径在5μm以下，M-B化合物之间的最大间隔在50μm以下。 JPWO2004030000A1同样在R-T-B系稀土类永久磁铁中添加Zr，其通过双合金的方法使R2T14B 主相内存在富集Zr的生成物，并且明确指出，若仅在晶界相内存在富集Zr的生成物，则无法 解决其技术问题。
技术实现要素：
本发明的所要解决的技术问题在于克服现有技术中R-T-B系永磁材料通过添加Co 来提高居里温度和矫顽力、而Co又面临价格昂贵的缺陷的技术问题，而提供了一种R-T-B系 永磁材料、原料组合物及其制备方法和应用。本发明不添加或控制微量Co含量，同时控制 Cu、Zr元素的含量，得到的R-T-B系永磁材料具有方形度佳、高温性能好及机械性能优异的 优势。 本发明提供了一种R-T-B系永磁材料的原料组合物，以质量百分比计，其包含下述 组分： R，29.5-32％，所述R为至少包含Nd的稀土元素，并且，Pr的含量为0-17％； Zr，0.15-0.50％； Cu，0-0.08％、但不为0、不为0.08； Co，0-0.3％； M，0-3％，所述M为Al、Ga、Ti、Nb、Hf、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi和Mn中的一种或多种； B，0.95-1.05％； Fe，64-70％； 7 CN 111613407 A 说　明　书 2/14 页 百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比，各组分含 量之和为100％。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述R可为熔炼工艺和/或扩散工艺中添 加的稀土元素，例如为熔炼工艺中添加的稀土元素。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述R的含量例如为29 .8％、30 .5％、 30.8％、31％、31.5％、31.6％或32％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物 总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述Nd的含量可为本领域常规，优选为 23.1-29.7％，例如23.1％、23.6％、24.3％、25％、25.2％、29％或29.7％，其中百分比为占 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述R中的Nd的添加形式可为本领域常 规，例如以PrNd的形式，或者，以纯净的Nd的形式，或者以纯净的Pr和Nd的混合物的形式，或 者以PrNd、纯净的Pr和Nd的混合物联合添加。当以PrNd的形式添加时，PrNd中Pr与Nd的质量 比优选为25:75、20：80或10：90。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述Pr的含量优选为0-10％，进一步优选 为0-8％，例如0、2.2％、5.5％、6.1％、6.3％、7.4％或7.9％，其中百分比为占所述R-T-B系 永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述R包含Pr时，Pr的添加形式可为本 领域常规，例如以PrNd的形式，或者，以纯净的Pr的形式，或者，以纯净的Pr和Nd的混合物的 形式，或者以PrNd、纯净的Pr和Nd的混合物联合添加。当以PrNd的形式添加时，PrNd中Pr与 Nd的质量比优选为25:75、20：80或10：90。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述R还可包含重稀土元素。所述重稀土 元素可为熔炼工艺和/或扩散工艺中添加的重稀土元素，较佳地，所述重稀土元素为熔炼工 艺中添加的重稀土元素。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述重稀土元素的种类可为本领域常规 的重稀土种类，例如Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述R包含重稀土元素时，所述重稀土 元素的含量可为本领域常规，优选为0-7％(不包含0)，进一步优选为0.1-0.5％，例如0.1、 0.2％、0.3％或0.5％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分 比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述Zr的含量例如为0.15％、0 .2％、 0.3％、0.35％或0.5％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分 比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述Cu的含量优选为0.04％-0.06％，例 如0.04％、0.05％或0.06％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的 百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述Co的含量例如为0、0.1％或0.3％，其 中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述B的含量例如为0.95％、0.98％或 8 CN 111613407 A 说　明　书 3/14 页 1.05％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述M的种类优选为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中 的一种或多种。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，所述M的含量优选为0-2％，例如0、 0.08％、0.1％、0.58％、0.6％、0.7％、0.75％、0.9％或1.2％，其中百分比为占所述R-T-B系 永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述M包含Al时，所述Al的含量优选为 0-1％(不包含0)，例如0.03％、0.5％或0.6％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原 料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述M包含Ga时，所述Ga的含量优选为 0-1％(不包含0)，例如0.05％、0.1％、0.2％或0.4％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材 料的原料组合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述M包含Ti时，所述Ti的含量优选为 0.05-0.3％，例如0.05％、0.1％或0.3％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组 合物总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述M包含Nb时，所述Nb的含量优选为 0-0.2％(不包含0)，例如0.05％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质 量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，当所述M包含Hf时，所述Hf的含量优选为 0-0.2％(不包含0)，例如0.05％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质 量的百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：所述R不包含Tb。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：所述R不包含Dy和Tb以外的重稀土元素。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：所述R不包含Ho。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：除不可避免的杂质以外，所述R不含Nd和Pr以外的 稀土金属。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：所述Co的含量为0。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述：所述Co的含量为0-0.3％(不包含0)，例如0.1％或 0.3％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Al的含量为≥0.55％；百分比是 指占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比。 9 CN 111613407 A 说　明　书 4/14 页 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述R不含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＜ 0.2％；所述Al的含量为0.45％-0.54％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物 总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述R含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＜0.2％； 所述Al的含量为0.45％-0.54％；Al Cu≥0.55％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的原 料组合物总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述Zr的含量≥0.35％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含 量为0.2-0.25％；所述Al的含量为0.45％-0.54％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的 原料组合物总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＞0.25％；所述Al的 含量为0.45％-0.54％；所述Ti的含量为＜0.15％或＞0.28％；百分比是指占所述R-T-B系 永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述R不含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Al的含量<0.04％； 百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述R含Tb；所述Zr的含量≥0.26％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种； 所述Al的含量<0.04％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百 分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中，某些组分的定义可如下所 述，其余组分的定义如上任一方案所述： 所述R包含Tb；所述Ga的含量＜0.05％或＞0.25％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的 一种或多种；所述Al的含量<0.04％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总 质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物，以质量百分比计，其包含下 述组分： R，29.5-32％，所述R为至少包含Nd的稀土元素，并且，Pr的含量为0-17％； Zr，0.15-0.50％； Cu，0-0.08％、但不为0、不为0.08； 10 CN 111613407 A 说　明　书 5/14 页 Co，0-0.3％； M，0-3％，所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种； B，0.95-1.05％； Fe，64-70％； 百分比为占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比，各组分含 量之和为100％。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物可为下述编号1-8中的任意一 种，其中，百分比为各组分占所述R-T-B系永磁材料的原料组合物总质量的质量百分比，各 组分含量之和为100％， “/”是指不含有该元素。 本发明还提供了一种R-T-B系永磁材料的制备方法，将上述R-T-B系永磁材料的原 料组合物经熔炼、制粉、成型、烧结处理和时效处理，即可。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述熔炼的操作和条件可为本领域常规的 熔炼工艺，一般将所述R-T-B系永磁材料的原料组合物采用铸锭工艺和速凝片工艺进行熔 炼浇铸，得到合金片。 本领域技术人员知晓，因熔炼和烧结工艺中通常会损耗稀土元素，为保证终产品 的质量，一般会在熔炼过程中在原料组合物的配方基础中额外添加0～0.3wt％的稀土元素 (一般为Nd元素)，百分比为额外添加的稀土元素的含量占所述原料组合物的总含量的重量 百分比；另外这部分额外添加的稀土元素的含量不计入原料组合物的范畴。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述熔炼的温度可为1300-1600℃。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述熔炼的设备一般为高频真空熔炼炉和/ 或中频真空熔炼炉，所述中频真空熔炼炉例如中频真空感应速凝甩带炉。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述制粉的操作和条件可为本领域常规制 粉工艺，一般包括氢破制粉和/或气流磨制粉。 所述氢破制粉一般包括吸氢、脱氢和冷却处理。所述吸氢的温度一般为20-200℃。 所述脱氢的温度一般为400-650℃。所述吸氢的压力一般为50-600kPa。 所述气流磨制粉磨室压力一般在0.1-2MPa。所述气流磨制粉中的气流例如可为氮 气和/或氩气。所述气流磨制粉的效率可根据设备不同有所差别，例如可为30-400kg/h，优 选200kg/h。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述成型的操作和条件可为本领域常规的 11 CN 111613407 A 说　明　书 6/14 页 成型工艺。例如磁场成型法。所述的磁场成型法的磁场强度一般在1.5T以上。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述烧结处理的操作和条件可为本领域常 规的烧结工艺，例如真空烧结工艺和/或惰性气氛烧结工艺。所述真空烧结工艺或所述惰性 气氛烧结工艺均为本领域常规操作。当采用惰性气氛烧结工艺时，烧结开始阶段可在真空 度低于5×10-1Pa的条件下进行。所述惰性气氛可为本领域常规的含有惰性气体的气氛，例 如氦气、氩气。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述烧结处理的温度可为1000-1200℃，较 佳地为1030-1090℃。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述烧结处理的时间可为0.5-10h，较佳地 为2-8h。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述时效处理的温度可为450℃-600℃,例 如480-510℃。 所述R-T-B系永磁材料的制备方法中，所述时效处理的时间可为1-4h，例如1-3h。 其中，较佳地，所述烧结处理之后、所述时效处理之前，还进行晶界扩散处理。 其中，所述晶界扩散处理可按本领域常规的工艺进行处理，例如，在所述烧结处理 得到的烧结体的表面蒸镀、涂覆或溅射附着含有Tb的物质和/或含有Dy的物质，经扩散热处 理，即可。 所述晶界扩散处理中，所述含有Tb的物质可为Tb金属、含有Tb的化合物(例如含有 Tb的氟化物)或合金。 所述晶界扩散处理中，所述含有Dy的物质可为Dy金属、含有Dy的化合物(例如含有 Dy的氟化物)或合金。 所述晶界扩散处理中，所述扩散热处理的温度可为800-900℃，例如850℃。 所述晶界扩散处理中，所述扩散热处理的时间可为12-48h，例如24h。 除上述制备方法外，还可将上述R-T-B系永磁材料的原料组合物采用双相合金工 艺制备R-T-B系永磁材料。所述双相合金工艺可为本领域常规。 本发明还提供了一种由如上所述的制备方法制得的R-T-B系永磁材料。 本发明还提供了一种R-T-B系永磁材料，以质量百分比计，其包含下述组分： R，29.5-32％，所述R为至少包含Nd的稀土元素，并且，Pr的含量为0-17％； Zr，0.15-0.50％； Cu，0-0.08％、但不为0、不为0.08； Co，0-0.3％； M，0-3％，所述M为Al、Ga、Ti、Nb、Hf、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi和Mn中的一种或多种； B，0.95-1.05％； Fe，64-70％； 百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比，各组分含量之和为 100％。 所述R-T-B系永磁材料中Cu和M基本不进入主相，主要分布在晶界处，会在晶界中 取代部分Fe。通过控制R、B、Zr和Cu的含量，在晶界处生成富集相，该富集相有助于优化晶界 缺陷，从而提升磁体矫顽力，改善方形度，高温性能得到改善。同时，由于不添加或控制微量 12 CN 111613407 A 说　明　书 7/14 页 Co含量，Co不会在晶界中富集，从而抑制沿晶断裂，提高了机械性能。所述富集相的组成为 Rp-(Zrx,Cuy,Mz)q-Fe100-p-q，其中：R为至少包含Nd的稀土元素；M为Ga、Al、Ti、Nb、Hf、Si、Sn、 Ge、Ag、Au、Bi和Mn中的一种或多种；p、q、x、y及z满足下述条件：15≤p≤25(at％)；3≤q≤8 (at％)；x/(y z)＝1.0-1.8，at％为原子百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述R可为熔炼工艺和/或扩散工艺中添加的稀土元素， 例如为熔炼工艺中添加的稀土元素。 所述R-T-B系永磁材料中，所述R的含量例如为29 .8％、30 .5％、30 .8％、31％、 31.5％、31.6％或32％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述Nd的含量可为本领域常规，优选为23.1-29.7％，例 如23.1％、23.6％、24.3％、25％、25.2％、29％或29.7％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁 材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述R中的Nd的添加形式可为本领域常规，例如以PrNd 的形式，或者，以纯净的Nd的形式，或者以纯净的Pr和Nd的混合物的形式，或者以PrNd、纯净 的Pr和Nd的混合物联合添加。当以PrNd的形式添加时，PrNd中Pr与Nd的质量比优选为25: 75、20：80或10：90。 所述R-T-B系永磁材料中，所述Pr的含量优选为0-10％，进一步优选为0-8％，例如 0、2.2％、5.5％、6.1％、6.3％、7.4％或7.9％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质 量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述R包含Pr时，Pr的添加形式可为本领域常规，例如 以PrNd的形式，或者，以纯净的Pr的形式，或者，以纯净的Pr和Nd的混合物的形式，或者以 PrNd、纯净的Pr和Nd的混合物联合添加。当以PrNd的形式添加时，PrNd中Pr与Nd的质量比优 选为25:75、20：80或10：90。 所述R-T-B系永磁材料中，所述R还可包含重稀土元素。所述重稀土元素可为熔炼 工艺和/或扩散工艺中添加的重稀土元素，较佳地，所述重稀土元素为熔炼工艺中添加的重 稀土元素。 所述R-T-B系永磁材料中，所述重稀土元素的种类可为本领域常规的重稀土种类， 例如Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述R包含重稀土元素时，所述重稀土元素的含量可 为本领域常规，优选为0-7％(不包含0)，进一步优选为0.1-0.5％，例如0.1、0.2％、0.3％或 0.5％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述Zr的含量例如为0.15％、0.2％、0.3％、0.35％或 0.5％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述Cu的含量优选为0.04％-0 .06％，例如0.04％、 0.05％或0.06％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述Co的含量例如为0、0.1％或0.3％，其中百分比为占 所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述B的含量例如为0.95％、0.98％或1.05％，其中百分 比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，所述M的种类优选为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种。 13 CN 111613407 A 说　明　书 8/14 页 所述R-T-B系永磁材料中，所述M的含量优选为0-2％，例如0、0 .08％、0 .1％、 0.58％、0.6％、0.7％、0.75％、0.9％或1.2％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质 量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述M包含Al时，所述Al的含量优选为0-1％(不包含 0)，例如0.03％、0.5％或0.6％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述M包含Ga时，所述Ga的含量优选为0-1％(不包含 0)，例如0.05％、0.1％、0.2％或0.4％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百 分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述M包含Ti时，所述Ti的含量优选为0.05-0.3％，例 如0.05％、0.1％或0.3％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述M包含Nb时，所述Nb的含量优选为0-0.2％(不包 含0)，例如0.05％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 所述R-T-B系永磁材料中，当所述M包含Hf时，所述Hf的含量优选为0-0.2％(不包 含0)，例如0.05％，其中百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分的 定义如上任一方案所述：所述R不包含Tb。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述：所述R不包含Dy和Tb以外的重稀土元素。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述：所述R不包含Ho。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述：除不可避免的杂质以外，所述R不含Nd和Pr以外的稀土金属。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述：所述Co的含量为0。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述：所述Co的含量为0-0.3％(不包含0)，例如0.1％或0.3％，其中百 分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Al的含量为≥0.55％；百分比是 指占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述R不含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＜ 0.2％；所述Al的含量为0.45％-0.54％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量 百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述R含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＜0.2％； 14 CN 111613407 A 说　明　书 9/14 页 所述Al的含量为0.45％-0.54％；Al Cu≥0.55％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总质 量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述Zr的含量≥0.35％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含 量为0.2-0.25％；所述Al的含量为0.45％-0.54％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总 质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Ga的含量为＞0.25％；所述Al的 含量为0.45％-0.54％；所述Ti的含量为＜0.15％或＞0.28％；百分比是指占所述R-T-B系 永磁材料总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述R不含Tb；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述Al的含量<0.04％； 百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述R含Tb；所述Zr的含量≥0.26％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种； 所述Al的含量<0.04％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料中，某些组分的定义可如下所述，其余组分 的定义如上任一方案所述： 所述R包含Tb；所述Ga的含量＜0.05％或＞0.25％；所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的 一种或多种；所述Al的含量<0.04％；百分比是指占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百 分比。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料，以质量百分比计，其包含下述组分： R，29.5-32％，所述R为至少包含Nd的稀土元素，并且，Pr的含量为0-17％； Zr，0.15-0.50％； Cu，0-0.08％、但不为0、不为0.08； Co，0-0.3％； M，0-3％，所述M为Al、Ga、Ti、Nb和Hf中的一种或多种； B，0.95-1.05％； Fe，64-70％； 百分比为占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比，各组分含量之和为 100％。 在某一方案中，所述R-T-B系永磁材料可为下述编号1-10中的任意一种，其中，百 分比为各组分占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比，各组分含量之和为100％， 15 CN 111613407 A 说　明　书 10/14 页 “/”是指不含有该元素。 本发明还提供了一种如上所述的R-T-B系永磁材料作为电子元器件的应用。 本发明中，在制备工艺中一般会不可避免的引入碳杂质，用量一般为0-0.10％，上 述百分比为C元素的用量占总量的质量百分比。 本发明中，如无特殊说明，涉及的“百分比”指质量百分比。 在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳 实例。 本发明所用试剂和原料均市售可得。 本发明的积极进步效果在于：同时控制Cu、Zr元素的含量，在晶界处存在富含Zr的 Rp-(Zrx,Cuy,Mz)q-Fe100-p-q富集相，该相有助于高温烧结，细化晶粒组织，从而提升磁体矫顽 力(Hcj≥16.4kOe)，改善方形度(Hk/Hcj≥0.98)，高温性能得到改善(80℃时Hcj温度系数绝 对值≤0.739；150℃时Hcj温度系数绝对值≤0.431)。同时，由于不添加或控制微量Co含量， Co不会在晶界中富集，从而抑制沿晶断裂，提高了机械性能(抗弯强度≥473MPa)。 附图说明 图1为实施例7制得的R-T-B系永磁材料的FE-EPMA图谱。