技术摘要：
实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之  全部
背景技术：
作为存储大容量数据的半导体存储装置，已知例如使存储膜的电阻值变化来存储 信息的电阻变化型半导体存储装置。在这种半导体存储装置中使用的存储膜通过在两端施 加电压来使电阻值变化而存储数据。
技术实现要素：
实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。 实施方式涉及的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布 线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及 多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第 1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所 述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述 第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所 述第1布线的连接面积大。 附图说明 图1是第1实施方式涉及的半导体存储装置的框图。 图2是该半导体存储装置的存储单元阵列的等效电路图。 图3是表示该存储单元阵列的构成的立体图。 图4是表示该存储单元阵列的构成的俯视图。 图5的(a)、(b)是用于说明该半导体存储装置的效果的图。 图6是用于说明该半导体存储装置的效果的图。 图7～图15是表示该半导体存储装置的制造方法的立体图。 图16是表示第2实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视 图。 图17是表示第3实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视 图。 图18是表示第4实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视 图。 图19是表示第5实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视 4 CN 111583981 A 说　明　书 2/7 页 图。 图20是表示第6实施方式涉及的半导体存储装置的存储单元阵列的构成的俯视 图。