技术摘要：
本申请公开了一种芯片封装方法，该方法包括：提供第一封装体，第一封装体包括至少一个连接芯片、多个第一导电柱和第一塑封层；在连接芯片的功能面一侧形成第一再布线层；将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向第一再布线层并与第一再布线层电连接，其中，第一芯片和  全部
背景技术：
随着电子产品的更新换代，对于芯片封装技术的要求也越来越高，现有的芯片封 装技术中，通常先将芯片与硅中介板进行连接，然后将硅中介板与基板进行连接。上述方式 形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅中介板脆性较高， 导致封装器件的稳定性较低。因此，需要发展一种新的封装技术，能够降低成本，且形成的 封装器件的性能优异。
技术实现要素：
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，能够降低成本，提高第一 芯片和第二芯片之间的信号传输速率。 为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供芯片封装方法，所述芯 片封装方法包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括至少一个连接芯片、多个第一导电 柱以及第一塑封层；其中，所述连接芯片包括相背设置的功能面和非功能面，每个所述连接 芯片的外围设置有多个所述第一导电柱，所述第一塑封层覆盖所述连接芯片的侧面以及所 述第一导电柱的侧面；在所述连接芯片的所述功能面一侧形成第一再布线层，所述第一再 布线层的不同区域透过所述第一塑封层分别与对应位置处的所述连接芯片、所述第一导电 柱电连接；将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一再 布线层电连接，其中，所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区焊盘靠近设置，所述第一 芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述连接芯片电连 接，所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述第一 导电柱的一端电连接；在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接 结构与所述第一导电柱的另一端电连接；将所述电连接结构朝向封装基板，并使所述电连 接结构与所述封装基板电连接。 其中，所述提供第一封装体包括：提供可去除的载板，所述载板定义有至少一个区 域；在每个所述区域的边缘形成多个所述第一导电柱；在每个所述区域的内侧黏贴所述连 接芯片，且所述连接芯片的厚度小于所述第一导电柱的高度，所述连接芯片的所述非功能 面朝向所述载板；在所述载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，所述第一 塑封层与所述第一导电柱齐平，所述连接芯片的所述功能面上的连接焊盘从所述第一塑封 层中露出。 其中，所述在每个所述区域的内侧黏贴所述连接芯片之前，还包括：在所述连接芯 片的所述连接焊盘上形成第二导电柱，所述第二导电柱的高度与所述连接芯片的厚度之和 小于等于所述第一导电柱的高度。 其中，所述在所述载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，包括：在 4 CN 111554629 A 说　明　书 2/6 页 所述载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述第一 导电柱和所述第二导电柱；研磨所述第一塑封层远离所述载板一侧表面，直至所述第一导 电柱和所述第二导电柱从所述第一塑封层中露出，且所述第一导电柱、所述第二导电柱和 所述第一塑封层齐平；在所述第一塑封层的一侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对 应所述第一导电柱和所述第二导电柱的位置形成第一开口。 其中，所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所 述第一再布线层电连接之前，还包括：在所述第一再布线层的一侧形成第二钝化层，并在所 述第二钝化层对应所述第一再布线层位置形成第二开口，其中，所述第二开口的位置与所 述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘和所述非信号传输区焊盘一一对应；在 所述第二开口内形成第三导电柱，所述第三导电柱与所述第一再布线层电连接。 其中，所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所 述第一再布线层电连接，包括：将所述第一芯片和所述第二芯片上的所述信号传输区焊盘 和所述非信号传输区焊盘分别与对应位置处的所述第三导电柱键合连接。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构之前，还包括：在 所述第一芯片和所述第二芯片的所述功能面与所述第二钝化层之间形成底填胶；在所述第 二钝化层一侧形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的侧 面；去除载板。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结 构与所述第一导电柱的另一端电连接，包括：在所述第一封装体远离所述第一芯片一侧形 成第三钝化层，所述第三钝化层上对应所述第一导电柱的所述另一端位置设置有第三开 口；在所述第三开口内形成焊球，所述电连接结构包括所述焊球。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结 构与所述第一导电柱的另一端电连接，包括：在所述第一封装体远离所述第一芯片一侧形 成第四钝化层，所述第四钝化层上对应所述第一导电柱的所述另一端位置设置有第四开 口；在所述第四钝化层上形成第二再布线层，所述第二再布线层与所述第一导电柱电连接； 在所述第二再布线层一侧形成第五钝化层，所述第五钝化层对应所述第二再布线层的位置 设置有第五开口；在所述第五开口内形成焊球，所述电连接结构包括所述焊球和所述第二 再布线层。 其中，所述第一封装体中包含至少两个封装单元，每个所述封装单元包括至少一 个所述连接芯片以及位于所述连接芯片外围的多个所述第一导电柱，所述第一塑封层连续 覆盖所有所述封装单元；所述将所述电连接结构朝向封装基板，并使所述电连接结构与所 述封装基板电连接之前，还包括：切割掉相邻所述封装单元之间的区域，以获得包含单个封 装单元的封装器件。 本申请的有益效果是：本申请提供的芯片封装方法对于主芯片的信号传输区和非 信号传输区采用不同的连接方式：对于信号传输区，采用连接芯片连接第一芯片和第二芯 片，提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率，提高封装器件的性能；对于非信号传输 区，采用电连接结构与封装基板连接，能够降低封装成本。 5 CN 111554629 A 说　明　书 3/6 页 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。其中： 图1是本申请芯片封装方法一实施方式的流程示意图； 图2是图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图； 图3是图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图； 图4a是图3中步骤S201对应的一实施方式的结构示意图； 图4b是图3中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图； 图4c是图3中步骤S203对应的一实施方式的结构示意图； 图4d是图3中步骤S204对应的一实施方式的结构示意图； 图5是图3中步骤S204对应的另一实施方式的结构示意图； 图6是图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图； 图7是图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图； 图8是图1中步骤S104之前对应的一实施方式的流程示意图； 图9a是图8中步骤S301对应的一实施方式的结构示意图； 图9b是图8中步骤S302对应的一实施方式的结构示意图； 图10a是图1中步骤S104对应的一实施方式的结构示意图； 图10b是图1中步骤S104对应的另一实施方式的结构示意图； 图11是图1中步骤S105对应的一实施方式的结构示意图。