技术摘要：
本申请涉及一种微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统。上述微腔刻蚀基底盛放装置，包括基座、置片架以及旋转控制单元。所述置片架可转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放置基底材料。所述旋转控制单元与所述置片架连接，用于控制所述置片架  全部
背景技术：
环芯型微腔的关键参数品质因子Q受其硅基支撑柱体圆度的影响。在形成硅基支 撑柱的过程中，一般使用氟化氙粉末作为干法刻蚀的原料，通过氮气加压，使其均匀弥散在 圆形刻蚀腔内，并均匀的和硅基进行接触，从而刻蚀掉部分硅基，形成硅基支撑柱。而在该 过程中，硅基支撑柱的圆度会受到两个方面的影响：氟化氙粉末弥散的均匀程度、硅片自身 的非对称性；这两者会导致环芯微腔的支撑柱出现方形等非圆形模样，从而影响到微腔的 品质因子。 为了能够缓解上述两种不均匀情况带来的后果，常用的方法是通过减少氟化氙的 刻蚀量来实现的。一种方式是提高刻蚀腔内的空气湿度，这是由于氟化氙和空气中的水蒸 气发生化学反应，生成氟化氢后会失去对硅基的刻蚀能力，如此一来低浓度氟化氙就更容 易均匀分布在刻蚀腔内，通过牺牲刻蚀速度就能够实现硅基支撑柱的高圆度。第二种方式 是减少刻蚀系统喷出的氟化氙粉末量。该种方法缺少一定的稳定性，不能够保证每次刻蚀 结果均理想。
技术实现要素：
基于此，本申请提供一微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统，以使微腔在反应 过程中更均匀地刻蚀。 一种微腔刻蚀基底盛放装置，包括： 基座； 置片架，可转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放 置基底材料；以及 旋转控制单元，与所述置片架连接，用于控制所述置片架以预设转速进行旋转。 在其中一个实施例中，所述置片架包括： 转轴，可转动的设置于所述基座，一端与所述旋转控制单元可转动连接；以及 旋转台，与所述转轴的另一端固定连接，所述置片槽开设于所述旋转台远离所述 基座的一面。 在其中一个实施例中，所述置片槽开设于所述旋转台的中心位置。 在其中一个实施例中，所述置片槽沿所述旋转台的径向，贯穿所述旋转台。 在其中一个实施例中，所述旋转台与所述转轴的另一端固定连接方式为焊接或螺 纹连接。 在其中一个实施例中，所述置片架的数量为多个，多个所述置片架等间隔设置于 所述基座。 3 CN 111554610 A 说　明　书 2/5 页 在其中一个实施例中，所述置片架的数量为六个，六个所述置片架的中心的连线 为一个正六边形。 在其中一个实施例中，所述旋转控制单元包括： 旋转电机，与所述转轴连接； 电机控制电路，与所述旋转电机电连接，用于控制所述旋转电机以预设转速进行 旋转。 在其中一个实施例中，所述基座具有容纳腔，所述旋转控制单元设置于所述容纳 腔。 在其中一个实施例中，所述基座为空心柱体，且所述基座的材料为不锈钢。 一种微腔刻蚀系统，包括： 上述实施例中任一项所述的微腔刻蚀基底盛放装置；以及 刻蚀装置，具有刻蚀腔，所述微腔刻蚀基底盛放装置置于所述刻蚀腔内。 上述微腔刻蚀基底盛放装置，包括基座、置片架以及旋转控制单元。所述置片架可 转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放置基底材料。所述旋 转控制单元与所述置片架连接，用于控制所述置片架以预设转速进行旋转。刻蚀使用时，将 上述微腔刻蚀基底盛放装置放到刻蚀腔中，并在所述置片槽中放入准备进行氟化氙刻蚀的 基底材料，启动所述旋转控制单元，以使得基底材料在置片架的带动下匀速缓慢旋转。基底 材料的旋转使得氟化氙气体能较为均匀的接触正在刻蚀的微腔，可有效提升在低湿度、高 氟化氙浓度下微腔刻蚀的圆度，从而使环芯微腔有较高的Q值。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传 统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置结构图； 图2为本申请一个实施例提供的置片架主视图； 图3为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置主视图； 图4为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置俯视图； 图5为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置主视图； 图6为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀系统结构图。 主要元件附图标号说明 10、微腔刻蚀基底盛放装置；110、基座；111、容纳腔；120、置片架；121、置片槽； 122、转轴；123、旋转台；130、旋转控制单元；131、旋转电机；132、电机控制电路；20、微腔刻 蚀系统；200、刻蚀装置；210、刻蚀腔。