技术摘要：
本发明提供一种硅片缺陷记录方法及装置，所述方法包括：建立硅片的虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。根据本发明实施的硅片缺陷记录方法，可以  全部
背景技术：
一般而言，晶片经过一系列工序后，作为半导体元件制造用硅片。在上述工艺进行 过程中，由于硅片自身或外部环境等原因，可能会产生聚合物和杂质等各种异物污染硅片 的表面，硅片表面也因此存在各种缺陷，这些缺陷是导致半导体元件生产良率下降的原因。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种硅片缺陷记录方法及装置，能够解决现有技术中硅片 表面存在各种缺陷而导致半导体元件生产良率下降。 为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案： 本发明一方面实施例提供一种硅片缺陷记录方法，包括： 建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息； 根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型； 根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。 可选的，所述建立虚拟硅片图，在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷之前，还包 括： 获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。 可选的，所述根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式，包括： 在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类 型的情况下，对所述硅片进行弃用处理； 在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中 的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。 可选的，所述获取硅片的缺陷信息，包括： 采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。 可选的，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图 案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。 本发明另一方面实施例还提供了一种硅片缺陷记录装置，包括： 记录模块，用于建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息； 确定模块，用于根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型； 处理模块，用于根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。 可选的，还包括： 获取模块，用于获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。 可选的，所述处理模块包括： 第一处理单元，用于在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打 3 CN 111584385 A 说　明　书 2/4 页 标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理； 第二处理单元，用于在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔 印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。 可选的，所述获取模块包括： 采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。 可选的，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图 案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。 本发明上述技术方案的有益效果如下： 根据本发明实施例的硅片缺陷记录方法，可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚 拟硅片图上进行保存，便于对硅片缺陷进行记录管理和分析，并可根据对记录的硅片缺陷 的分析结果，确定缺陷的类型，从而确定需要对硅片采取的处理方式。 附图说明 图1为本发明实施例提供的一种硅片缺陷记录方法的流程示意图； 图2为本发明实施例提供的虚拟硅片图； 图3为本发明实施例提供的一种硅片缺陷记录装置的示意图。