技术摘要：
本发明公开了一种声表面波滤波器，包括压电基底，压电基底包括厚基底部和薄基底部，压电基底的上表面设置有压电薄膜层，压电薄膜层上设置有至少一对叉指换能器，每一对叉指换能器均包括间隔输入换能器和输出换能器，输入换能器和输出换能器分别位于两侧的厚基底部并与  全部
背景技术：
声表面波(Surface  acoustic  wave简称SAW)是一种沿弹性固体表面或介质表面 传播的弹性波。声表面波滤波器是利用压电效应和声表面波谐振特性制成的频率选择性器 件,一般包括压电基底和设置于压电基底表面按照一定的电路结构叉指换能器，而叉指换 能器包括输入换能器和输出换能器。输入换能器通过逆压效应将输入的电信号转化为声信 号，该声信号沿基底表面传播到达输出换能器，最终由输出换能器将此声信号转化为电信 号输出。SAW滤波器设计灵活、模拟/数字兼容、带内衰减小、抗电磁干扰(EMI)性能好、体积 小、重量轻且可靠性高等，这些特点使得SAW滤波器在基站、导航、移动通信等众多领域得到 广泛的应用。相比其他可用技术，SAW技术在某些方面可以更经济地解决问题，而且可以解 决难以用其他技术实现的难题。随着军用、民用电子系统越来越高频化、小型化，获得广泛 的应用。但是传统的声表面波滤波器在声表面波的传播过程中都是利用单一的瑞利波模 式，缺乏不同声波模式之间的转换，因此在带宽和插入损耗指标性能方面存在着局限性。所 以采用传统的单一声表面波模式在当今5G时代的大带宽，低损耗，高品质因数的需求面临 一定的瓶颈。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是：提供一种声表面波滤波器，该滤波器利用了两种 声波模式进行转换，从而扩展了器件的工作带宽。 本发明所要解决的另一个技术问题是：提供一种声表面波滤波器的制作方法，该 制作方法可以成型具有两种声波模式的滤波器，成型工艺简单。 为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种声表面波滤波器，包括压电基 底，所述压电基底包括位于两侧的厚基底部和连接两厚基底部的薄基底部，所述压电基底 的上表面设置有压电薄膜层，所述压电薄膜层上固定设置有至少一对叉指换能器，每一对 叉指换能器均包括间隔输入换能器和输出换能器，所有的输入换能器并联设置，所有的输 出换能器并联设置，所述输入换能器和输出换能器分别位于两侧的厚基底部并与厚基底部 对应，所述薄基底部处于输入换能器和输出换能器之间。 作为一种优选的方案，所述声表面波滤波器还包括温度补偿层，温度补偿层的温 度系数与压电基底的温度系数相反，该温度补偿层位于压电薄膜层的上方并覆盖所述叉指 换能器。 作为一种优选的方案，所述声表面波滤波器还包括温度补偿层，温度补偿层的温 度系数与压电基底的温度系数相反，该温度补偿层位于压电薄膜层和压电基底层之间。 作为一种优选的方案，所述输入换能器和输出换能器对称设置，每个输入换能器 4 CN 111614342 A 说　明　书 2/6 页 均包括两个平行的第一汇流排和第二汇流排，第一汇流排和第二汇流排上均连接多根平行 的电极条，多根电极条互相间隔交错设置。 作为一种优选的方案，所有的电极条的宽度相等且等间距交叉设置。 作为一种优选的方案，所述第一汇流排上连接宽度相等的多根一类电极条，所述 第二汇流排上连接一类电极条和二类电极条，所述二类电极条的宽度比一类电极条的宽度 宽，每两个二类电极条之间布置了两个一类电极条，各电极条之间的间距相等。 作为一种优选的方案，所述薄基底部和两侧的厚基底部共同构成了矩形或者梯形 的槽状结构。 采用了上述技术方案后，本发明的效果是：由于所述压电基底包括位于两侧的厚 基底部和连接两厚基底部的薄基底部，所述压电基底的上表面设置有压电薄膜层，所述压 电薄膜层上固定设置有至少一对叉指换能器，每一对叉指换能器均包括间隔输入换能器和 输出换能器，所有的输入换能器并联设置，所有的输出换能器并联设置，所述输入换能器和 输出换能器分别位于两侧的厚基底部并与厚基底部对应，所述薄基底部处于输入换能器和 输出换能器之间，因此，在输入换能器输入交流电信号，利用逆压电效应，与输入换能器对 应的压电基底的厚基底部就会激励起Rayleigh(瑞利波)声表面波并传播出去，当其到达薄 基底部的时候，由于基底厚度变薄，在该区域声表面波将会转变成Lamb波(兰姆波)继续传 播，当其到达另一侧的厚基底部时又转换成Rayleigh波，由于压电效应，其声学信号通过该 侧的输出换能器转换成电学信号从而输出，最终实现滤波的功能。而该滤波器使用了两种 不同声波模式，两种不同声波模式下的波速不同，通过两种声波模式转换扩展器件的工作 带宽。 又由于所述声表面波滤波器还包括温度补偿层，温度补偿层的温度系数与压电基 底的温度系数相反，这样利用温度补偿层可以对外界环境(温度等)造成的极性相反的效果 而相抵消，从而总体表现对外界扰动近乎于零的稳定性质。 为了解决上述第二个技术问题，本发明的技术方案是：一种声表面波滤波器的制 作方法，该制作方法用于制作上述的滤波器，包括以下步骤： A1、提供一个硅材料制成的压电基底； A2、利用磁控溅射工艺或晶圆键合结合机械抛光的方式在压电基底的其中一个表 面制作一层压电薄膜层； A3、在压电薄膜层的表面利用平面光刻工艺制作金属电极形成至少一对叉指换能 器； A4、利用深硅刻蚀工艺在压电基底的另一个表面刻蚀一个空槽而形成两个厚基底 部和一个薄基底部，其中两个厚基底部与叉指换能器的输入换能器和输出换能器一一对 应。 作为一种优选的方案，该制作方法还包括以下两种的温度补偿层的成型方式； 第一种成型方式：在步骤A3和A4之间增加步骤温度补偿层的成型步骤，该步骤为： 在压电薄膜层的表面利用磁控溅射工艺生长一层温度补偿层，该温度补偿层将所述叉指换 能器覆盖，该温度补偿层与压电基底的温度系数相反； 第二种成型方式：在步骤A1和A2之间增加温度补偿层的成型步骤，该步骤为：利用 磁控溅射工艺或晶圆键合结合机械抛光的方式在压电基底的其中一个表面制作一层温度 5 CN 111614342 A 说　明　书 3/6 页 补偿层，该温度补偿层与压电基底的温度系数相反，压电薄膜层直接成型在温度补偿层上。 该温度补偿层的设置可以对器件的变形量进行反向补偿，使整个器件的变形相互抵消，从 而总体表现对外界扰动近乎于零的稳定性质。而温度补偿层有两种成型方式进行选择，可 以根据工厂的实际生产条件选择合格的成型方式，从而适应性更好。 其中，所述温度补偿层为二氧化硅层并采用磁控溅射工艺形成，其具体工艺如下： C1、清洗器件：将经过步骤B2成型的芯片先后在丙酮、无水乙醇以及超纯水中超声 清洗14-17分钟后，用氮气吹干备用； C2、对真空腔抽真空：将清洗后的芯片放入磁控溅射镀膜腔的载物台上固定，开启 机械泵对腔体粗抽真空，当真空值达到10Pa以内时开启分子泵，对整个真空腔进行抽真空 至5×10-4Pa； C3、调节氩气：等真空度稳定后向真空室内通入氩气并调节流量计设置氩气的流 速为14-16sccm，调节真空室内气压控制在3-5Pa之间； C4、通入氧气预溅射：开启射频电源产生辉光后，调节真空腔内的气压稳定在0.4- 0.6Pa，同时通入与氩气相同流量的氧气反应预溅射，去除靶材表面的污物； C5、溅射二氧化硅温度补偿层：预溅射后辉光稳定调大射频电源的功率，打开遮挡 靶材基片的盖板，进行磁控溅射在压电基底的表面生长一层二氧化硅温度补偿层，由于二 氧化硅温度补偿层采用了上述的磁控溅射工艺，因此温度补偿层与压电基底之间结合更 好，同时，也方便压电薄膜层后续根据实际情况选择制作方式。 采用了上述技术方案后，本发明的效果是：该制作方法在目前传统的滤波器的制 作方法中，增加了深硅刻蚀工艺在压电基底的另一个表面刻蚀一个空槽而形成两个厚基底 部和一个薄基底部，这样工艺简单，同时成型出了厚基底部和薄基底部，这样使滤波器具备 了两种声波传输的模式，从而扩展了器件的工作带宽。 又由于该制作方法还包括以下两种的温度补偿层的成型方式； 第一种成型方式：在步骤A3和A4之间增加步骤温度补偿层的成型步骤，该步骤为： 在压电薄膜层的表面利用磁控溅射工艺生长一层温度补偿层，该温度补偿层将所述叉指换 能器覆盖，该温度补偿层与压电基底的温度系数相反； 第二种成型方式：在步骤A1和A2之间增加温度补偿层的成型步骤，该步骤为：利用 磁控溅射工艺或晶圆键合结合机械抛光的方式在压电基底的其中一个表面制作一层温度 补偿层，该温度补偿层与压电基底的温度系数相反，压电薄膜层直接成型在温度补偿层上， 附图说明 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 图1是本发明实施例中1的结构示意图； 图2是本发明实施例中2的结构示意图； 图3是输入换能器的一种结构示意图； 图4是输入换能器的另一种结构示意图； 图5是声波模式转换示意图； 附图中：1.压电基底；2.压电薄膜层；3.温度补偿层；4.输入换能器；41.第一汇流 排；42.第二汇流排；43.一类电极条；44.二类电极条；5.输出换能器。 6 CN 111614342 A 说　明　书 4/6 页