技术摘要：
本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1‑x‑yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态  全部
背景技术：
相变随机存储器(PCRAM)是一种新型的非易失性存储器，由于其具有高密度(可扩 展性)、高速、低功耗等优点，已成为最有竞争力的下一代存储技术。 为了达到高密度存储的目标，最主流的方法是采用交叉阵列。交叉阵列需要将选 通器与选通单元进行集成。选通器在其中的作用是：在外加电场的作用下，当达到阈值电压 时，能够实现从高阻态向低电阻态的转变，选通器打开。而且，在电压低于保持电压时，能够 由低电阻态向高电阻态转变，选通器关闭。基于这种特性，选通管可有效避免在读取存储单 元信息时造成的串扰问题。 当前，能实现三维集成的选通管主要有氧化物二极管、氧化物三极管，阈值转变开 关等。但是上述材料制作的选通器件普遍存在阈值电压较高，热稳定性较差的现象。此外， 对于相变存储器这类新型存储器件，驱动电流要求在MA/cm2量级，一般的选通器件很难达 到如此高的开态电流。因此，选通器件目前的发展目标是实现大的驱动电流、高的开关比、 低的阈值电压、高疲劳和高可靠性。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，以克 服现有技术中选通器驱动电流低、开关比小、阈值电压高、热稳定性差等缺陷。 本发明还提供一种OTS材料，所述材料的化学通式为GaxS1-x-yRy，式中0