技术摘要：
本申请公开了一种芯片封装方法，该方法包括：提供第一封装体，第一封装体中包含至少一个封装单元，每个封装单元包含相邻设置的第一芯片和第二芯片、第一塑封层；在第一芯片和第二芯片的功能面一侧形成第一再布线层；在第一再布线层上设置连接芯片以及第一导电柱，其中  全部
背景技术：
随着电子产品的更新换代，对于芯片封装技术的要求也越来越高，现有的芯片封 装技术中，通常先将芯片与硅中介板进行连接，然后将硅中介板与基板进行连接。上述方式 形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅中介板脆性较高， 导致封装器件的稳定性较低。因此，需要发展一种新的封装技术，能够降低成本，且形成的 封装器件的性能优异。
技术实现要素：
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，能够降低成本，提高第一 芯片和第二芯片之间的信号传输速率。 为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装方法，所 述芯片封装方法包括：提供第一封装体，所述第一封装体中包含至少一个封装单元，每个所 述封装单元包含相邻设置的第一芯片和第二芯片、第一塑封层；其中，所述第一芯片和所述 第二芯片的信息传输区相邻设置，所述第一塑封层覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的侧 面；在所述第一芯片和所述第二芯片的功能面一侧形成第一再布线层，所述第一再布线层 的不同区域分别与所述第一芯片和所述第二芯片的所述功能面的信号传输区焊盘和非信 号传输区焊盘电连接；在所述第一再布线层上设置连接芯片以及第一导电柱，其中，所述连 接芯片的功能面上的连接焊盘通过所述第一再布线层与所述第一芯片和所述第二芯片的 所述信号传输区焊盘电连接，所述第一导电柱通过所述第一再布线层与所述非信号传输区 焊盘电连接；在所述连接芯片的非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结构与所述第 一导电柱远离所述第一芯片和所述第二芯片的一端电连接；将所述电连接结构朝向封装基 板，并使所述电连接结构与所述封装基板电连接。 其中，所述提供第一封装体，包括：提供可去除的载板，所述载板定义有至少一个 区域，一个区域对应一个封装单元；在每个所述区域的内侧黏贴所述相邻设置的所述第一 芯片和所述第二芯片，且所述第一芯片和所述第二芯片的非功能面朝向所述载板；在所述 载板设置有所述第一芯片和所述第二芯片一侧形成所述第一塑封层，所述第一塑封层覆盖 所述第一芯片和所述第二芯片的功能面和侧面；研磨所述第一塑封层远离所述载板一侧表 面，直至所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区焊盘和非信号传输区焊盘对应的位置 从所述第一塑封层中露出。 其中，所述提供第一封装体，包括：提供可去除的载板，所述载板定义有至少一个 区域，一个区域对应一个封装单元；在每个所述区域的内侧黏贴所述相邻设置的所述第一 芯片和所述第二芯片，且所述第一芯片和所述第二芯片的功能面朝向所述载板；在所述载 板设置有所述第一芯片和所述第二芯片一侧形成所述第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所 4 CN 111554618 A 说　明　书 2/7 页 述第一芯片和所述第二芯片的非功能面和侧面；去除所述第一芯片和所述第二芯片的功能 面一侧的载板，以使所述第一芯片和所述第二芯片的功能面露出。 其中，所述在所述第一芯片和所述第二芯片的功能面一侧形成第一再布线层，所 述第一再布线层的不同区域分别与所述第一芯片和所述第二芯片的所述功能面的信号传 输区焊盘和非信号传输区焊盘电连接，包括：在所述第一芯片和所述第二芯片的功能面一 侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述第一芯片和所述第二芯片的功能面上的 连接焊盘的位置形成第一开口；在所述第一钝化层上形成所述第一再布线层，且所述第一 再布线层的不同区域透过所述第一钝化层分别与所述第一芯片和所述第二芯片的所述功 能面的信号传输区焊盘和非信号传输区焊盘电连接。 其中，所述在所述第一再布线层上设置连接芯片以及第一导电柱，包括：在所述第 一再布线层的一侧形成第二钝化层，并在所述第二钝化层对应所述第一再布线层位置形成 第二开口，其中，所述第二开口的位置与所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区焊盘 和非信号传输区焊盘一一对应；在对应所述非信号传输区焊盘的所述第二开口内形成第一 导电柱，在对应所述信号传输区焊盘的所述第二开口内形成第二导电柱；将所述连接芯片 的功能面上的连接焊盘与所述第二导电柱键合连接。 其中，所述在所述第一再布线层上设置连接芯片以及第一导电柱之后，包括：在所 述连接芯片的功能面和所述第二钝化层之间形成底填胶；在所述第二钝化层设有所述第一 导电柱的一侧形成第三塑封层，所述第三塑封层覆盖所述连接芯片和所述第一导电柱的侧 面，且与所述第一导电柱齐平。 其中，所述在所述第二钝化层设有所述第一导电柱的一侧形成第三塑封层，所述 第三塑封层覆盖所述连接芯片和所述第一导电柱的侧面，且与所述第一导电柱齐平，包括： 在所述第二钝化层设有所述第一导电柱的一侧形成第三塑封层，所述第三塑封层覆盖所述 第一导电柱和所述连接芯片的非功能面；研磨所述第三塑封层远离所述第一再布线层一侧 表面，直至所述第一导电柱和所述连接芯片的非功能面从所述第三塑封层中露出。 其中，所述在所述连接芯片的非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结构与 所述第一导电柱远离所述第一芯片和所述第二芯片的一端电连接，包括：在所述连接芯片 的非功能面和所述第一导电柱一侧形成第三钝化层，所述第三钝化层上对应所述第一导电 柱的位置设置有第三开口；在所述第三开口内形成焊球，所述电连接结构包括所述焊球。 其中，所述在所述连接芯片的非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结构与 所述第一导电柱远离所述第一芯片和所述第二芯片的一端电连接，包括：在所述连接芯片 的非功能面和所述第一导电柱一侧形成第四钝化层，所述第四钝化层上对应所述第一导电 柱的位置设置有第四开口；在所述第四钝化层上形成第二再布线层，所述第二再布线层与 所述第一导电柱电连接；在所述第二再布线层一侧形成第五钝化层，所述第五钝化层对应 所述第二再布线层的位置设置有第五开口；在所述第五开口内形成焊球，所述电连接结构 包括所述焊球和所述第二再布线层。 其中，所述第一封装体中包含至少两个封装单元，每个所述封装单元包含相邻设 置的第一芯片和第二芯片，所述第一塑封层连续覆盖所有所述封装单元；所述将所述电连 接结构朝向封装基板，并使所述电连接结构与所述封装基板电连接之前，还包括：切割掉相 邻所述封装单元之间的区域，以获得包含单个封装单元的封装器件。 5 CN 111554618 A 说　明　书 3/7 页 本申请的有益效果是：本申请提供的芯片封装方法对于主芯片的信号传输区和非 信号传输区采用不同的连接方式：对于信号传输区，采用连接芯片连接第一芯片和第二芯 片，提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率，提高封装器件的性能；对于非信号传输 区，采用电连接结构与封装基板连接，能够降低封装成本。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。其中： 图1是本申请芯片封装方法一实施方式的流程示意图； 图2是图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图； 图3是图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图； 图4a是图3中步骤S201对应的一实施方式的结构示意图； 图4b是图3中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图； 图4c是图3中步骤S203对应的一实施方式的结构示意图； 图4d是图3中步骤S204对应的一实施方式的结构示意图； 图5是图1中步骤S101对应的另一实施方式的流程示意图； 图6a是图5中步骤S302对应的一实施方式的结构示意图； 图6b是图5中步骤S303对应的一实施方式的结构示意图； 图6c是图5中步骤S304对应的一实施方式的结构示意图； 图7是图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图； 图8是图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图； 图9是图1中步骤S103之后对应的一实施方式的结构示意图； 图10a是图1中步骤S104对应的一实施方式的结构示意图； 图10b是图1中步骤S104对应的另一实施方式的结构示意图； 图11是图1中步骤S105对应的一实施方式的结构示意图。