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功率放大电路


技术摘要:
本发明提供一种在提高功率效率的同时抑制了增益的偏差的功率放大电路。功率放大电路具备:放大晶体管,具有被供给根据输入信号的振幅电平而变动的电源电压的第1端子、以及被供给输入信号和偏置电流的第2端子,并从第1端子输出使输入信号放大了的放大信号;偏置电路,基  全部
背景技术:
在便携式电话等移动通信机搭载有通过晶体管对发送信号的功率进行放大的功 率放大电路。在功率放大电路中,作为在保持线性度的同时使功率效率提高的方法,已知有 根据发送信号的振幅电平使电源电压变动的包络线跟踪(ET:Envelope  Tracking)方式。在 ET方式中,通过使电源电压变动,使得沿着发送信号的包络线,从而能够以可保证线性度的 最小限度的功率使晶体管动作。 近年来,发送信号的调制带宽变宽,例如也有可能为100MHz以上。若要在这样的调 制带宽的发送信号中应用ET方式,则难以生成完全沿着发送信号的包络线的电源电压。针 对该问题,例如,在下述非专利文献1公开了如下的方式,即,不使电源电压完全沿着发送信 号的包络线,以比以往的ET方式平缓的速度使电源电压变动。 在先技术文献 非专利文献 非专利文献1:Gabriel  Montoro、Pere  L .Gilabert、Pedro  Vizarreta  and  Eduard  Bertran,“Slew-Rate  Limited  Envelopes  for  Driving  Envelope  Tracking  Amplifiers”,2011IEEE  Topical  Conference  on  Power  Amplifiers  for  Wireless  and  Radio  Applications,PP.17-20 然而,根据在上述非专利文献1公开的结构,因为电源电压并不完全沿着发送信号 的包络线,所以即使发送信号的输出功率为相同的电平,生成的电源电压的电平也有可能 不同。在此,功率放大的增益根据电源电压的电平而不同,因此若电源电压的电平不同,则 增益的偏差有可能变大。
技术实现要素:
发明要解决的课题 本发明是鉴于这样的情形而完成的,其目的在于,提供一种在提高功率效率的同 时抑制了增益的偏差的功率放大电路。 用于解决课题的技术方案 为了达到这样的目的,本发明的一个方面涉及的功率放大电路具备:放大晶体管, 具有被供给根据输入信号的振幅电平而变动的电源电压的第1端子、以及被供给输入信号 和偏置电流的第2端子,并从第1端子输出使输入信号放大了的放大信号;偏置电路,基于供 给到输入端子的基准电流,从输出端子输出偏置电流;和调整电路,根据电源电压的变动而 生成调整偏置电流的调整电流,调整电流是伴随着电源电压的上升而增加且伴随着电源电 压的下降而减少的电流,调整电路从基准电流或者偏置电流中的至少任一者提取调整电 流。 4 CN 111726093 A 说 明 书 2/11 页 本发明的一个方面涉及的功率放大电路具备:下级晶体管,具有被供给根据输入 信号的振幅电平而变动的第1电源电压的第1端子、被供给输入信号和第1偏置电流的第2端 子、以及与接地连接的第3端子;中间电容器;上级晶体管,具有被供给根据输入信号的振幅 电平而变动的第2电源电压并且输出使输入信号放大了的放大信号的第1端子、被供给第2 偏置电流的第2端子、以及经由中间电容器与下级晶体管的第1端子连接的第3端子;电感 器,将上级晶体管的第3端子与接地连接;第1偏置电路,基于供给到输入端子的第1基准电 流,从输出端子输出第1偏置电流;第2偏置电路,基于供给到输入端子的第2基准电流,从输 出端子输出第2偏置电流;第1调整电路,根据第1电源电压的变动而生成调整第1偏置电流 的第1调整电流;第2调整电路,根据第2电源电压的变动而生成调整第2偏置电流的第2调整 电流;和阻抗调整电路,设置在上级晶体管的第2端子与第2偏置电路之间,对从上级晶体管 的第2端子观察的阻抗进行调整,第1调整电流是伴随着第1电源电压的上升而增加且伴随 着第1电源电压的下降而减少的电流,第2调整电流是伴随着第2电源电压的上升而增加且 伴随着第2电源电压的下降而减少的电流,第1调整电路从第1基准电流或者第1偏置电流中 的至少任一者提取第1调整电流,第2调整电路从第2基准电流或者第2偏置电流中的至少任 一者提取第2调整电流。 发明效果 根据本发明,能够提供一种在提高功率效率的同时抑制了增益的偏差的功率放大 电路。 附图说明 图1是示出本发明的第1实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。 图2是示出双极晶体管中的集电极电压与集电极电流的关系的曲线图。 图3是示出本发明的第1实施方式的变形例涉及的功率放大电路的结构例的图。 图4是示出本发明的第2实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。 图5是示出本发明的第3实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。 图6是通过等效电路示出晶体管的图。 图7是示出晶体管的集电极电压与基极-集电极间的寄生电容的电容值的关系的 曲线图。 图8是示出本发明的第4实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。 图9是示出本发明的第5实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。 图10是用于说明一般的ET方式与慢速型ET方式的差异的图。 附图标记说明 100、100A~100E:功率放大电路,110~113:晶体管,120~123:偏置电路,130~ 133:调整电路,140~146、710:电容器,150~154、700:电感器,160~162:匹配电路,170:阻 抗调整电路,200~202、200a~203a、200b~202b、300~303:晶体管,210、211、210a~212a、 210b、211b、310~312、720:电阻元件,320:电流输出电路,330:可变电阻电路,400:阻抗元 件,500、501:IC芯片,600:RF芯片。 5 CN 111726093 A 说 明 书 3/11 页
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