技术摘要：
本发明属于靶材制造技术领域，特别涉及一种铝靶材反溅膜的清理方法。本发明提供的铝靶材反溅膜的清理方法，包括以下步骤：采用包裹材料包裹住未解绑铝靶材中的铝残靶面，得到待清理铝靶材；所述包裹材料不与碱液反应；所述未解绑铝靶材包括铝残靶和铜背板；将所述待清  全部
背景技术：
铝薄膜从紫外区到红外区具有平坦而且很高的反射率，且具有高导电性，同时由 于铝薄膜表面总是存在着一层Al2O3薄膜的保护，使得铝薄膜的化学稳定性和机械强度都比 较好。因此铝薄膜被广泛应用于反光膜、导电膜、电容器薄膜、半导体薄膜、装饰膜、保护膜、 集成电路布线和显示器等各个领域。 制备铝薄膜的方法有很多，其中使用最多的是磁控溅射法。磁控溅射法是物理气 相沉积(PVD)中的一种方法，主要是通过电离的Ar离子，在电场作用下加速撞击阴极靶材， 以高能量轰击靶材表面，使靶材原子获得能量离开靶材表面，从而在待镀件的表面沉积形 成一层薄膜。在溅射过程中，靶材原子的溅射方向并不固定，原子除了沉积在待镀件的表 面，一部分原子会溅射到绑定靶材用的铜背板上，形成一层反溅膜。由于在生产过程中，铜 背板是反复多次使用的，因此在靶材使用完毕之后要对背板进行回收，其中重要的一个步 骤就是清理背板上的反溅膜，否则将会影响下一步的解绑以及绑定。而铝反溅膜因为其具 有很高的机械结合性，使用磨抛的工艺无法将其清理干净，因此现有生产线中通常使用喷 砂的工艺将其去除，但喷砂对于铜背板表面具有一定的损伤，工作环境粉尘大，而且砂砾的 溅射方向随机，在强气流的作用下，容易对靶材本身造成不利影响。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铝靶材反溅膜的清理方法，对铜背板以及 残靶无损伤，且无粉尘污染。 为了实现上述发明的目的，本发明提供以下技术方案： 本发明提供了一种铝靶材反溅膜的清理方法，包括以下步骤： 采用包裹材料包裹住未解绑铝靶材中的铝残靶面，得到待清理铝靶材；所述包裹 材料不与碱液反应；所述未解绑铝靶材包括铝残靶和铜背板； 将所述待清理铝靶材的铜背板一面与装载台接触，利用升降板将所述待清理铝靶 材固定于装载台上； 对所述待清理铝靶材的边缘依次进行碱液处理和水洗。 优选的，所述包裹材料为铜片或防碱胶。 优选的，所述升降板上表面高于铜背板；所述升降板与铜背板的高度差为5～8cm。 优选的，所述待清理铝靶材的边缘为自所述待清理铝靶材边界至内延3～5cm的区 域。 优选的，所述碱液处理用碱液为与铝反应生成可溶性产物但不与铜反应的溶液。 优选的，所述氢氧化钠溶液的浓度为1～3.5mol/L。 优选的，所述碱液处理为将待清理铝靶材的边缘待清理位置浸泡在碱池中，所述 3 CN 111607798 A 说　明　书 2/4 页 碱池的深度为1～1.5cm。 优选的，所述碱液处理的时间为2～3min。 优选的，所述水洗的次数为3～4次，所述水洗的时间为0.5～1min/次。 本发明提供了一种铝靶材反溅膜的清理方法，包括以下步骤：提供未解绑的铝靶 材，并采用包裹材料包裹住铝残靶-铜背板中的铝残靶面，得到待清理铝靶材；所述未解绑 的铝靶材包括铝残靶和铜背板；将待清理铝靶材的铜背板一面与装载台接触，利用升降板 将所述待清理铝靶材固定于装载台上；对待清理铝靶材的边缘依次进行碱液处理和水洗， 得到去除了铝靶材反溅膜的铜背板。本发明利用碱液与靶材周围的反溅膜发生反应，使铝 和碱液形成可溶性产物排出，再进一步使用纯水对表面进行反复冲洗，去除残留碱液，即可 清理铜背板上的铝反溅膜，得到的铜背板可反复使用。相比传统喷砂去除反溅膜的工艺，本 发明提供的清理方法工作环境好，无粉尘污染，对铜背板无损伤，且碱液处理前将残靶包 裹，对残靶也无损伤，形成的废液可进行回收；且可实现自动化，减少人工成本。 实施例测试结果表明，使用本发明提供的清理方法，可以得到表面光洁的铜背板， 对铝残靶和铜背板均无损伤。 附图说明 图1为本发明铝靶材反溅膜的清理方法的工况示意图，其中，1-铝残靶，2-铜背板， 3-升降板，4-水泵，5-碱液喷头，6-装载台。