技术摘要：
一个实施方式的基板处理装置具备：处理槽，贮存对基板进行处理的药液；配管，具有从处理槽的底部朝向基板排出气泡的排出口；以及棒状体，配置于排出口与基板之间，将气泡分割。
背景技术：
对形成于基板的膜进行处理的工序之一，有使基板浸渍于药液而对膜进行蚀刻的 工序。该蚀刻工序所使用的装置中，有为了提高在基板表面上的药液的流速而对药液内排 出气泡的基板处理装置。 在上述的基板处理装置中，气泡容易聚集到排出气泡的配管的排出口的上方。因 此，存在基板面内的流速变得不均匀的情况。
技术实现要素：
本发明的实施方式提供能够使基板面内的流速的均匀性提高的基板处理装置。 一个实施方式的基板处理装置，具备：处理槽，贮存对基板进行处理的药液；配管， 具有从处理槽的底部朝向基板排出气泡的排出口；以及棒状体，配置于排出口与基板之间， 将气泡分割。 附图说明 图1是第1实施方式的基板处理装置的概略的示意图。 图2是表示半导体基板的保持方式的一例的立体图。 图3是概略地表示配管、第1棒状体及第2棒状体的构造的立体图。 图4是将第1实施方式的基板处理装置的一部分放大了的图。 图5(a)是蚀刻前的半导体装置的俯视图。 图5(b)是沿着图5(a)所示的切断线A－A的剖视图。 图6是蚀刻后的半导体装置的剖视图。 图7是表示第2实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。 图8是将第2实施方式的基板处理装置的一部分放大了的图。 图9是表示第2实施方式的变形例的放大图。 图10是表示第3实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。 图11是表示第3实施方式的变形例的基板处理装置的概略的构成的立体图。 图12是表示第4实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。 3 CN 111599711 A 说　明　书 2/5 页