技术摘要：
本发明提供了一种在线侦测腔体漏率的方法和一种半导体工艺机台。所述方法于在线状态执行检漏程序，所述检漏程序在半导体工艺开始前或者结束后执行，可以实现腔体漏率的实时侦测和监控，同时，腔体于在线状态进行漏率检查，即可以在半导体工艺开始前或者结束后立即执行  全部
背景技术：
用来执行多种半导体工艺如沉积、刻蚀、氧化的腔体需要满足防漏的要求，如果防 漏性能差，会直接影响到腔体所能达到的真空度以及在执行半导体工艺过程中的气体浓 度，进而影响产品的质量。以用来执行化学工艺沉积(CVD)的机台为例，化学气相沉积机台 在沉积生成薄膜的过程中，工艺腔体的气密性是影响薄膜质量的关键因素。如果工艺腔体 在化学反应的时候有轻微漏气，进入工艺腔体的气体就会直接影响反应过程的纯净度，使 得生成的薄膜带有杂质，产生较多的颗粒物(Particle)，从而导致产品报废。目前，对工艺 腔体的测漏只能在机台维护时(离线状态)采用手动模式进行，而不能够实时监控工艺腔体 的漏率，且手动模式使用的手动测漏程序由于是在机台维护状态下运行，此时工艺腔体所 处的环境与实际生产时存在很大的差异，侦测得到的工艺腔体的漏率存在较大误差，不能 精确的表征工艺腔体的漏率情况。
技术实现要素：
本发明提供一种在线侦测腔体漏率的方法，所述方法于在线状态实时侦测腔体的 漏率，实现了腔体漏率的实时侦测监控且可以减小腔体漏率与实际生产时的误差。本发明 还提供一种半导体工艺机台。 一方面，本发明提供一种侦测腔体漏率的方法，所述方法于在线状态执行检漏程 序，所述检漏程序在半导体工艺开始前或者结束后执行。 可选的，所述检漏程序包括依次执行的抽真空步骤、保压步骤以及计算步骤，其 中： 在所述抽真空步骤，所述腔体被抽到设定真空度； 在所述保压步骤，所述腔体的进气阀和排气阀关闭，并维持设定时间； 在所述计算步骤，比较所述腔体在保压前后真空度的变化，并计算得到所述腔体 的漏率，其中，所述漏率被传输到一在线监控系统。 可选的，所述在线监控系统为SPC系统，所述SPC系统记录并实时监控所述漏率，在 所述漏率异常时发出警报。 可选的，在执行所述抽真空步骤之前，所述检漏程序还包括清洁步骤，在所述清洁 步骤，利用等离子体对所述腔体内表面进行清洁。 可选的，在所述清洁步骤中，向所述腔体输入的气体包括氩气和三氟化氮。 可选的，利用所述等离子体对所述腔体内表面进行清洁的时间为60s～80s。 可选的，在所述抽真空步骤中，所述设定真空度为1毫托～10毫托。 可选的，在所述保压步骤中，所述设定时长为60s。 3 CN 111599706 A 说　明　书 2/6 页 可选的，用于执行半导体工艺的程序包括所述检漏程序。 本发明涉及的在线侦测腔体漏率的方法于在线状态执行检漏程序，所述检漏程序 在半导体工艺开始前或者结束后执行。所述方法在半导体工艺开始前或者结束后执行检漏 程序，可以实现腔体漏率的实时侦测和监控，同时，腔体于在线状态进行漏率检查，即可以 在半导体工艺开始前或者结束后立即执行上述检漏程序，所述腔体所处的环境与实际生产 时的情况近似，可以减小漏率的误差，便于及时得到腔体漏率的准确值，可以根据腔体漏率 及时调整工艺进程，避免浪费基片，提高生产良率。进一步的，所述漏率可以被传输到一在 线监控系统，所述在线监控系统可以对漏率进行自动记录和监控，可以实现腔体漏率的自 动实时监控，减少监控腔体漏率时的人员失误。 另一方面，本发明提供一种半导体工艺机台，所述半导体工艺机台包括存储器和 处理器，所述存储器被配置为存储可被所述处理器执行的半导体工艺程序，当所述半导体 工艺程序被所述处理器执行时，自动执行上述在线侦测腔体漏率的方法。 所述半导体工艺机台可以于在线状态执行检漏程序，从而可以实现腔体漏率的实 时侦测监控，且可以减小腔体漏率与实际生产时的误差，提高测试得到的漏率的精度，有助 于提高半导体工艺的稳定性。 附图说明 图1为硅片表面存在颗粒物的示意图。 图2和图3为硅片表面上的颗粒物的照片。 图4为本发明一实施例中腔体的连接关系示意图。 图5为一种CVD机台的结构示意图。 图6为本发明一实施例的在线侦测腔体漏率的方法中检漏程序的流程示意图。 图7为利用本发明一实施例的在线侦测腔体漏率的方法得到的漏率曲线。