技术摘要：
本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻  全部
背景技术：
近年来，闪存(Flash  Memory)存储器的发展尤为迅速，闪存存储器的主要特点是 在不加电的情况下能长期保持存储的信息，其具有集成度高、存取速度快、易擦除以及重写 等优点，因此，在微机以及自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。 现有技术中的3D  NAND闪存中，如图1所示，需要通过干法刻蚀形成台阶结构，由于 现在堆叠结构中的结构层的个数较多，因此，一般需要通过多个刻蚀过程形成多个台阶，进 而形成台阶结构。目前，在刻蚀腔中进行刻蚀，在每个刻蚀的过程中，一般分为是三个步骤： 第一步，先刻蚀腔体中位于基台上的晶圆，以去除部分的堆叠结构，形成预定的台阶；第二 步，晶圆和基台解吸附，同时向腔体中输送氩气，以使得氩气吹向基台的吸盘的小孔，以避 免刻蚀的副产物落在小孔中；第三步，向腔体中输送清洁气体，以对腔体内部进行清洁。 上述的刻蚀形成台阶结构的过程耗时较长，使得晶圆的生产效率较低。 在
技术实现要素：
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的