技术摘要：
本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，反应腔室设置有用于承载晶片的基座，反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构；上电极包括介质窗和电极壳体，电极壳体包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与腔室本体相连接，第一壳体套装于第二壳体，第二壳体  全部
背景技术：
半导体刻蚀设备(刻蚀机)是半导体制造过程中的一种重要的半导体工艺设备。相 关技术中，刻蚀机的介质窗底面(或进气喷嘴底面)到晶片上表面的距离为腔室GAP值，在不 同的加工工艺中，腔室GAP(工艺间隙)值相差较大，因此刻蚀机需要更换不同的调整支架， 以调整介质窗底面(或进气喷嘴底面)至晶片上表面的距离，从而能够满足不同工艺所适合 的腔室GAP值。 当调整腔室GAP值时，需要将腔室打开，然后在更换调整支架，然而，半导体工艺设 备的反应腔室为真空条件，因此需要先对半导体工艺设备的反应腔室进行处理后才能开 腔，从而导致调整支架更换步骤复杂，致使半导体工艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较 长，进而影响半导体工艺设备的加工效率。
技术实现要素：
本发明公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，以解决半导体工 艺设备调整腔室GAP值所花费的时间较长，从而造成半导体工艺设备的加工效率较差的问 题。 为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案： 一种半导体工艺设备的反应腔室，所述反应腔室内设置有用于承载晶片的基座， 所述反应腔室包括腔室本体、上电极和驱动机构； 所述上电极包括介质窗和电极壳体，所述电极壳体包括第一壳体和第二壳体，所 述第一壳体与所述腔室本体相连接，所述第一壳体套装于所述第二壳体，所述第二壳体可 相对于所述第一壳体移动； 所述驱动机构设置于所述第一壳体上，且与所述第二壳体相连接，用于驱动所述 第二壳体远离或靠近所述基座； 所述介质窗设置于所述第二壳体中，所述介质窗可随所述第二壳体远离或靠近所 述基座。 一种半导体工艺设备，包括上述反应腔室。 本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果： 本发明公开的半导体工艺设备的反应腔室中，驱动机构设置于第一壳体上，且驱 动机构与第二壳体相连接，驱动机构能够驱动第二壳体远离或靠近基座，介质窗设置于第 二壳体中，因此介质窗可以随着第二壳体远离或靠近基座，进而可以调节介质窗底面至晶 片上表面之间的距离，从而实现腔室GAP值的调节。此方案中，电极壳体为两层结构，并且两 层结构可以相对移动，进而使得反应腔室无需开腔即可实现对腔室GAP值的调整，进而使得 3 CN 111725111 A 说　明　书 2/6 页 半导体工艺设备在更换加工工艺时，腔室GAP值调整方便，所花费的时间较短，进而提高半 导体工艺设备的加工效率。 附图说明 此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发 明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中： 图1为本发明实施例公开的反应腔室的剖视图； 图2为本发明实施例公开的反应腔室的俯视图； 图3为本发明实施例公开的反应腔室的局部示意图； 图4～图6为本发明实施例公开的反应腔室的部分结构剖视图； 图7为本发明实施例公开的反应腔室中，第二壳体的结构示意图； 图8为本发明实施例公开的反应腔室中，第二壳体的局部剖视图。 附图标记说明： 100-腔室本体、 200-上电极、210-电极壳体、211-第一壳体、2111-倒角、212-第二壳体、2121-第一 密封槽、2122-承载台、220-介质窗、230-进气喷嘴、240-上电极线圈、250-匹配器、260-顶 盖、 300-晶片、 400-基座、 510-第一密封圈、520-第二密封圈、530-第三密封圈、 600-限位槽、 700-驱动机构、710-驱动源、720-传动件、 800-距离传感器。