技术摘要：
本发明公开了一种去耦芯片，包括四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连接在一起，集成在一个芯片上，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上。所述金属开口谐振环的内部还分别增加一节金属线，金属线与金属开口谐振环内侧端部之间通过P  全部
背景技术：
随着移动通信系统的快速发展，射频频谱资源日益短缺，如何提供更高质量、更快 速的通信服务成为第五代移动通信系统(5G)中的研究热点。在此背景下，已经提出许久的 多输入多输出(MIMO)通信技术成为了5G系统中的关键技术。 多输入多输出(MIMO)技术是指在发射端和接收端同时使用多个发射天线和接收 天线，使信号通过发射端和接收端的多个天线发射和接收。因此，多输入多输出技术能够在 不额外增加通信频带和发射功率的情况下，实现高速、大容量的数据传输，显著的提高系统 数据吞吐率和信道容量。在多输入多输出(MIMO)系统中，天线起着至关重要的作用，因为天 线的特征固有地包含在发射器和接收器之间的通信信道中。 MIMO技术是基于天线阵列而言的，随着对信道容量需求的不断增长，大规模MIMO 技术将会成为5G系统的核心，并且紧凑密集的阵列将促进这一进程。然而，无论是5G基站， 或是移动终端中，由于空间限制，随着天线数量的增加，天线单元之间的间距相对较小，造 成单元之间会形成强烈的互相耦合。在特定的空间内，天线单元数量越多，单元之间的耦合 更强，会导致： （1）空间相关性的增加； （2）辐射效率的降低； （3）单元增益的下降； （4）信噪比的恶化； （5）信道容量的减小。 综上所述，在有限的空间内，在MIMO系统中如何有效的减小天线单元之间的耦合， 提高单元之间的隔离度，并保证原天线的辐射性能，成为了业界研究的热点。
技术实现要素：
研究表明，当材料的等效介电常数和磁导率其中一个为负值而另一个为正值时， 电磁波在其特定频段内无法传播。 根据等效参数模型理论，将细金属线阵列和金属开口谐振环两种结构通过周期排 列的方式摆放在一起时，电磁场会激励感应电流在周期性金属结构上同时起作用，从而产 生负的介电常数以及负的磁导率。 本发明目的是：提供一种去耦芯片，应用在MIMO系统中有效的减小天线单元之间 的耦合，提高单元之间的隔离度，并保证原天线的辐射性能。 本发明的技术方案是： 一种去耦芯片，包括四个呈田字分布的金属开口谐振环，四个金属开口谐振环相互连 接在一起，集成在一个芯片上，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上。 3 CN 111600130 A 说　明　书 2/3 页 优选的，所述金属开口谐振环的内部还分别增加一节金属线，金属线与金属开口 谐振环内侧端部之间通过PIN二极管连接，通过实现PIN二极管的通断，实现金属开口谐振 环工作频段的调谐。 优选的，所述PIN二极管处于关闭状态时，去耦芯片工作频段在820-960MHz，当PIN 二极管处于开启状态时，工作频段向低频偏移，此时工作频段变为700-820MHz。 优选的，所述田字分布的金属开口谐振环设计为多层，使得田字结构的等效介电 常数实部在  0.8  GHz～1GHz 内为负，而等效磁导率实部为正值。 优选的，所述去耦芯片利用低温共烧陶瓷技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层 电路板技术中的一种进行集成。 优选的，所述去耦芯片用于天线系统的单元天线之间的去耦。 优选的，所述金属开口谐振环的形状为多边形或圆形。 优选的，所述金属开口谐振环个数设计成四个以上。 优选的，去耦芯片替换设计成多层PCB形式，放置在天线之间进行去耦。 本发明的优点是： 本发明通过设计特殊结构的谐振环，并通过低温共烧陶瓷(LTCC)技术，集成芯片，该芯 片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦。同时在芯片内部添加PIN二极管，可 以调节芯片的工作频段。 附图说明 下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述： 图1为金属谐振环及其等效电路； 图2为实施例1的去耦芯片内部示意图； 图3为实施例2的去耦芯片内部示意图； 图4双天线加载去耦芯片的原理图； 图5为加载实施例1的去耦芯片前后的隔离度参数对比图； 图6为加载实施例2的去耦芯片前后的隔离度参数对比图。