技术摘要：
本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成层叠结构于所述第一多晶硅层上；形成保护层于所述层叠结构上；形成图案化的光阻层于所  全部
背景技术：
随着市场对FLASH存储器件集成度要求的不断提高，传统FLASH器件数据存储的可 靠性与器件的工作速度、功耗、尺寸等方面的矛盾日益凸现。SONOS存储器具有单元尺寸小、 操作电压低、与CMOS工艺兼容等特点，SONOS技术的不断改进将推动半导体存储器向微型 化、高性能、大容量、低成本等方向发展。 可靠性作为半导体器件的一个重要指标，在器件的稳定、可靠运行中起着关键作 用。在自对准(Self-Align)SONOS存储器中，SONOS是Silicon-Oxide-Nitride-Oxide- Silicon即硅-氧化层-氮化层-氧化层-硅的缩写，ONO为Oxide-Nitride-Oxide即氧化层-氮 化层-氧化层的缩写，SONOS存储器中通过ONO层存储信息，所以ONO层的稳定性对器件的稳 定性很重要，而现有制造ONO栅极结构的方法容易使ONO层厚度受到影响，从而影响存储器 件的稳定性。
技术实现要素：
鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体结构的制造方法，通过该制造 方法可以保护ONO层的厚度不受到影响，以提高器件的稳定性。 为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括： 提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第 二区域； 形成层叠结构于所述第一多晶硅层上； 形成保护层于所述层叠结构上； 形成图案化的光阻层于所述保护层上，所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域 上的所述保护层； 移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构，以暴露出所述第二区域上的 所述第一多晶硅层； 移除所述图案化的光阻层； 形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第 一多晶硅层上。 进一步地，所述保护层为多晶硅保护层。 进一步地，移除所述图案的化光阻层之后，形成所述第二多晶硅层之前，还包括用 于还原自然氧化层还原步骤，其中，所述自然氧化层形成于所述第一区域上的所述保护层 及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。 进一步地，所述第一区域为存储区，所述第二区域为运算区。 3 CN 111599813 A 说　明　书 2/9 页 进一步地，所述层叠结构依次包括第一氧化层，氮化层和第二氧化层。 进一步地，所述保护层位于所述第二氧化层上。 进一步地，所述保护层的厚度小于所述第一多晶硅层的厚度，所述保护层的厚度 在5-10nm。 进一步地，形成所述第一多晶硅层之前，还包括形成栅氧化层于所述衬底上，所述 栅氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域。 进一步地，形成所述栅氧化层之前，还包括形成浅沟槽隔离结构于所述衬底中，所 述浅沟槽隔离结构用于隔离所述第一区域和所述第二区域。 进一步地，本发明还提出一种半导体结构，包括： 衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 隔离结构，位于所述衬底中，用于隔离所述第一区域和所述第二区域； 栅氧化层，位于所述衬底上，且覆盖所述第一区域和所述第二区域； 第一多晶硅层，位于所述栅氧化层上； 层叠结构，位于所述第一区域上的所述第一多晶硅层上； 保护层，位于所述层叠结构上； 第二多晶硅层，位于所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。 综上所述，本发明提出一种半导体结构的制造方法，该制造方法可以适用于需要 两次或多次沉积多晶硅层的半导体结构，通过该层叠结构上形成一保护层，该保护层可以 保护层叠结构内的第二氧化层在还原步骤中不受到影响，如果层叠结构上没有保护层，在 还原步骤中层叠结构内的第二氧化层也会被还原，由此减少了第二氧化层的厚度，也就是 减少了层叠结构的厚度，因此在层叠结构上形成的保护层可以保证层叠结构的厚度不受到 影响，从而提高存储器件的稳定性。 附图说明 图1：本实施例提出的半导体结构的制造方法流程图。 图2：步骤S1对应的结构示意图。 图3：步骤S2对应的结构示意图。 图4：步骤S3对应的结构示意图。 图5：步骤S4对应的结构示意图。 图6：层叠结构的简要示意图。 图7：步骤S5对应的结构示意图。 图8：步骤S6对应的结构示意图。 图9：步骤S7对应的结构示意图。 图10：形成自然氧化层的结构示意图。 图11：步骤S8对应的结构示意图。 符号说明 10            中间半导体结构         1051            第一氧化层 100           半导体结构             1052            氮化层 100a           第一区域               1053            第二氧化层 4 CN 111599813 A 说　明　书 3/9 页 100b           第二区域               106            保护层 101            衬底                  106a           图案化的光阻层 102            浅沟槽隔离结构         107            自然氧化层 103           栅氧化层               108             第二多晶硅层 104            第一多晶硅层 105            层叠结构