技术摘要：
根据一个实施方式，半导体存储装置具备：第1电极及第2电极，排列在第1方向；第1半导体层，设置在第1电极与第2电极之间；第2半导体层，设置在第1半导体层与第2电极之间；第1电荷蓄积层，设置在第1电极与第1半导体层之间，包含氮及铝；以及第2电荷蓄积层，设置在第2电极  全部
背景技术：
已知有一种半导体存储装置，具备：衬底；多个栅极电极，积层在与该衬底的表面 交叉的方向；半导体层，与所述多个栅极电极对向；以及栅极绝缘层，设置在栅极电极与半 导体层之间。栅极绝缘层例如具备氮化硅层(Si3N4)或浮动栅极等能够存储数据的存储器 部。
技术实现要素：
一实施方式的半导体存储装置具备：第1电极及第2电极，排列在第1方向；第1半导 体层，设置在所述第1电极与所述第2电极之间，且与所述第1电极对向；第2半导体层，设置 在所述第1半导体层与所述第2电极之间，且与所述第2电极对向；第1电荷蓄积层，设置在所 述第1电极与所述第1半导体层之间，包含氮及铝；以及第2电荷蓄积层，设置在所述第2电极 与所述第2半导体层之间，包含氮及铝。所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层的至少一 者具备：第1区域，除了包含氮及铝以外还包含氧；第2区域，除了包含氮及铝以外还包含氧， 且与所述第1方向交叉的第2方向上的位置与所述第1区域的所述第2方向上的位置不同；以 及第3区域，以所述第2方向上的位置成为所述第1区域的所述第2方向上的位置与所述第2 区域的所述第2方向上的位置之间的方式设置。第3区域不包含氧，或者，第3区域中的氧的 浓度低于所述第1区域及所述第2区域中的氧的浓度。 附图说明 图1是第1实施方式的半导体存储装置的示意性的等效电路图。 图2是该半导体存储装置的示意性的立体图。 图3是与图2的A-A′线所示的部分的截面对应的示意性的剖视图。 图4是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。 图5是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图6是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图7是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图8是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图9是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图10是表示该制造方法的示意性的剖视图。 4 CN 111725226 A 说　明　书 2/11 页 图11是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图12是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图13是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图14是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图15是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图16是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图17是第2实施方式的半导体存储装置的示意性的立体图。 图18是与图17的A-A′线所示的部分的截面对应的示意性的剖视图。 图19是表示第2实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。 图20是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图21是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图22是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图23是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图24是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图25是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图26是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图27是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图28是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图29是表示该制造方法的示意性的俯视图。 图30是表示该制造方法的示意性的剖视图。 图31是表示第1实施方式的构成的第1变化例的一部分的构成的示意性的剖视图。 图32是表示第2实施方式的构成的第1变化例的一部分的构成的示意性的剖视图。 图33是表示第1实施方式的构成的第2变化例的一部分的构成的示意性的剖视图。 图34是表示第2实施方式的构成的第2变化例的一部分的构成的示意性的剖视图。