技术摘要：
本发明提供一种提升容值的补偿电容结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属；制作第一绝缘层；制作第二半导体层；制作第二绝缘层；制作第二极板金属和第二极板金属；制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的  全部
背景技术：
有机发光二极管显示器由于其具有自发光，对比度高，是较广，可应用于目前新型 柔性显示器，且构造及制程简单，已成为市场上新一代平板显示技术 Dual  Gata(双栅)结构的薄膜晶体管(Thin  Film  Transistor,TFT)显示出对漏极 电流和阈值电压Vth的更精确和有效的控制，表现出更优的器件特性。请参阅图1和图2，以 现有AM-OLED器件最简单的2T1C为例(两个电晶体管夹着一个储存电容)结构，存储电容C是 维持像素点位的主要手段，Dual  Gata(双栅)结构的薄膜晶体管区为第一栅极金属、第二半 导体层、第二极板金属、源漏极金属，电容区为第一极板金属、第一绝缘层、第二绝缘层和第 二极板金属。其中，第一极板金属和第二极板金属组成一个电容，该电容的容值较小。 增大储存电容可以有效改善画面均一性，但增大存储电容的方法一般为增大电极 板的面积，但增大电极的面积导致器件尺寸无法缩小，影响显示分辨率。
技术实现要素：
为此，需要提供一种提升容值的补偿电容结构及制作方法，解决电容容值不足的 问题。 为实现上述目的，发明人提供了一种提升容值的补偿电容结构制作方法，包括如 下步骤： 在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的 一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分； 制作第一绝缘层； 制作第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极金属区域的第一绝缘层上； 制作第二绝缘层； 制作第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第 二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作 为电容的组成部分； 制作第三绝缘层； 在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，第二过孔位于第二极板金属 的一侧，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔，第三过孔位于第二极板金属 的外侧； 制作第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金 属，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层，第三极板金属用于作为电容的组成部分。 进一步地，在制作第二半导体层时，还包括如下步骤： 制作第一半导体层，第一半导体层位于第一极板金属区域的第一绝缘层上，用于 3 CN 111599750 A 说　明　书 2/6 页 连接第二极板金属； 在制作第二绝缘层后，在制作第二极板金属和第二极板金属前，还包括如下步骤： 在第一极板金属区域的第二绝缘层上制作连通第一半导体层的第一过孔。 发明人提供一种提升容值的补偿电容结构，包括： 在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属 的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分； 在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层； 在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层； 在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层； 在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极 板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第 二极板金属用于作为电容的组成部分； 在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层； 在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔，第二过孔的底部为第一极板金属并 位于第二极板金属的一侧，第三过孔的底部为第二半导体层并位于第二极板金属的外侧； 在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔 连接第一极板金属，第三极板金属用于作为电容的组成部分，源漏极金属通过第三过孔连 接第二半导体层。 进一步地，还包括： 在第一极板金属区域的第一绝缘层上设置有第一半导体层，第二极板金属通过第 二绝缘层上的第一过孔与第一半导体层连接。 区别于现有技术，上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金 属形成两个电容，分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。两 个电容可以为器件带来更大的电容值，在电容值增大后，可以有效改善画面均一性，提升显 示质量。 附图说明 图1为