技术摘要：
本发明公开了一种具有优异温度稳定性的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。其中，微波介质陶瓷的化学式为CaAl2‑2xTixO4‑x(0≤x≤0.1)，主要原料为高纯CaCO3，Al2O3和TiO2粉末。制备方法采用传统固相烧结法，根据CaAl2‑2xTixO4‑x化学式准确称量高纯原料粉末并充分  全部
背景技术：
微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300MHz-300GHz)电路中作为介质材料并完成 一种或多种功能的低损耗、温度稳定型陶瓷。随着无线通讯技术的迅猛发展，微波介质陶瓷 作为微波谐振器件(包括介质谐振器、滤波器、振荡器)、微波电容器等无源器件的关键材料 而得到了广泛关注。近年来，随着人们对信息传输内容、速度及质量等要求的不断提高，新 一代信息传输技术如5G移动通信技术得到了广泛重视，无线通讯频段逐渐朝微波高频和毫 米波频段方向发展。为满足更高频段下微波器件的应用需求，要求这类陶瓷具有较低的介 电常数(εr<15)，较低的介电损耗(即较高的品质因数Qf值：Qf>40000GHz)和良好的温度稳 定性(谐振频率温度系数τf近零)。为此，为满足未来通讯技术的应用需求，亟需挖掘已有介 质材料的性能极限以及探索新型高性能微波介质材料体系。 由电介质理论可知，材料的介电常数主要与材料化学组成中单位体积离子极化率 有关。因此，铝酸盐基陶瓷材料由于Al3 较低的离子极化率而被视为具有优异应用前景的低 介电常数体系。然而，铝酸盐基陶瓷τf值通常为一较大的负值，严重限制了其商业化应用。 考虑到谐振频率温度系数可通过材料的成分调控来进行改善，为此，可以围绕铝酸盐基陶 瓷材料离子改性调控其温度稳定性，开发出一种新型具有优异温度稳定性的低介电常数微 波介质陶瓷。
技术实现要素：
为满足更高频段下移动通讯技术的应用需求，本发明提供一种具有优异温度稳定 性的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。 为了达到上述发明目的，本发明采用以下技术方案： 一种具有优异温度稳定性的低介电常数微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的制备方法， 包括以下步骤： (1)配料：将原料CaCO3、Al2O3、TiO2按照CaAl2-2xTixO4-x的化学计量比进行配比；其 中，0≤x≤0.1； (2)混料：将配料得到的物料、球磨珠、无水乙醇按照预设的质量比置于球磨机中 进行湿法球磨，得到泥浆状原料； (3)烘干：将泥浆状原料置入烘箱中烘干至恒重，得到干燥的混合料； (4)预烧：将混合料过筛分散，然后置入高温炉中预烧，制得CaAl2-2xTixO4-x粉体； (5)球磨：将CaAl2-2xTixO4-x粉体加入无水乙醇，置于球磨机中研磨，形成CaAl2- 4 CN 111592348 A 说　明　书 2/7 页 2xTixO4-x浆料； (6)烘干：将CaAl2-2xTixO4-x浆料置于烘箱中烘干至恒重，得到CaAl2-2xTixO4-x化合 物粉末； (7)造粒：将CaAl2-2xTixO4-x化合物粉末过筛，取筛下料加入聚乙烯醇溶液，混合均 匀后将粉料颗粒过筛，取筛下料压制成圆柱体生坯； (8)排胶：将圆柱体生坯置于高温炉中升温，以进行排胶处理； (9)烧结：将排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理，得到微波介质陶瓷CaAl2- 2xTixO4-x。 作为优选方案，所述步骤(8)中，排胶处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至 600℃，保温2h，之后随炉冷却至室温。 作为优选方案，所述步骤(9)中，烧结处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至 1400～1475℃，烧结3h；然后以1℃/min的速度降温至1100℃，最后随炉冷却至室温。 作为优选方案，所述步骤(4)中，预烧的工艺包括：预烧温度为1200～1250℃，预烧 时间3h。 作为优选方案，所述步骤(4)中的预烧温度为1250℃。 作为优选方案，所述步骤(7)中，聚乙烯醇溶液的添加量为过筛后的CaAl2-2xTixO4-x 化合物粉末质量的4～6wt％。 作为优选方案，所述步骤(1)之前，还包括： 将原料CaCO3、Al2O3、TiO2分别放入球磨机连续球磨6h以上。 作为优选方案，原料、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5：3。 作为优选方案，所述球磨机为行星式球磨机，转速设置为180r/min。 作为优选方案，所述步骤(9)之后还包括以下步骤： (10)后期机械加工：将烧结后的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x进行研磨抛光。 作为优选方案，所述CaCO3的纯度为99.99％，所述Al2O3的纯度为99.99％，所述 TiO2的纯度为99.99％。 作为优选方案，所述圆柱体生坯的直径为12mm，高度为5mm。 本发明还提供如上任一方案所述的制备方法制得的具有优异温度稳定性的低介 电常数微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x，在微波频段下，介电常数εr为8.9～11.2，品质因数Qf 值为91350～65000GHz，谐振频率温度系数τf为-55～0.2ppm/℃。 本发明与现有技术相比，有益效果是： 本发明的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的制备方法为标准的固态反应法，方法简 单，制备所需的烧结温度为1400～1475℃，且原料成本低廉。与商业化微波介质陶瓷如Ba (Mg1/3Ta2/3)O3(高烧结温度～1600℃，Ta2O5原料价格昂贵)相比生产成本较低。 通过设计CaAl2-2xTixO4-x陶瓷的化学成分，能够稳定得到具有优异温度稳定性(τf ＝0.2ppm/℃)和低介电损耗的低介电常数微波介质陶瓷(εr＝11.2，Qf＝65000GHz)，其性 能相比于现有的CaAl2O4陶瓷(τf为–55ppm/℃)得到了明显提高。 附图说明 图1为本发明对比例1和实施例4的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的XRD图谱； 5 CN 111592348 A 说　明　书 3/7 页 图2为本发明对比例1和实施例1～4的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的最优介电常 数εr随成分变化曲线图； 图3为本发明对比例1和实施例1～4的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的最优谐振频 率温度系数τf随成分变化曲线图； 图4为本发明对比例1和实施例1～4的微波介质陶瓷CaAl2-2xTixO4-x的最优品质因 数Qf随成分变化曲线图。