技术摘要：
本申请实施例公开了一种监控参照标记形成方法及监控参照标记、三维存储器，其中，所述方法应用于三维存储器的形成过程，包括：提供一半成品的半导体，所述半导体包括衬底和沉积在所述衬底上的叠层结构；通过所述三维存储器的顶部选择栅极沟槽的形成工艺，在所述叠层结  全部
背景技术：
在三维存储器工艺中，阶梯结构的有效存储区域尺寸是毫米级的，但在经过光刻 和刻蚀工艺之后，阶梯结构的有效存储区域的关键尺寸会缩小几百纳米，相关技术中通常 会通过设置监控参照标记来监控阶梯结构的有效存储区域的关键尺寸，但对于纳米级的关 键尺寸仍然难以精准地监控。由于阶梯结构的接触点尺寸为纳米级的，且需要基于准确的 阶梯结构来形成，阶梯结构纳米级的关键尺寸的变化会导致阶梯结构的接触点错误着陆的 风险较大，因此，需要更精准地监控阶梯结构关键尺寸的变化。
技术实现要素：
有鉴于此，本申请实施例提供一种监控参照标记形成方法及监控参照标记、三维 存储器。 本申请实施例的技术方案是这样实现的： 一方面，本申请实施例提供一种监控参照标记形成方法，所述方法应用于三维存 储器的形成过程，包括： 提供一半成品的半导体，所述半导体包括衬底和沉积在所述衬底上的叠层结构； 通过所述三维存储器的顶部选择栅极沟槽的形成工艺，在所述叠层结构的顶部的 特定位置形成监控参照标记；其中，所述监控参照标记内嵌于所述叠层结构的顶部； 通过所述三维存储器的阶梯结构的形成工艺，对包含所述监控参照标记的所述叠 层结构的顶部进行刻蚀，使得所述监控参照标记在所述叠层结构的顶部凸出。 另一方面，本申请实施例提供一种监控参照标记，所述监控参照标记由上述方法 形成，用于在三维存储器的阶梯结构的形成工艺过程中对所述阶梯结构中每一阶梯层的有 效存储区域的关键尺寸进行监控。 再一方面，本申请实施例提供一种三维存储器，包括： 衬底； 沉积在所述衬底上的叠层结构； 在所述叠层结构的顶部形成的顶部选择栅极沟槽； 采用上述方法形成的监控参照标记； 在所述叠层结构上形成的阶梯结构； 其中，所述监控参照标记用于在所述阶梯结构的形成工艺过程中，对所述阶梯结 构中每一阶梯层的有效存储区域的关键尺寸进行监控。 本申请实施例提供的监控参照标记形成方法，在阶梯结构的形成工艺之前进行顶 部选择栅极沟槽的形成工艺，并在形成顶部选择栅极沟槽的过程中形成监控参照标记。由 4 CN 111584461 A 说　明　书 2/7 页 于顶部选择栅极沟槽形成工艺中，光刻胶厚度较小，光刻工艺中光罩图案的精度更高，因此 可以形成尺寸更小的监控参照标记，从而可以利用更小的监控参照标记对阶梯结构的有效 存储区域的关键尺寸进行更精准的监控，并且能够更好地控制阶梯结构的剖面。此外，由于 在阶梯结构的形成工艺之前，监控参照标记已经形成，因此，可以利用形成的监控参照标记 对第一阶梯层的有效存储区域的关键尺寸进行监控。 附图说明 图1A为通过监控参照标记对阶梯结构的有效存储区域在X方向上和Y方向上的关 键尺寸进行监控的示意图； 图1B为用于监控阶梯结构有效存储区域关键尺寸的监控参照标记的剖面示意图； 图1C为本申请实施例提供的一种监控参照标记形成方法的实现流程示意图； 图1D为通过三维存储器的顶部选择栅极沟槽的形成工艺形成的监控参照标记的 示意图； 图1E为经过第一阶梯层的形成工艺后监控参照标记的状态示意图； 图1F为经过第二阶梯层的形成工艺后监控参照标记的状态示意图； 图2为本申请实施例提供的一种监控参照标记形成方法的实现流程示意图； 图3为本申请实施例提供的一种监控参照标记形成方法的实现流程示意图； 图4为本申请实施例提供的一种监控参照标记形成方法的实现流程示意图。