技术摘要：
一种集成电路(IC)(295)包括具有半导体表面层(209)的衬底(208)，该半导体表面层包括具有互连晶体管的功能电路(180)，其上包括介电层(230)，该介电层(230)上方具有包括金属层级的金属堆叠。包括至少一种金属的薄膜电阻器(TFR)层(260a、260b)位于金属堆叠内。至少一个电容  全部
背景技术：
一些IC器件包括薄膜电阻器(TFR)。由于其薄膜形式的高电阻、相对较低的电阻温 度系数(TCR)和承载相对较高的电流密度的能力，硅铬合金(SiCr)已被用于TFR多年。TFR在 生产线后端(BEOL)处理中形成于金属堆叠内(例如，金属1(M1)和M2之间，或M2和M3之间)， 并且在下方半导体表面层的生产线前端(FEOL)处理中形成的功能电路之上。这种IC器件还 可以包括在金属堆叠内的电容器，也被称为金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。
技术实现要素：
所描述的一些方面包括一种制造具有在金属堆叠内的薄膜电阻器和电容器的IC 器件的方法。至少一个介电层沉积在衬底上的半导体表面层上，该衬底具有形成在半导体 表面层中的多个IC管芯，其中每个IC管芯包括包含多个互连晶体管的功能电路。金属层形 成在用于本文定义的MIM电容器的底板的介电层上方，以具有由电容器介电层隔开的各个 板，每个板包括至少一种金属。 至少一个电容器介电层沉积在金属层上。包含至少一种金属的TFR层沉积在电容 器介电层上。图案被形成在TFR层上。使用该图案来蚀刻TFR层，包括在电容器介电层上限定 包含TFR层的顶板，以及限定在MIM电容器的侧向上的TFR层部分以形成包含TFR层的电阻器 (在本文中被称为“TFR”)。在电容器介电层上形成图案，蚀刻电容器介电层，然后蚀刻金属 层以限定底板，从而完成MIM电容器。 附图说明 图1是流程图，其示出制造包括至少一个TFR和至少一个MIM电容器的IC的示例方 法中的步骤，其中根据一个示例方面，在单个掩模层级(level)处使用相同的TFR层来形成 TFR并且也形成MIM电容器的顶板。 图2A-图2I是横截面图，其示出形成具有至少一个TFR和至少一个MIM电容器的IC 的示例方法的处理进展，其中根据一个示例方面，使用相同的TFR层来形成TFR并用于MIM电 容器的顶板。