技术摘要：
本发明实施例提供了一种掩膜板的修复方法。本发明实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高掩膜板的精度。
背景技术：
在半导体制造过程中，光刻工艺是集成电路生产中重要的工艺步骤。在芯片制造 前，先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局，设计制作一个或多个掩膜板 (Mask)，然后，再利用光刻工艺将该光刻掩膜板上的图形转移到晶片上。 在曝光工艺中使用的用于形成光刻图形的掩膜板是通过在石英衬底上涂覆铬层 或者铝层作为遮光层，然后利用离子束刻蚀遮光层以形成相应的遮光图形而得到。掩膜板 的作用是有选择地遮挡照射到基片表面光刻胶膜上的光(例如紫外线、电子束、X射线等)， 以便形成光刻胶图案。掩膜板的质量将直接影响所形成的光刻胶图案的质量，从而影响器 件的性能和成品率。因此，掩膜板的质量尤为重要。 然而，掩膜板的精度还需要提高。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩膜板的修复方法，能够提高掩膜板的精确 度。所述方法包括： 提供掩膜板； 确定所述掩膜板上的缺陷的位置； 在所述缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积； 清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。 进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构后，所述方法还包括： 确定所述缺陷的大小。 进一步地，根据所述缺陷的尺寸确定所述堆积结构与所述缺陷的接触面积。 进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括： 当所述缺陷的尺寸小于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所 述缺陷面积的1/2的堆积结构。 进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括： 当所述缺陷的尺寸大于5微米时，在所述缺陷上形成与所述缺陷的接触面积为所 述缺陷面积的3/4的堆积结构。 进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括： 在所述缺陷上形成接触层； 在所述接触层上形成受力层； 在所述受力层上形成保护层。 进一步地，所述接触层、所述受力层和所述保护层的材料是铬。 进一步地，所述受力层为不规则形状。 3 CN 111610693 A 说　明　书 2/6 页 进一步地，所述受力层为X形。 进一步地，在所述形成保护层后，所述方法还包括： 刻蚀所述缺陷的周围区域。 进一步地，所述缺陷为粘附颗粒。 进一步地，所述清洗所述掩膜板，包括： 用去离子水超声清洗所述掩膜板。 进一步地，所述在所述缺陷上形成堆积结构，包括： 采用离子束或电子束聚焦形成所述堆积结构。 本发明实施例通过在掩膜板的缺陷上形成堆积结构，以增加缺陷体积，由此，能够 增加在清洗过程中缺陷受到的冲击力，并通过清洗所述掩膜板，以移除所述缺陷。可以提高 掩膜板的精度。 附图说明 通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和 优点将更为清楚，在附图中： 图1是掩膜板中缺陷的显微照片； 图2-图4是具有缺陷的掩膜板的显微照片； 图5是本发明实施例的掩膜板的修复方法的流程图； 图6-图19是本发明实施例的掩膜板的修复方法的各步骤形成的结构的示意图； 图20是本发明实施例的掩膜板的修复方法的超声清洗前和超声清洗后的显微照 片。