技术摘要：
本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极，并且还包括中央部和沿所述中央部的周边设置的延伸部；以及插入层，设置在所述延伸部中并位于所述第一电极和所述压电层之间，并且所述插入  全部
背景技术：
随着无线通信装置变得更紧凑，对高频组件的小型化的需求增加。作为示例，提供 了采用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器形式的滤波器。 体声波(BAW)谐振器是利用薄膜器件实现的滤波器，该薄膜器件利用通过沉积在 作为半导体基板的硅晶圆上的压电介电材料获得的压电特性引起谐振。 近来，对5G通信的兴趣已增加，并且已积极开发了可应用于候选频带的技术。 典型的声波谐振器可在用于4G的2GHz至3GHz的频带操作，但是，与典型的声波谐 振器相比，为了在小于6GHz(即，sub-6GHz，例如，4GHz至6GHz)的频带的5G通信下进行操作， 可能需要传输高功率。 因此，为了实现用于5G通信的声波谐振器，需要能够承受高功率的结构。此外，随 着功率增加，谐振器中产生的热增加，使得需要有效散热的体声波谐振器。
技术实现要素：
提供本