技术摘要：
本申请公开了一种芯片封装体的制备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。通过上述方式  全部
背景技术：
随着集成电路(Integrated  Circuit，IC)芯片的内部线路集成度的增高，芯片所 产生的热能也在不断增加。而芯片要工作，必须满足一个温度范围，在实际电路中，必须保 证芯片的温度在其可以承受的范围之内。芯片本身产生的热量，除了少部分通过底部载板 以及焊点向外散热，主要还是通过芯片表面散热的。因此，通常是在芯片表面加散热器来实 现芯片散热，散热器本身是通过热导材料与芯片进行接触，热导材料将热量传导到散热器 上，再通过散热器进行热辐射将热量耗散出去。但是热导材料的多少及热导材料与散热器 的接触是否紧密等均会影响散热效果。
技术实现要素：
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装体的制备方法，能够提高所得芯 片封装体的散热效率。 为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装体的制 备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面 相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶 圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。 其中，将芯片/晶圆与临时基板键合包括：在临时基板上形成一层粘合胶；利用粘 合胶键合芯片/晶圆与临时基板。 其中，在芯片/晶圆的背面形成散热槽包括：利用蚀刻工艺对芯片/晶圆的背面进 行刻蚀，形成散热槽。 其中，在芯片/晶圆的背面形成散热槽之前还包括：对芯片/晶圆的衬底进行减薄 处理，将芯片/晶圆的衬底减薄至200～300μm。 其中，剥离临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体包括：将带有散热槽的芯片与 封装基板键合，形成带有散热槽的芯片封装体。 其中，剥离临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体之后还包括：向散热槽中填充 导热材料。 其中，导热材料为导热硅脂。 其中，向散热槽中填充导热材料之后还包括：在带有散热槽的芯片封装体的背面 贴装散热器。 其中，剥离临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体包括：对带有散热槽的晶圆进 行切割，形成单颗的带有散热槽的芯片。 其中，临时基板为硅基基板、玻璃基板、金属基板、有机基板中的任一种。 其中，散热槽的深度为40～60μm，散热槽的宽度为20～40μm，相邻两散热槽的间距 3 CN 111554586 A 说　明　书 2/7 页 为200～500μm。 本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过将芯片/晶圆与临时基 板键合，相当于对芯片/晶圆做了临时封装，临时封装后再对芯片/晶圆进行处理制作散热 槽，能够给予芯片/晶圆一定的保护性，提高制作工艺中芯片/晶圆的稳定性，减小制作工艺 过程对芯片/晶圆带来损伤，造成不良。 附图说明 图1是本申请实施方式中一芯片的俯视结构示意图； 图2是本申请实施方式中另一芯片的剖面结构示意图； 图3是本申请实施方式中又一芯片的剖面结构示意图； 图4是本申请实施方式中晶圆的俯视结构示意图； 图5是本申请实施方式中晶圆的剖面结构示意图； 图6是本申请实施方式中一芯片封装体的剖面结构示意图； 图7是本申请实施方式中另一芯片封装体的剖面结构示意图； 图8是本申请实施方式中又一芯片封装体的剖面结构示意图； 图9是本申请实施方式中芯片封装体制备方法的流程示意图； 图10是本申请实施方式中另一芯片封装体制备方法的流程示意图； 图11是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中在晶圆上形成连接件的示意 图； 图12是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中将晶圆与临时基板键合的示 意图； 图13是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中在晶圆的背面形成散热槽的 示意图； 图14是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中剥离临时基板的示意图； 图15是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中对芯片进行封装的示意图； 图16是本申请实施方式中芯片封装体的制备方法中填充导热材料的示意图。