技术摘要：
一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法，它涉及一种多离子共掺杂的高铁电性能的铁酸铋基陶瓷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法合成的铁酸铋陶瓷相纯度差和致密化程度低，进而导致陶瓷漏电流大和铁电极化过小的问题。一种高纯高致密的A/  全部
背景技术：
铁酸铋(BiFeO3)作为目前唯一的室温单相多铁性材料，因其同时具有铁电性和反 铁磁性而受到广泛关注。理论研究表明铁酸铋的居里温度Tc约为830℃，反铁磁尼尔温度TN 约为370℃，自发极化约为100μC·cm-2，这使其成为首选的室温下可以应用的多铁性材料。 多铁性材料中的这种磁和电的相互调控作用在转换器、振荡器、存储器尤其是多态存储器 等器件上有相当好的应用前景。 但是目前铁酸铋的研究中仍然存在一定的难度，主要包括高温下相结构不稳定， 合成过程中存在杂相，漏电流大导致不能展现良好的铁电性，以及本身的G-型反铁磁结构 导致磁性能较弱，室温下不能表现出良好的磁电耦合效应。
技术实现要素：
本发明的目的是要解决现有方法合成的铁酸铋陶瓷相纯度差和致密化程度低，进 而导致陶瓷漏电流大和铁电极化过小的问题，而提供一种高纯高致密的A/B位多离子共掺 杂铁酸铋基陶瓷及其制备方法。 一种高纯高致密的A/B位多离子共掺杂铁酸铋基陶瓷的化学通式为：Bi1-xRexFe1- yByO3，其中0