技术摘要：
实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的多个第3半导体区域、第1导电部、栅极电极及第2电极。多个第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。多个第3半导体区域分别选择性地设置于多个第2半导体区域的上  全部
背景技术：
MOSFET(Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor)等的半导体装 置被用于电力变换等中。希望半导体装置的消耗电力较小。
技术实现要素：
实施方式提供能够减少消耗电力的半导体装置。 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的 多个第2半导体区域、第1导电型的多个第3半导体区域、第1导电部、栅极电极及第2电极。上 述第1半导体区域设置于上述第1电极的上方，与上述第1电极电连接。上述多个第2半导体 区域设置于上述第1半导体区域的上方。上述多个第3半导体区域分别选择性地设置于上述 多个第2半导体区域的上方。上述第1导电部隔着第1绝缘部而设置于上述第1半导体区域 中。上述栅极电极设置于上述第1导电部及上述第1绝缘部的上方，并与上述第1导电部分 离。上述栅极电极具有第1电极部分及第2电极部分。上述第1电极部分在与从上述第1电极 朝向上述第1半导体区域的第2方向垂直的第1方向上，隔着第1栅极绝缘部而与上述第1半 导体区域的一部分、上述多个第2半导体区域中的一个第2半导体区域及上述多个第3半导 体区域中的一个第3半导体区域对置。上述第2电极部分在上述第1方向上位于上述第1电极 部分与上述多个第3半导体区域中的另一个第3半导体区域之间，上述第1半导体区域中的 另一部分隔着第2栅极绝缘部而与上述多个第2半导体区域中的另一个第2半导体区域及上 述多个第3半导体区域中的上述另一个第3半导体区域对置。在上述第1电极部分与上述第2 电极部分之间，设置有包含空隙的第2绝缘部。上述第2电极设置于上述多个第2半导体区域 及上述多个第3半导体区域的上方，并与上述多个第2半导体区域、上述多个第3半导体区域 及上述第1导电部电连接。 附图说明 图1是表示实施方式的半导体装置的一部分的立体剖视图。 图2A～图4B是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序剖视图。 图5是表示将实施方式的半导体装置的栅极电极附近放大的剖视图。 图6是表示第1变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。 图7是表示第1变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。 4 CN 111613675 A 说　明　书 2/8 页 图8A～图8D是表示第1变形例的半导体装置的制造工序的剖视图。 图9是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。 图10是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。 图11是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。 图12是表示第3变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。