技术摘要：
本发明公开了一种红外焦平面器件用高密度微细铟柱阵列顶端凹点成型方法，该方法通过白宝石片上制备锡尖柱阵列工艺和芯片上制备铟柱阵列工艺，通过一定压力将锡尖柱阵列对准铟柱阵列进行挤压，芯片铟柱阵列顶端留下压痕凹点成型。该发明特点是；工艺成熟，使用新颖，很  全部
背景技术：
本发明的目的是提供一种和普通硅集成电路工艺兼容的红外焦平面器件高密度 微细铟柱阵列顶端凹点成型的制备方法，用以满足红外焦平面器件混成互连的需要。 本发明的高密度微细铟柱阵列顶端凹点成型的制备方法是通过如下技术工艺实 现的： 芯片制备；表面清洁，涂布厚光刻胶，并控制好烘箱温度把芯片烘干，经曝光和显 影，真空蒸发淀积铟层，干法剥离多余铟层，丙酮洗去先期涂布的厚光刻胶，铟柱列阵成型。 白宝石片锡尖柱制备；取厚度大于1毫米的白宝石片，按所需要的尺寸切割大小， 进行二面清洁处理，选择一面涂布厚光刻胶，并控制好烘箱温度把白宝石片烘干，经曝光和 显影，离子束溅射镀上铬和金层，真空蒸发淀积锡层，干法剥离多余的铬、金、锡层，丙酮洗 去先期涂布的厚光刻胶，锡柱列阵成型，回溶提拉锡柱列阵形变尖状。 3 CN 111584368 A 说　明　书 2/2 页 本发明最主要是白宝石片上的尖点阵列对应芯片上的铟柱阵列进行挤压，用真空 吸力再使两片分开，芯片上的铟柱顶端留下凹状，红外焦平面器件用高密度微细铟柱阵列 顶端凹点成型。 附图说明 图1为芯片工艺流程图。 图2为白宝石片工艺流程图。 图3为芯片和白宝石片元对元阵列对准剖面示意图。 图4为芯片和白宝石片元对元阵列对准挤压剖面示意图。 图5为芯片和白宝石片真空吸力拉开剖面示意图。 图6为高密度微细铟柱阵列顶端凹点成型剖面示意图。
技术实现要素：
下面结合附图对本发明的具体实施方法作详细说明： 1 .准备芯片；涂布14微米厚度的光刻胶层，光刻刻出16×16微米见方的复合铟柱 孔，热蒸发淀积约600A黄金层，用3～4克的铟真空蒸发淀积铟层，剥离多余铟层及多余金铟 合金层，铟柱端面整平，硝酸腐蚀修除铟柱茸边，去胶铟柱阵列成型(图1)。 2.准备白宝石片；取1毫米厚白宝石片切割成所需大小，二面清洁处理；选择一面 涂布厚光刻胶，限位曝光和显影，得到列阵孔径为16～18um的光刻图形；用LJX700离子束溅 射镀膜机对上述光刻好的图形填镀300～400nm金属铬层，原位镀上1um金层；用300B型高真 空镀膜机对上述白宝石片淀积15～20um锡层；用湿法剥离多余铬、金、锡层；氮气吹干；放入 180℃的回溶炉，用金属板面触碰锡层顶端直至尖状形，关闭回溶炉冷却取下(图2)。 3.芯片和白宝石片元对元阵列通过自动器件倒焊设备进行对准(图3)挤压(图4)， 下压深度控制在5～7um左右，再用真空吸力将白宝石片和芯片拉开(图5)，芯片铟柱阵列顶 端留下完整的凹点(图6)。 4 CN 111584368 A 说　明　书　附　图 1/3 页 图1 5 CN 111584368 A 说　明　书　附　图 2/3 页 图2 图3 6 CN 111584368 A 说　明　书　附　图 3/3 页 图4 图5 图6 7