技术摘要：
本文描述了具有晶体管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效  全部
背景技术：
物理上不可克隆的功能允许自动生成依赖于随机物理属性的唯一不可预测代码。 因此，即使克隆这种功能不是不可能，但是非常困难。 一方面，期望物理不可克隆功能足够鲁棒，以使它们在重复使用后或在温度变化 的情况下尤其不会随时间变化。另一方面，期望容易可标识物理属性的随机变化，以便能够 明确地区分各种数据。此外，期望物理不可克隆功能的产生不需要或仅需要很少的专用制 造步骤。 唯一不可预测代码通常包括随机数据序列，并且主要用作加密密钥。这些数据通 常是秘密的。 事实是，存在一些技术，特别是采用扫描电容显微镜(SCM)或扫描电子显微镜 (SEM)的技术，它们能够提取秘密数据，即，能够通过测量、检查和/或分析来读取数据。 对于旨在实现鲁棒的数据保留和数据可读性的常规结构尤其如此。具体地，增加 了保留和区分用于读出的数据的能力的常规技术通常还增加了提取技术的能力以区分数 据。
技术实现要素：
根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括：晶体管对集合，晶体管对集合 中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置 为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效阈值电压之间的阈值差，并且将其中所 测量的阈值差小于裕度值的晶体管对标识为不可靠的晶体管对；以及写入电路，被配置为 将不可靠的晶体管对的晶体管的有效阈值电压移位到共同随机分布内。 根据另一实施例，一种方法包括：提供晶体管对集合，其中晶体管对集合中的晶体 管的有效阈值电压根据共同随机分布而被随机分布；测量晶体管对集合中的晶体管的有效 阈值电压之间的阈值差，并且将晶体管对集合中的所测量的阈值差小于裕度值的晶体管对 标识为不可靠的晶体管对；以及将不可靠的晶体管对中的晶体管的有效阈值电压移位到共 同随机分布内。 根据又一实施例，一种集成电路包括：多个晶体管对，其中多个晶体管对中的每个 晶体管对的第一晶体管耦合至第一位线，并且多个晶体管对中的每个晶体管对的第二晶体 4 CN 111611627 A 说　明　书 2/8 页 管耦合至第二位线，并且多个晶体管对中的晶体管具有根据共同随机分布而经随机分布的 有效阈值电压；读取电路，具有耦合到第一位线的第一输入和耦合到第二位线的第二输入， 其中读取电路被配置为测量多个晶体管对中的每个晶体管对的第一晶体管和第二晶体管 之间的阈值差，并且将所测量的阈值差与预定阈值进行比较；以及写入电路，耦合至多个晶 体管对中的每个晶体管对的第一晶体管和第二晶体管的栅极，其中写入电路被配置为将每 个晶体管对的第一晶体管和第二晶体管的有效阈值电压移位，以使得所测量的阈值差大于 预定阈值并且在共同随机分布内。 附图说明 通过检查对完全非限制性实现和实施例的详细描述以及附图，本发明的其他优点 和特征将变得显而易见，在附图中： 图1A图示了存储器的阈值分布； 图1B图示了存储数据的晶体管的扫描电容显微照片SC； 图2图示了本发明的一个示例实施例； 图3图示了本发明的一个示例实施例； 图4图示了本发明的一个示例实施例； 图5图示了本发明的一个示例实施例； 图6图示了本发明的一个示例实施例； 图7图示了本发明的一个示例实施例； 图8图示了本发明的一个示例实施例； 图9图示了本发明的一个示例实现； 图10图示了本发明的一个示例实现； 图11图示了本发明的一个示例实施例。