技术摘要：
本发明公开了一种应用于电力电子变压器的DAB辅助回路及控制时序，该辅助回路包括四个依次连接的IGBT管，四个IGBT管上均反并联二极管，四个IGBT管上均并联MOS管，所述四个IGBT管构成H桥，H桥两个半桥结构的中点连接电容及高频隔离变压器，电容与高频隔离变压器的漏感构 全部
背景技术：
电力电子变压器通常采用模块化级联拓扑，该拓扑变换级数较多，所以对每一级 的功率密度要求较高。在基于H桥的SRC-DAB电路中，由于串联谐振的使用，在前一桥臂关断 过程中，谐振电流降至较低水平，但IGBT管存在拖尾电流，关断过程为小电流关断，产生关 断损耗。另外，IGBT运行中存在电荷贮存效应，后一桥臂开通过程时存在很高的电流尖刺， 从而产生很大的开通损耗。因此，亟需一种基于H桥的、能够降低桥臂切换过程中损耗的新 型DAB电路拓扑来解决上述问题。
技术实现要素：
为解决H桥电路桥臂切换中的电流尖刺带来IGBT损耗的问题，本发明提供了一种 应用于电力电子变压器的DAB辅助回路及控制时序。 本发明的技术方案是：一种应用于电力电子变压器的DAB辅助回路及控制时序，包 括IGBT管，二极管，MOS管，其中，IGBT管包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四 IGBT管，四个IGBT管依次连接，第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT管上分别 反并联有第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管，第一IGBT管、第二IGBT管、第 三IGBT管和第四IGBT管上分别并联第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，第一 IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT管构成H桥，H桥包括两个半桥结构，两个半桥 结构的中点连接电容及高频隔离变压器，电容与高频隔离变压器的漏感构成串联谐振电 路，IGBT管在谐振电流降至一定值后，开通该IGBT管的并联MOS管，MOS管完全开通后，关断 IGBT管，MOS管电流降至较小值后，关断MOS管。 优选地，所述四个IGBT管包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT 管，第一IGBT管的发射级与第二IGBT管的集电极相连，第三IGBT管的发射极和第四IGBT管 的集电极相连，所述第一IGBT管的集电极与第三IGBT管的集电极之间，第二IGBT管的发射 极与第四IGBT管的发射极之间均通过H桥直流母线相连。 优选地，所述第一IGBT管上反并联有第一二极管，第一二极管的负极与第一IGBT 管的集电极相连，第一二极管的正极与第一IGBT的发射极相连；所述第二IGBT管上反并联 有第二二极管，第二二极管的正极与第二IGBT管的发射级相连，第二二极管的负极与第二 IGBT管的集电极相连；所述第三IGBT管上反并联有第三二极管，第三二极管的正极与第三 IGBT管的发射级相连，第三二极管的负极与第三IGBT管的集电极相连；所述第四IGBT管上 反并联有第四二极管，第四二极管的正极与第四IGBT管的发射级相连，第四二极管的负极 与第四IGBT管的集电极相连。 优选地，IGBT管上均并联MOS管，所述第一IGBT管上并联有第一MOS管，第一MOS管 4 CN 111600490 A 说 明 书 2/3 页 的漏极与第一IGBT管的集电极相连，第一MOS管的源极与第一IGBT的发射极相连；所述第二 IGBT管上并联有第二MOS管，第二MOS管的源极与第二IGBT管的发射级相连，第二MOS管的漏 极与第二IGBT管的集电极相连；所述第三IGBT管上并联有第三MOS管，第三MOS管的源极与 第三IGBT管的发射级相连，第三MOS管的漏极与第三IGBT管的集电极相连；所述第四IGBT管 上并联有第四MOS管，第四MOS管的源极与第四IGBT管的发射级相连，第四MOS管的漏极与第 四IGBT管的集电极相连。 优选地，所述高频隔离变压器存在漏感，所述漏感与所述电容构成串联谐振电路， 电容一端连接至第一IGBT管的发射极和第二IGBT管的集电极之间，另一端连接至高频隔离 变压器原边一端，高频隔离变压器原边另一端连接至第三IGBT管的发射极和第四IGBT管的 集电极之间。 优选地，IGBT管在谐振电流降至一定值后，开通该IGBT管的并联MOS管，所以使用 额定电流更低的MOS管；MOS管完全开通后，关断IGBT管，该IGBT管实现零电压关断，无关断 损耗；MOS管电流降至较小值后，关断MOS管，此时MOS管为小电流关断，其关断损耗较低；由 于该H桥连接高频隔离变压器，流经变压器的电流不能突变，MOS管关断后须通过待开通的 IGBT管的反并联二极管续流，从而使待开通的IGBT管两端的电压降至零，在下一开关周期 实现零电压开通，降低开通损耗。 本发明的有益效果是：提供一种应用于电力电子变压器的DAB辅助回路及控制时 序，电容与高频隔离变压器的漏感构成串联谐振电路，IGBT管在谐振电流降至一定值后，开 通该IGBT管的并联MOS管，所以可以使用额定电流更低的MOS管。MOS管完全开通后，关断 IGBT管，该IGBT管为零电压关断，无关断损耗。MOS管电流降至较小值后，关断MOS管，此时 MOS管为小电流关断，其关断损耗较低。H桥连接高频隔离变压器，流经变压器的电流不能突 变，MOS管关断后须通过待开通的IGBT管的反并联二极管续流，从而使待开通的IGBT管两端 的电压降至零，在下一开关周期实现零电压开通，降低开通损耗。 附图说明 图1是电力电子变压器的一种拓扑图； 图2是电力电子变压器的子模组拓扑图； 图3是本发明的电力电子变压器的子模组拓扑图； 图4是本发明的电力电子变压器的子模组IGBT管、MOS管驱动开关时序图。
