技术摘要：
本发明公开了一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，属于半导体光刻技术领域。该方法针对优化配方，节约光刻胶，降低工艺成本，减少显影缺陷，具有重要意义。在涂胶工艺配方，滴胶步骤前，增加动态RRC涂覆步骤，与现有技术相比，节约了光刻胶，降低了工艺成本，在保 全部
背景技术：
随着制造半导体集成电路和器件技术不断发展和进步，半导体光刻工艺也不断地 提升。伴随着器件关键尺寸越来越小，工艺成本也不断的增加，所以降低工艺成本，减少光 刻胶用量也变得更加重要。原因包括但不限于以下几点：1.生产更小、更高密度的电路，需 要在12寸(300mm)的晶圆上多层光刻胶叠加涂覆，所需光刻胶量多，且每一层光刻胶的价格 都比较昂贵，这使得生产芯片的成本价格也越来越高；2.在生产过程中，一些光刻胶CP值较 大，旋涂时不易均匀铺开到整个晶圆表面，造成部分区域光刻胶堆积，这些堆积对后续的刻 蚀等工艺会造成严重影响；3.晶圆涂覆过程中，光刻胶存在肉眼不可见的微小气泡，这对后 续的刻蚀等工艺会造成影响。 由以上原因可知，晶圆上多层光刻胶叠加涂覆，所需光刻胶量多，且每一层光刻胶 的价格都比较昂贵，所以减少光刻胶用量是重要的。RRC作为光刻胶溶剂，在工艺涂覆过程 中(见图1)，不仅可以减少光刻胶的使用量，还可以对光刻胶进行稀释，增加光刻胶的流动 性，减少其包含的微观气泡，使其均匀涂敷在晶圆表面(见图2)，对后续的显影、刻蚀等工艺 具有明显的优化作用。 目前，在晶圆上光刻胶涂覆的工艺方法中，很少有增加动态RRC涂覆步骤的，其优 缺点在于： 涂覆过程中，无RRC涂覆步骤的优点是：1、可以节省工艺时间，相对提高产能；2、无 RRC涂覆会使得涂胶设备机械结构及控制程序相对简单，可以相对减少设备故障率，节约设 备成本。缺点是：1、需消耗的光刻胶的量相对较大，提高了生产工艺成本；2、后续的显影、刻 蚀等工艺缺陷较多，工艺良品率较低，无法满足高性能集成电路器件的需求。
技术实现要素：
为了解决现有技术中光刻胶的消耗量大，成本提高，后续工艺缺陷较多，工艺良品 率较低的问题，本发明的目的在于提供一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，通过采 用特定工艺手法并选择合适的工艺参数，在滴胶步骤前，增加动态RRC涂覆步骤，实现化学 品消耗减少，生产工艺成本降低，在保证原有标准要求的前提下，提高工艺质量，同时减少 后续显影缺陷，提高工艺良品率的目的。 为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下： 一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，该方法是针对晶圆进行光刻胶的涂 覆，具体包括如下步骤： (1)将待涂胶的12寸晶圆送入涂胶单元； (2)进行动态光刻胶稀释剂RRC涂覆；RRC涂覆时间2-10s，晶圆转速20-50rpm。 3 CN 111722473 A 说 明 书 2/3 页 (3)进行光刻胶涂覆，光刻胶消耗量为2-5ml； (4)根据对膜厚的要求调整晶圆转速； (5)晶圆在涂胶单元完成涂覆后，经机器人取出，经过烘烤，送入曝光，然后显影， 最终将已工艺完毕的晶圆传送回片盒。 步骤(2)中，动态RRC涂过程中，根据晶圆上旋涂的光刻胶的厚度、特性等确定RRC 涂覆时间。 步骤(3)中，根据晶圆上旋涂的光刻胶的厚度、特性等确定光刻胶的消耗量。 本发明的优点和有益效果如下： 1、本发明方法利用在涂胶工艺配方，滴胶步骤前增加动态RRC涂覆，大大减少了光 刻胶的使用量，降低了工艺成本，在保证原有标准要求的前提下，提高了工艺质量，同时减 少了后续显影缺陷，提高了工艺良品率。 2、工艺质量提升：RRC作为光刻胶溶剂，增加了光刻胶的流动性，溶解了光刻胶包 含的微观气泡，使光刻胶能够更加均匀的涂覆在晶圆表面，对后续的显影、刻蚀等工艺具有 明显的优化作用，使得工艺良品率提高，可以满足高性能集成电路器件的需求。 3、针对不同组分、不同厚度的光刻胶，可以通过增大或减小RRC涂覆步骤时长、RRC 供给流量、压力等参数进行调整，寻找实现最佳涂覆效果的条件(通过涂覆后光学膜厚仪测 量得到的光刻胶膜厚变化曲线观察)。 附图说明 图1为本发明工艺涂覆过程示意图。 图2为涂覆过程中，RRC与光刻胶在晶圆表面分布示意图。
本发明公开了一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，属于半导体光刻技术领域。该方法针对优化配方，节约光刻胶，降低工艺成本，减少显影缺陷，具有重要意义。在涂胶工艺配方，滴胶步骤前，增加动态RRC涂覆步骤，与现有技术相比，节约了光刻胶，降低了工艺成本，在保 全部
背景技术：
随着制造半导体集成电路和器件技术不断发展和进步，半导体光刻工艺也不断地 提升。伴随着器件关键尺寸越来越小，工艺成本也不断的增加，所以降低工艺成本，减少光 刻胶用量也变得更加重要。原因包括但不限于以下几点：1.生产更小、更高密度的电路，需 要在12寸(300mm)的晶圆上多层光刻胶叠加涂覆，所需光刻胶量多，且每一层光刻胶的价格 都比较昂贵，这使得生产芯片的成本价格也越来越高；2.在生产过程中，一些光刻胶CP值较 大，旋涂时不易均匀铺开到整个晶圆表面，造成部分区域光刻胶堆积，这些堆积对后续的刻 蚀等工艺会造成严重影响；3.晶圆涂覆过程中，光刻胶存在肉眼不可见的微小气泡，这对后 续的刻蚀等工艺会造成影响。 由以上原因可知，晶圆上多层光刻胶叠加涂覆，所需光刻胶量多，且每一层光刻胶 的价格都比较昂贵，所以减少光刻胶用量是重要的。RRC作为光刻胶溶剂，在工艺涂覆过程 中(见图1)，不仅可以减少光刻胶的使用量，还可以对光刻胶进行稀释，增加光刻胶的流动 性，减少其包含的微观气泡，使其均匀涂敷在晶圆表面(见图2)，对后续的显影、刻蚀等工艺 具有明显的优化作用。 目前，在晶圆上光刻胶涂覆的工艺方法中，很少有增加动态RRC涂覆步骤的，其优 缺点在于： 涂覆过程中，无RRC涂覆步骤的优点是：1、可以节省工艺时间，相对提高产能；2、无 RRC涂覆会使得涂胶设备机械结构及控制程序相对简单，可以相对减少设备故障率，节约设 备成本。缺点是：1、需消耗的光刻胶的量相对较大，提高了生产工艺成本；2、后续的显影、刻 蚀等工艺缺陷较多，工艺良品率较低，无法满足高性能集成电路器件的需求。
技术实现要素：
为了解决现有技术中光刻胶的消耗量大，成本提高，后续工艺缺陷较多，工艺良品 率较低的问题，本发明的目的在于提供一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，通过采 用特定工艺手法并选择合适的工艺参数，在滴胶步骤前，增加动态RRC涂覆步骤，实现化学 品消耗减少，生产工艺成本降低，在保证原有标准要求的前提下，提高工艺质量，同时减少 后续显影缺陷，提高工艺良品率的目的。 为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下： 一种晶圆上动态RRC涂覆节约光刻胶的方法，该方法是针对晶圆进行光刻胶的涂 覆，具体包括如下步骤： (1)将待涂胶的12寸晶圆送入涂胶单元； (2)进行动态光刻胶稀释剂RRC涂覆；RRC涂覆时间2-10s，晶圆转速20-50rpm。 3 CN 111722473 A 说 明 书 2/3 页 (3)进行光刻胶涂覆，光刻胶消耗量为2-5ml； (4)根据对膜厚的要求调整晶圆转速； (5)晶圆在涂胶单元完成涂覆后，经机器人取出，经过烘烤，送入曝光，然后显影， 最终将已工艺完毕的晶圆传送回片盒。 步骤(2)中，动态RRC涂过程中，根据晶圆上旋涂的光刻胶的厚度、特性等确定RRC 涂覆时间。 步骤(3)中，根据晶圆上旋涂的光刻胶的厚度、特性等确定光刻胶的消耗量。 本发明的优点和有益效果如下： 1、本发明方法利用在涂胶工艺配方，滴胶步骤前增加动态RRC涂覆，大大减少了光 刻胶的使用量，降低了工艺成本，在保证原有标准要求的前提下，提高了工艺质量，同时减 少了后续显影缺陷，提高了工艺良品率。 2、工艺质量提升：RRC作为光刻胶溶剂，增加了光刻胶的流动性，溶解了光刻胶包 含的微观气泡，使光刻胶能够更加均匀的涂覆在晶圆表面，对后续的显影、刻蚀等工艺具有 明显的优化作用，使得工艺良品率提高，可以满足高性能集成电路器件的需求。 3、针对不同组分、不同厚度的光刻胶，可以通过增大或减小RRC涂覆步骤时长、RRC 供给流量、压力等参数进行调整，寻找实现最佳涂覆效果的条件(通过涂覆后光学膜厚仪测 量得到的光刻胶膜厚变化曲线观察)。 附图说明 图1为本发明工艺涂覆过程示意图。 图2为涂覆过程中，RRC与光刻胶在晶圆表面分布示意图。
