技术摘要：
本发明一方面提供一种导电层图案化的方法。该方法包括：于一基材的表面形成导电层，所述导电层的接触角大于等于50度小于等于90度；于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；以及利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆  全部
背景技术：
目前，采用湿蚀刻图案化导电层时，存在水性蚀刻液会快速渗透在光阻层与导电 层之间的界面的现象，造成光阻层易剥落以及蚀刻宽度变大的问题。另，在制作细线且宽线 距(例如，线宽和线距各为100μm)时这个问题会更严重，使得湿蚀刻的线宽及线间距无法细 小化。
技术实现要素：
本发明一方面提供一种导电层图案化的方法，其包括以下步骤： 于一基材的表面形成导电层，所述导电层的接触角大于等于50度小于等于90度； 于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；以及 利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆 盖的部分，进而得到图案化的导电层。 本发明另一方面提供一种导电结构，其包括基材以及位于所述基材上的图案化的 导电层，所述图案化的导电层的接触角大于等于50度小于等于90度。 该导电层图案化的方法、该导电结构中，导电层的接触角大于等于50度小于等于 90度，即导电层的表面的亲水性较差，降低了水性蚀刻液在图案化的光阻层和亲水性导电 膜的介面的渗透速度，避免了导电层侧蚀的现象，进而降低了侧蚀造成的图案化的光阻层 的剥落的风险及蚀刻宽度变大的风险，有利于提高湿蚀刻的精度。 附图说明 图1为本发明一实施例提供的导电层图案化的方法的流程图。 图2为本发明一实施例提供的导电层图案化的方法的步骤S1的示意图。 图3为本发明一实施例提供的导电层图案化的方法的步骤S2的示意图。 图4为本发明一实施例提供的导电层图案化的方法的步骤S3的示意图。 图5为本发明一实施例提供的导电层图案化的方法的步骤S4的示意图。 图6为本发明另一实施例提供的导电层图案化的方法的步骤S4的示意图。 图7为本发明一实施例提供的导电结构的平面图。 主要元件符号说明 基材 10 导电层 20 亲水性导电膜 22 弱亲水性导电膜 24 图案化的光阻层 30 3 CN 111554633 A 说　明　书 2/4 页 水性蚀刻液 40 图案化的导电层 50 导电结构 100 触控电极 42 触控驱动电极 422 触控感应电极 424 第一方向 X 第二方向 Y 走线 44 如下