技术摘要：
本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄  全部
背景技术：
超导转变边沿探测器(Transition  Edge  Sensor，TES)是一类利用超导薄膜陡峭 的电阻转变边沿作为其温度计的低温超导热探测器。TES探测器有着宽探测频谱、极高的灵 敏度、极低的暗计数以及高能量分辨率与光子计数能力等优点，在X射线波段有着非色散光 谱仪中最高的分辨率。目前国际先进的TES探测器已经实现了5.9KeV能区1.6eV的分辨率。 TES的核心元件是偏置在正常态至超导态转变区间内的超导薄膜，利用其在超导转变区域 内陡峭的电阻-温度(R-T)关系来作为高灵敏的温度计来使用。 临界温度Tc、转变宽度ΔT和电阻率ρ等薄膜物性参数，直接关系到TES探测器的探 测性能，因此如何可靠地获取具有目标物性参数的超导薄膜一直是TES探测器研究的基础 和关键。目前获取具有目标临界温度Tc的主要方式是双层膜技术，其是通过近邻效应来实 现的临界温度调控。然而这种双层膜技术的可控性和稳定性较差，往往会因为薄膜沉积设 备或制备工艺中的一些随机因素而失去稳定性。因此，有必要采取一种新的物性调节技术， 从而能够稳定可靠地获取具有目标物性参数的超导薄膜。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测 器，用以克服上述