技术摘要：
本发明公开了一种应用在投影面板上的像素结构及投影面板。所述的投影面板包括基板、设置在基板上的子像素阵列、第一信号线和第二信号线；所述的第一信号线至少包括一条列数据线，所述的第二信号线至少包括一条行扫描线；所述的子像素阵列由多个像素结构排列得到。所述  全部
背景技术：
目前常用的投影面板根据技术不同可分为LCD(Liquid  Crystal  Display：液晶显 示)、DLP(Digital  Light  Processing：数字光处理)、LCOS(Liquid  Crystal  on  Silicon： 硅基液晶)三种，其中LCD发展时间最为悠久，技术也相对比较成熟，在价格和图像效果上具 有优势。 常用LCD面板中，像素点由TFT(Thin  Film  Transistor：薄膜晶体管)驱动，目前采 用的TFT多为HTPS(High  Temperature  Poly-Silicon：高温多晶硅)TFT，这种TFT不具有良 好的透光性，并且在光照条件下会产生漏电流，因此在像素结构中，通常采用遮光板将TFT 区域遮盖起来。由于部分光线被遮挡，投影亮度会下降，并且由于被遮盖的TFT区域占据了 一部分像素面积，这会带来开口率的下降。 随着投影面板分辨率的提高，面板上每个像素面积也会相应减小，但是由于晶体 管的工艺的限制，很难将晶体管进一步缩小，因此，晶体管会占据像素点相当一部分面积， 对于面积小于80um2的像素，晶体管所占面积往往大于20％。因此对于高分辨率的投影面 板，由晶体管引起的投影亮度的降低和开口率减小效果更加显著。在实际投影效果中表现 为画面出现纱窗感。
技术实现要素：
针对以上问题，本发明提供了一种应用在投影面板上的像素结构及投影面板，通 过有效利用每个像素结构的驱动晶体管面积，能够显著提高投影面板的开口率和投影亮 度。 本发明采用以下技术方案实现： 一种应用在投影面板上的像素结构，所述的像素结构设于基板上，所述的像素结 构包括：驱动晶体管、透明缓冲绝缘层、像素电极、液晶模组和对置极板；所述驱动晶体管为 透明驱动晶体管； 所述像素电极设于驱动晶体管上方，用于覆盖整个驱动晶体管；所述的像素电极 与驱动晶体管之间通过透明缓冲绝缘层进行隔绝。 上述技术方案中，进一步地，所述的透明缓冲绝缘层，其材料为Al2O3(三氧化二 铝)、AlN(氮化铝)、SiN(氮化硅)和SiO2(二氧化硅)透明绝缘材料中的一种或多种，其厚度 不小于50nm。 进一步地，所述驱动晶体管包括：自下而上依次设置在所述基板上的源极和漏极、 有源层、介电层、栅极；所述源极和漏极位于同一层，有源层与源极漏极相接，有源层通过介 电层与栅极进行隔绝；所述栅极在基板上的投影覆盖住源极和漏极之间的有源层面积。 3 CN 111552132 A 说　明　书 2/5 页 所述驱动晶体管的源极和漏极是对称结构，哪端为源极哪端为漏极由所加电压决 定，有些液晶模组可以高电平点亮，有些可以低电平点亮，因此，像素电极既可连接到晶体 管的源极也可以连接到漏极。在这里用第一电极和第二电极来代指驱动晶体管的源极和漏 极。所述的第一电极和第二电极可以为源极或漏极。 更进一步地，所述的驱动晶体管是以下结构中的一种：水平沟道型、垂直沟道型、 共平面电极型、交错电极型。 更进一步地，所述驱动晶体管的有源层的材料为金属氧化物半导体，所述的金属 氧化物半导体至少是以下氧化物中的一种：氧化锌、氧化铟、氧化铜、氧化锡，或者是由以下 两种或两种以上的元素组成的复合氧化物：锌、铟、锡、镓、钛、铝、银或铜； 所述的有源层中金属氧化物半导体可以是非晶、多晶或单晶结构。 更进一步地，所述驱动晶体管的介电层包括第一介电层和第二介电层，第一介电 层与有源层相接触，第二介电层位于第一介电层上端； 所述介电层的材料Al2O3(三氧化二铝)、AlN(氮化铝)、SiN(氮化硅)、SiO2(二氧化 硅)等透明绝缘材料中的一种，或者其他的透明介电材料，如AlN(氮化铝)。 更进一步地，所述的第一电极、第二电极和栅极为ZnO(氧化锌)、ITO(氧化铟锡)、 IZO(氧化铟锌)、AZO(掺铝氧化锌)、SnO2(二氧化锡)、In2O3(三氧化二铟)等透明导电薄膜中 的一种或多种，所述透明导电薄膜也可以为上述金属氧化物与金、铜、银、铝、锡等金属的复 合材料，如OMO(氧化物-金属-氧化物)结构。 本发明还提供一种投影面板，所述投影面板包括：基板、以及设置在所述基板上的 子像素阵列、第一信号线和第二信号线，所述的第一信号线至少包括一条列数据线，第二信 号线至少包括一条行扫描线。所述的子像素阵列中由上述的像素结构排列得到。 上述技术方案中，进一步地，所述像素结构的面积小于80um2，驱动晶体管所占面 积大于像素结构面积的20％，任意两个相邻像素电极之间的间距小于2um，针对此种类型的 像素结构，本发明产生的效益能较为明显。 上述技术方案中，进一步地，所述的第一信号线和第二信号线的材料可以是铜、金 等金属导电材料，石墨烯、ITO等透明导电氧化物薄膜，也可以是上述多种材料的复合结构； 所述金属可以是薄膜、纳米线、metal-mash(金属网格)等结构中的一种或多种； 当第一信号线和第二信号线的材料是透明导电薄膜时，由于透明导电薄膜并不会 阻挡光线，因此可以将透明导电薄膜部分拓宽，与像素驱动极板在基板上的投影产生重叠。 这样可以在不降低其开口率的情况下，尽可能降低走线电阻。 本发明的有益效果在于： 由于透明驱动晶体管具有良好的透光性，并且在光照条件下能保持性能的稳定， 因此，光线能够直接穿过晶体管，从而使整个像素点的面积都可以有效利用起来，从而提高 像素点的开口率。尤其对于高分辨率的显示面板，由于高分辨率投影面板的像素点面积往 往较小，驱动晶体管往往占据更大的像素比例，采用新型像素结构，能对投影面板开口率有 一个较大的提升。除此之外，由于新型像素结构有更大的面积通过光线，投影亮度也会有所 提升。 4 CN 111552132 A 说　明　书 3/5 页 附图说明 图1为一种新型的投影显示面板电路示意图； 图2为像素结构中所使用的晶体管剖面结构示意图； 图3为单个新型的像素点结构示意图； 图4为新型的像素点阵列示意图； 图5a为走线为金属时单个像素点结构示意图； 图5b为走线为金属时像素点阵列图； 图6a为走线为ITO时单个像素点结构示意图； 图6b为走线为ITO时像素点阵列图； 图7a为走线为ITO-金属复合结构时单个像素点结构示意图； 图7b为走线为ITO-金属复合结构时像素点阵列图； 图8为ITO-金属复合结构剖面结构示意图； 其中，1：第一信号线、11：材质为金属的第一信号线、12：材质为透明导电薄膜的第 一信号线、13：第一信号线上的金属、2：第二信号线、21：材质为金属的第二信号线、22：材质 为透明导电薄膜的第二信号线、23：第二信号线上的金属、3：驱动晶体管、31：第一电极、32： 有源层、33：第一介电层、34：第二介电层、35：第二电极、36：栅极、4：像素电极、5：通孔、51： 第一通孔、52：第二通孔、53：第三通孔、6：基板、7：像素结构、8：对置极板、9：液晶模组、10： 透明缓冲绝缘层。