技术摘要：
本发明公开了一种刻蚀装置，包括：上腔体和下腔体，其中，下腔体用于对器件进行刻蚀制程；所述上腔体包括：线圈，所述线圈用于承载交变电流，并由所述交变电流产生电磁场；诱电体，所述诱电体间隔设置于所述线圈下方，用于将所述线圈产生的电磁场传递到所述下腔体；绝  全部
背景技术：
刻蚀工艺是半导体器件制造工艺中的重要工艺之一，主要分为用化学溶液进行化 学刻蚀的湿法刻蚀和利用起头进行化学腐蚀的干法刻蚀。其中，干法刻蚀是利用腐蚀性气 体或等离子体进行刻蚀，可以实现各向异性刻蚀，使得刻蚀图案更加精细，适用于要求高精 度的精细工艺。在薄膜晶体管或有机发光二极管的制作工艺中，通常使用诱导耦合电浆模 式(Inductive  Coupled  Plasma，ICP)的干法刻蚀机进行刻蚀工艺。 然而，传统的ICP干法刻蚀机的制程腔室顶部(Top  Plate)的导热性能和机械强度 较差，其相对于制程室的其他部分的温度较低，导致制程腔室的顶部容易附着大量的制程 生成物，当生成物积累较多时会掉落至下面的基板，阻碍基板上膜层的正常刻蚀，形成刻蚀 残留(Etching  Residue)。 故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种刻蚀装置，用于改善干法刻蚀工艺中由于生成物附着而出 现的刻蚀残留的问题。 本发明提供一种刻蚀装置，包括：上腔体和下腔体，其中，下腔体用于对器件进行 刻蚀制程； 所述上腔体包括： 线圈，所述线圈用于承载交变电流，并由所述交变电流产生电磁场； 诱电体，所述诱电体间隔设置于所述线圈下方，用于将所述线圈产生的电磁场传 递到所述下腔体； 绝缘板，所述绝缘板设置于所述上腔体的底部，用于防止由所述电磁场形成的等 离子体直接接触所述诱电体，对所述诱电体造成侵蚀和发生电弧放电； 制热构件，所述制热构件设置于所述绝缘板和所述诱电体之间，用于对所述诱电 体和所述绝缘板进行控温。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述制热构件包括半导体制热片。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述半导体制热片包括至少两个N型半导体和至少 两个P型半导体，所述N型半导体和所述P型半导体分别间隔设置在第一绝缘片和第二绝缘 片之间，所述N型半导体和所述P型半导体通过金属导体相连。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述第一绝缘片和所述第二绝缘片的材料包括石墨 烯。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述制热构件包括远离所述诱电体的第一面和靠近 所述诱电体的第二面，所述第一面的宽度小于所述第二面的宽度，以增大所述制热构件与 3 CN 111584338 A 说　明　书 2/5 页 所述诱电体之间的接触面积。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述制热构件的发热温度大于130摄氏度。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述上腔体还包括： 金属骨架，所述金属骨架垂直设置于任意两个所述制热构件之间，用于支撑所述 上腔体以及将热量传递给所述绝缘板。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述下腔体包括下电极和基板台，所述下电极与底 部射频电源相连，所述基板台设置在所述下电极上。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述刻蚀装置还包括顶部射频电源，所述顶部射频 电源与所述线圈相连。 在本发明提供的刻蚀装置中，所述线圈的形状包括螺旋状。 传统的ICP干法刻蚀机的制程腔室顶部(Top  Plate)的导热性能和机械强度较差， 其相对于制程室的其他部分的温度较低，导致制程腔室的顶部容易附着大量的制程生成 物，当生成物积累较多时会掉落至下面的基板，阻碍基板上膜层的正常刻蚀。 在本发明实施例提供的刻蚀装置中，通过在绝缘板上引入制热构件，用于对绝缘 板和诱电体进行控温，避免了在刻蚀过程中由于生成物附着在绝缘板上过多时掉落至基板 上而造成的刻蚀残留的问题。 同时，本发明实施例的刻蚀装置在使用制热构件对绝缘板进行控温时，不会受到 顶部射频电源的影响，因此不会产生射频噪音，可以对制程腔实现快速、高效、实时的控温。 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下。 附图说明 图1至图3为本发明实施例提供的刻蚀装置的结构示意图； 图4为本发明实施例提供的刻蚀装置中半导体制热片的结构示意图。