技术摘要：
本发明公开了一种薄膜晶体管结构，包括基板和所述基板上的第一金属层、有源层、第二金属层；所述有源层包括:侧壁有源层，所述第一金属层为柱形结构，第一金属层的底面与基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面，所述侧壁有源层的侧面与第一金属层的侧  全部
背景技术：
近年来产商也不断发布8K显示面板以及搭载超高分辨率显示器的VR眼镜。从市场 反应来看，4K分辨率、曲面屏、超宽比已经成为消费者关注的重点，未来显示器也将会继续 朝着高分辨率化、曲面化、超宽比化发展。对于电视、或是VR，决定体验的一个重要因素就是 PPD(pixel  per  degree)，即每视野角度能感知的像素数量。一个标准视力1.0的人，最佳 PPD要达到60才能完全无屏幕颗粒感。要提升VR应用的沉浸式体验，分辨率必须达到8K以上 才能改进当前VR头显普遍存在的“纱门效应”，未来甚至进一步提升至12K、24K。因此，随着 面板高分辨率化发展，如何缩小画素以及画素背后所依靠的TFT器件尺寸成了需要攻克的 难题。
技术实现要素：
为此，需要提供一种薄膜晶体管结构及制作方法，以缩减画素背后所依靠的TFT器 件的尺寸。 为实现上述目的，发明人提供了一种薄膜晶体管结构，包括基板和所述基板上的 第一金属层、有源层、第二金属层； 所述有源层包括:侧壁有源层，所述第一金属层为柱形结构，第一金属层的底面与 基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面，所述侧壁有源层的侧面与 第一金属层的侧面之间形成有源层电通道，且通道内还设有绝缘层；侧壁有源层的顶部两 端分别连接有一第二金属层。 进一步地，还包括：缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上，所述侧壁有源层、绝缘 层置于所述缓冲层上。 进一步地，所述有源层还包括:底部有源层，所述底部有源层置于缓冲层上，所述 底部有源层平行基板上表面，且底部有源层与所述第一金属层间还设置有绝缘层；所述底 部有源层上表面连接所述侧壁有源层底部。 进一步地，还包括：钝化层，所述钝化层置于所述一种薄膜晶体管结构顶层，用于 保护TFT结构。 进一步地，还包括：第三金属层；所述第三金属层为顶部开口、内部中空的柱形结 构，且所述第三金属层套设于所述有源层外周；所述第三金属层底部与基板连接，且所述第 三金属与所述有源层间还设有绝缘层。 进一步地，所述第一金属层为多个；或者所述第一金属层为圆柱形、曲面柱形、方 柱形结构；或者所述第一金属层的顶部凸出第二金属层的上表面。 发明人提供了还一种薄膜晶体管结构的制作方法，包括步骤： 制作第一绝缘层，做第一通孔，侧壁有源层； 3 CN 111599867 A 说　明　书 2/7 页 于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金 属层； 第二绝缘层，中间第二通孔，沉积第一金属层，使得所述侧壁有源层环绕所述第一 金属层的侧面。 进一步地，所述“制作第一绝缘层，做第一通孔，侧壁有源层”包括步骤： 沉积第一绝缘层，并于所述第一绝缘层上蚀刻第一通孔； 沉积侧壁有源层于第一通孔内。 进一步地，所述“第二绝缘层，中间第二通孔，沉积第一金属层”包括步骤： 蚀刻第一绝缘层、第二绝缘层，制得第二通孔，并于第二通孔内沉积第一金属层。 进一步地，在所述“制作第一绝缘层，做第一通孔”步骤前，还包括步骤：于基板上 制作缓冲层，并与所述缓冲层上制作底部有源层。 区别于现有技术，上述技术方案提供一种薄膜晶体管结构，在本发明中提供了柱 形结构的第一金属层，以及环设于其周围的有源层。有效利用第一金属层侧表面与有源层 形成有源层导电通道，提高TFT器件反应速率与开态电流，同时缩减TFT尺寸，有利于在超高 分辨率面板中的应用。并且提供的TFT结构，在器件受到拉伸以及弯折时形变量更小，且可 以更好的分散形变产生的应力，使器件保持为稳定，利于未来制造可弯折或可拉伸面板。 附图说明 图1为