技术摘要：
实施方式提供具有两个值的保持电压的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第一面与第二面的半导体层，该半导体层具有第一导电型的第一半导体区域、设于第一半导体区域与第一面之间的第二导电型的第二半导体区域、设于第二半导体区域与第一面之间且第一导电型杂  全部
背景技术：
Electrostatic  Discharge(静电放电，ESD)是在人体与电子设备等两个物体接触 时瞬间流过电流的现象。为了保护电子器件免受ESD侵入电子设备内而产生的浪涌电流，使 用了ESD保护二极管。 ESD保护二极管例如连接在从电子设备的输入输出端子连接到保护对象器件的信 号线与地之间。在ESD从输入输出端子施加到信号线的情况下，浪涌电流的大部分经由ESD 保护二极管流到地，浪涌电流的一部分作为残留电流流到保护对象器件。 随着保护对象器件的细微化的发展，要求进一步减少流经保护对象器件的残留电 流。为了减少残留电流，需要减少ESD保护二极管的钳位电压以及动态电阻。钳位电压是浪 涌电流流过ESD保护二极管时在ESD保护二极管的两端子间产生的电压。动态电阻是浪涌电 流流过ESD保护二极管时的ESD保护二极管的两端子之间的电阻。 为了减少钳位电压，作为ESD保护二极管，使用示出负阻(snapback)特性的晶闸管 构造或者晶体管构造。特别是，具有晶闸管构造的ESD保护二极管由于进行负阻动作时的保 持电压较低，因此能够大幅减少钳位电压。保持电压是进行负阻动作时的最低电压。 但是，例如在对具有如HDMI(注册商标)端子那样能够驱动电流的输入输出端子的 器件进行保护的情况下，若保持电压过低，则担心ESD保护二极管进行闩锁动作。即，若保持 电压比信号线的信号电平低，则在ESD从输入输出端子的侵入停止且信号线的电压返回信 号电平时，担心ESD保护二极管进行闩锁动作。因此，例如根据输入输出端子的种类而要求 具有不同的保持电压的不同种类的ESD保护二极管。
技术实现要素：
本发明提供具有两个值的保持电压的半导体装置。 本发明的一方式的半导体装置具备：具有第一面与第二面的半导体层，该半导体 层具有：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设于所述第一半导 体区域与所述第一面之间；第一导电型的第三半导体区域，设于所述第二半导体区域与所 述第一面之间，且相比于所述第一半导体区域，第一导电型杂质浓度更低；以及第二导电型 的第四半导体区域，设于所述第三半导体区域与所述第一面之间，且相比于所述第二半导 体区域，第二导电型杂质浓度更高；第一电极，设于所述半导体层的所述第一面侧，与所述 第三半导体区域以及所述第四半导体区域电连接；以及第二电极，设于所述半导体层的所 4 CN 111584642 A 说　明　书 2/9 页 述第二面侧，与所述第一半导体区域电连接，不与所述第二半导体区域电连接。 附图说明 图1是第一实施方式的半导体装置的示意剖面图。 图2是第一实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。 图3是第一实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。 图4是第二实施方式的半导体装置的示意剖面图。 图5是第三实施方式的半导体装置的示意剖面图。 图6是第四实施方式的半导体装置的示意剖面图。