技术摘要：
本发明涉及量子点技术领域，尤其是涉及一种量子点的后处理方法、制备方法及制得的量子点和应用。量子点的后处理方法，包括如下步骤：量子点溶液与吸附载体混合加热搅拌处理后，分离除去所述吸附载体；其中，所述吸附载体包括微球。本发明将量子点溶液，与特定吸附载体  全部
背景技术：
由于量子点的晶粒尺寸与其半导体材料的Bohr半径相当，量子限域效应明显，电 子在晶粒内的输运局域性和相干性显著增强，易与空穴束缚形成激子，能级结构也由体材 料的准连续状态变成分立状态，随着晶粒尺寸减小，电子与空穴波函数交叠程度增加，带隙 变宽，激子复合激发的光谱发生蓝移，通过对量子点的组分和尺寸进行准确调控，可实现激 发光谱定向调整。 量子点发光因此具有颜色纯度高，发光波长可调，发光效率高等特点，并且易于通 过溶液方法制备，使得量子点在普通照明和显示背光中具有广阔的应用前景。现在对于含 镉量子点的合成过程的研究相对比较透彻和深入，能够调控合成过程得到半高宽小的量子 点。但是由于镉元素的毒性会对环境造成潜在危害，因而需要研究开发不含镉的量子点，如 CIS、InP。 目前对于无镉量子点的合成过程的研究不如含镉量子点的成熟，合成得到的无镉 量子点的尺寸分散性较大，导致无镉量子点的发光光谱半高宽较大，使其发光特性与含镉 量子点相比还存在较大差距，。有镉量子点发光光谱半高宽能够达到20nm～30nm，但无镉量 子点发光光谱半高宽通常为40nm～50nm。 有鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：
本发明的第一目的在于提供量子点的后处理方法，以解决现有技术中存在的量子 点发光光谱半高宽较大的技术问题。 本发明的第二目的在于提供量子点的制备方法，包括特定的后处理方法，能够使 制备得到的量子点尺寸具有低分散性，具有较小的半高宽。 本发明的第三目的在于提供制备得到的量子点，该量子点尺寸分散性小，具有较 小的半高宽。 本发明的第四目的在于提供了采用上述量子点制备的量子点发光器件。 为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案： 量子点的后处理方法，包括如下步骤： 量子点溶液与吸附载体混合加热搅拌处理后，分离除去所述吸附载体； 其中，所述吸附载体包括微球。 量子点合成后，由于量子点尺寸分布具有分散性，不同大小的量子点发光波长有 差异，导致发光光谱变宽。合成的量子点尺寸分散性越大，量子点发光光谱半高宽越大。 本发明将合成得到的量子点溶液，与特定吸附载体混合，吸附载体在加热条件下 3 CN 111548784 A 说　明　书 2/5 页 能够膨胀，在吸附载体上产生孔洞，能够对合成得到的量子点溶液中符合孔洞尺寸大小的 量子点进行吸附，分离除去吸附载体能够将吸附的量子点一并去除，从而使剩余的量子点 溶液中的量子点的尺寸分散度更集中，减小了量子点的发光光谱半高宽。 在本发明的