技术摘要：
本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止  全部
背景技术：
蓝宝石衬底的介电常数很高，使得蓝宝石上制备石墨烯后可以应用于高性能的单 片式微波集成电路(Monolithic  Microwave  Integrated  Circuit，MMIC)芯片的研制。但是 蓝宝石非常难以加工，尤其通孔的制备工艺。现有技术中在制备通孔时，通常在芯片正面工 艺完成之后，在芯片的背面电镀较厚的金属阻挡层，然后采用干法刻蚀工艺将通孔处的蓝 宝石刻蚀掉，得到通孔。然而现有技术制备通孔时，需要电镀较厚的阻挡层，操作比较复杂， 且干法刻蚀容易对芯片造成额外的损伤。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备 方法，旨在解决现有技术中制备通孔时，需要电镀较厚的阻挡层，操作比较复杂，且干法刻 蚀容易对芯片造成额外的损伤的问题。 为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC 芯片上通孔的制备方法，包括： 在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，所述刻蚀阻止层采用的刻蚀阻止材料不吸 收预设波长的激光； 采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打 通，制备通孔； 在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所 述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，获得通孔。 在一实施例中，在所述获得通孔后，还包括： 在所述通孔的孔壁上以及所述蓝宝石衬底的背面电镀金属，以实现通孔接地。 在一实施例中，所述在所述通孔的孔壁上以及所述蓝宝石衬底的背面电镀金属， 包括： 在所述通孔的孔壁上以及所述蓝宝石衬底的背面溅射一层第一金属； 将溅射第一金属后的MMIC芯片放置到电镀液中，将MMIC芯片的所述通孔的孔壁上 以及所述蓝宝石衬底的背面电镀第二金属。 在一实施例中，所述第一金属为钛或铜。 在一实施例中，所述电镀液为保护所述第二金属的阳离子的溶液。 在一实施例中，所述第二金属为铜或金。 在一实施例中，所述通孔的孔壁上以及所述蓝宝石衬底的背面电镀的金属的厚度 为20微米。 3 CN 111599747 A 说　明　书 2/4 页 在一实施例中，所述刻蚀阻止材料为二氧化硅或钨。 在一实施例中，所述激光的波长为355纳米。 在一实施例中，所述将所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，包括： 采用湿法刻蚀方式将所述通孔对应的刻蚀阻止层去除。 本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：与现有技术相比，本发明通过 在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预 设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完 成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，制备完成 通孔，这样制备通孔的方法对正面工艺制备的介质层或者器件等不会造成破坏，且制备工 艺简单。 附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。 图1是本发明实施例提供的蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法的实 现流程示意图； 图2是本发明实施例提供的蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备的步骤示 意图； 图3是本发明另一实施例提供的蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法 的示意图。