技术摘要：
提供一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第一发射部分，设置在第一电极上；第二电极，设置在第一发射部分上；以及盖层，设置在第二电极上并且包括金属原子和金属卤化物化合物，其中，金属原子是镧系金属、过渡金属或后过渡金属，金属卤化物化合物通过碱金属原  全部
背景技术：
正在积极地进行作为图像显示装置的自发光显示装置的开发。与液晶显示装置不 同，包括自发光器件的显示装置是其中由第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层 中复合并且发射层中包含的发光材料发光以表示要显示的图像的显示装置。另一方面，正 在进行为提高显示装置的光提取效率的各种研究。
技术实现要素：
本公开的实施例的方面涉及一种可以在高温和/或高湿环境下保持高可靠性的发 光器件，以及一种包括该发光器件的显示装置。 本公开的实施例的方面涉及一种具有高的光提取效率的发光器件，以及一种包括 该发光器件的显示装置。 本公开的实施例提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第一发射部 分；第二电极；以及盖层。第一发射部分可以设置在第一电极上。第二电极可以设置在第一 发射部分上。盖层可以设置在第二电极上。盖层可以包括金属原子和金属卤化物化合物。金 属原子可以包含镧系金属、过渡金属和后过渡金属中的至少一种。金属卤化物化合物可以 通过碱金属原子与卤素原子结合而形成。盖层可以不包括有机化合物(或者可以不是有机 层)。卤素原子可以包含Cl、Br和I中的至少一种。金属卤化物化合物可以包含LiI、NaI、KI、 RbI和CsI中的至少一种。金属原子和金属卤化物化合物可以彼此结合以形成三元化合物。 三元化合物可以由下面的式1表示： [式1] XnYmZq 在上面的式1中，X和Y可以均独立地是碱金属、过渡金属或后过渡金属。Z可以是卤 素原子。n、m和q可以均独立地是1至5的整数。 在式1中，X可以是碱金属。Y可以是过渡金属或后过渡金属。n和m可以均是1。q可以 是3。 盖层可以包括KYbI3、RbYbI3、CsYbI3、NaYbI3、LiYbI3、RbSmI3、CsSmI3、KSmI3、NaSmI3 和LiSmI3中的至少一种。 发光器件还可以包括辅助盖层。辅助盖层可以设置在盖层上。辅助盖层可以在折 3 CN 111584733 A 说　明　书 2/14 页 射率上与盖层不同。辅助盖层可以包括有机化合物(或者可以是有机层)，并且可以不包括 金属原子和金属卤化物化合物。辅助盖层可以包括金属原子和金属卤化物化合物，并且可 以不包括有机化合物(或者可以不是有机层)。发光器件还可以包括薄膜封装层。薄膜封装 层可以直接设置在盖层上。 第一发射部分可以包括发射层。发射层可以是包括有机化合物的有机发射层。发 射层可以是包括量子点的量子点发射层。 发光器件还可以包括第二发射部分。第二发射部分可以设置在第一发射部分与第 二电极之间。第一发射部分可以包括第一空穴传输区域、第一发射层和第一电子传输区域。 第一发射层可以设置在第一空穴传输区域上。第一电子传输区域可以设置在第一发射层 上。第二发射部分可以包括第二空穴传输区域、第二发射层和第二电子传输区域。第二发射 层可以设置在第二空穴传输区域上。第二电子传输区域可以设置在第二发射层上。盖层可 以在280nm-780nm的波长范围内具有1.4-2.0的折射率。 在本公开的实施例中，发光器件可以包括：第一电极；空穴传输区域；发射层；电子 传输区域；第二电极；以及盖层。空穴传输区域可以设置在第一电极上。发射层可以设置在 空穴传输区域上。电子传输区域可以设置在发射层上。第二电极可以设置在电子传输区域 上。盖层可以设置在第二电极上。盖层可以由金属原子和金属卤化物化合物形成(或者可以 包括金属原子和金属卤化物化合物)。金属原子可以包含镧系金属、过渡金属和后过渡金属 中的至少一种。金属卤化物化合物可以通过碱金属原子与卤素原子结合而形成。金属原子 可以包含Eu、Sm和Yb中的至少一种。金属卤化物化合物可以通过碱金属原子与碘原子结合 而形成。 在本公开的实施例中，显示装置可以包括：薄膜晶体管；以及发光器件。发光器件 可以设置在薄膜晶体管上。发光器件可以包括第一电极、空穴传输区域、发射层、电子传输 区域、第二电极和盖层。空穴传输区域可以设置在第一电极上。发射层可以设置在空穴传输 区域上。电子传输区域可以设置在发射层上。第二电极可以设置在电子传输区域上。盖层可 以设置在第二电极上。盖层可以包括金属原子和金属卤化物化合物。金属原子可以包含镧 系金属、过渡金属和后过渡金属中的至少一种。金属卤化物化合物可以通过碱金属原子与 卤素原子结合而形成。金属原子可以包含Eu、Sm和Yb中的至少一种。金属卤化物化合物可以 包含LiI、NaI、KI、RbI和CsI中的至少一种。盖层可以包括KYbI3、RbYbI3、CsYbI3、NaYbI3、 LiYbI3、RbSmI3、CsSmI3、KSmI3、NaSmI3和LiSmI3中的至少一种。 附图说明 附图被包括以提供对发明构思的进一步的理解，并且附图并入本说明书中并构成 本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构 思的原理。在附图中： 图1是根据本公开的实施例的发光器件的剖视图； 图2是根据本公开的实施例的发光器件的剖视图； 图3是根据本公开的实施例的发光器件的剖视图； 图4是根据本公开的实施例的显示装置(发光器件)的透视图； 图5是根据实施例的显示装置的局部剖视图； 4 CN 111584733 A 说　明　书 3/14 页 图6是根据实施例的显示装置的局部剖视图； 图7是用于制造根据实施例的发光器件的方法的示意性流程图；以及 图8是示出根据实施例的盖层的折射率的曲线图。