技术摘要：
一种用于存储器件的编程方法，其包括：同时开始对第一平面和第二平面进行编程；以及当第一平面已经被成功编程并且第二平面还没有被成功编程时，绕过第一平面并且保持对第二平面的编程。
背景技术：
最近，半导体存储器领域受到越来越多的关注。半导体存储器可以是易失性的或 非易失性的。非易失性半导体存储器件即使在未通电的情况下也能够保持数据，因此已经 广泛用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备 中。 根据存储器阵列的结构上的配置，存储器件可以分类为单平面型和多平面型。单 平面型存储器件包括布置在单个平面中的存储器阵列，多平面型存储器件包括布置在多个 平面中的存储器阵列。当对多平面型存储器件进行编程时，两个或更多平面可以根据多平 面编程方案同时被编程和被验证，以提高编程效率。然而，当多平面型存储器件包含缺陷平 面(或劣化平面)时，正常平面和缺陷平面(或劣化平面)二者都将被重复地编程以试图将数 据编程到缺陷平面(或劣化平面)中，这降低了编程速度，降低了编程效率，并且导致正常平 面中的编程干扰。 因此，需要提供一种存储器件及其编程方法，该存储器件及其编程方法绕过某些 平面例如正常平面，以使得正常平面不会遭受不必要的编程脉冲的编程压力。
技术实现要素：
因此，本发明的目的是提供一种存储器件和相关的编程方法，以消除编程干扰。 本发明公开了一种用于存储器件的编程方法。该编程方法包括：同时开始对第一 平面和第二平面进行编程；以及当第一平面已经被成功编程并且第二平面还没有被成功编 程时，绕过第一平面并且保持对第二平面的编程。 本发明还公开了一种存储器件。该存储器件包括第一平面、第二平面和控制电路。 该控制电路被配置为根据所述编程方法控制第一平面和第二平面。该编程方法包括：同时 开始对第一平面和第二平面进行编程；以及当第一平面已经被成功编程并且第二平面还没 有被成功编程时，绕过第一平面并且保持对第二平面的编程。 在阅读了在各种附图中示出的优选实施例的以下详细描述之后，本发明的这些和 其它目的对于本领域普通技术人员来说无疑将变得显而易见。 附图说明 图1是根据本发明的实施例的存储器件的框图。 图2是图1中所示出的存储器件的平面的示意图。 图3是根据本发明的实施例的对图1中所示出的存储器件进行编程的编程方法的 流程图。 5 CN 111615731 A 说　明　书 2/7 页 图4是示出了根据本发明的实施例的编程电压的波形的示意图。 图5是根据本发明的实施例的对图1中所示出的存储器件进行编程的编程方法的 流程图。 图6是根据本发明的实施例的图1中所示出的控制电路中的所选定电路的示意图。