技术摘要：
根据一实施例的光刻用护膜膜，其中，包括：具有第一厚度的第一膜以及位于所述第一膜上并具有第二厚度的第二膜，所述第一厚度和所述第二厚度互不相同，所述第一厚度以及所述第二厚度之差在所述第一厚度的5％以内，所述第一膜的透射率曲线以及所述第二膜的透射率曲线具有  全部
背景技术：
作为在制造半导体装置或者显示基板时使 用的工艺 ，包括光刻工艺 (lithography)。在光刻工艺中，通过形成有想要转印的图案的光掩模(photo-mask)而在半 导体装置或者显示基板进行曝光工序。此时，在光掩模可以附着有包括透明的护膜膜的护 膜，以用于防止由于图案的损伤或者灰尘等异物而造成的污染。
技术实现要素：
本发明的实施例旨在提供一种如下的光刻用护膜：将护膜膜层叠为双重膜，从而 使两层膜的透射率曲线相消而使透射率变得均匀，据此可以减少工艺散布。 根据一实施例的护膜膜，其中，包括：具有第一厚度的第一膜以及位于所述第一膜 上并具有第二厚度的第二膜，所述第一厚度和所述第二厚度互不相同，所述第一厚度以及 所述第二厚度之差在所述第一厚度的5％以内，所述第一膜的透射率曲线以及所述第二膜 的透射率曲线具有170度至190度的相位差。 所述第一膜包括的第一物质和所述第二膜包括的第二物质可以相同。 在所述第一膜和所述第二膜之间可以布置有分离膜。 所述分离膜的厚度为所述第一膜的厚度或者所述第二膜的厚度的5％以内。 所述第一厚度可以为1.5μm至3.0μm。 在所述第一膜的透射率曲线在从曝光源供应的光的波长所包括的第一波段中具 有第一透射率散布时，透射率散布可以为所述第一透射率散布的35％以下，其中，所述透射 率散布是在所述第一波段中透射率的最大值和最小值之差。 所述第一波段可以具有大约350nm至380nm的波长。 所述透射率散布相对于整体透射率可以为2.7％以下。 所述第一物质以及所述第二物质可以为乙酸丁酸纤维素(CAB：cellulose  acetate  butyrate)。 在所述第二膜的上部或者所述第一膜的下部布置有防反射膜，所述防反射膜可以 包括氟(F)。 所述第一膜包括的第一物质和所述第二膜包括的第二物质可以互不相同。 根据一实施例的护膜膜，其中，包括：具有第一厚度的第一膜以及位于所述第一膜 上并具有第二厚度的第二膜，所述第一膜包括的第一物质和所述第二膜包括的第二物质互 不相同，所述第一厚度以及所述第二厚度之差在所述第一厚度的1％以内，所述第一膜的透 射率曲线以及所述第二膜的透射率曲线具有170度至190度的相位差。 所述第一物质可以是乙酸丁酸纤维素(CAB：cellulose  acetate  butyrate)。 所述第二物质可以是乙酸丙酸纤维素(CAP：cellulose  acetate  propionate)。 3 CN 111610692 A 说　明　书 2/11 页 所述第一厚度可以为1.5μm至3.0μm。 所述第一膜的透射率曲线在从曝光源供应的光的波长所包括的第一波段具有第 一透射率散布时，透射率散布可以为所述第一透射率散布的35％以下，其中，所述透射率散 布是在所述第一波段中透射率的最大值和最小值之差。 所述第一波段可以具有大约350nm至380nm的波长。 所述透射率散布相对于整体透射率可以为2.7％以下。 在所述第二膜的上部或者所述第一膜的下部布置有防反射膜，所述防反射膜可以 包括氟(F)。 在所述第一膜和所述第二膜之间可以布置有分离膜。 根据本发明的实施例，由于护膜膜包括具有互不相同的透射特性的两层膜，从而 使两层膜的透射率曲线被相消，因此能够使透射率变得均匀，据此可以提高图案化的精密 度以及分辨率，并且减少工艺散布而改善设备品质。 附图说明 图1是示出贴附有根据一实施例的护膜膜的光掩模的剖面图。 图2是示出贴附有根据一实施例的护膜膜的光掩模的立体图。 图3是示出根据一实施例的护膜膜的剖面图。 图4是示出根据一实施例的护膜膜的基于波长而变化的透射率曲线的曲线图。 图5是示出基于护膜膜的厚度而变化的在特定波段下的波长周期的曲线图。 图6是示出根据一实施例的护膜膜的透射率曲线的曲线图。 图7以及图8是示出反映根据一实施例的护膜膜的厚度散布的透射率曲线的曲线 图。 图9至图11分别是示出根据不同实施例的护膜膜的剖面图。 符号说明 10：基板                         20：图案膜 21：图案                         30：护膜 31：护膜框架                     300：护膜膜 M1：第一膜                       M2、N1：第二膜 310：分离膜                      330：防反射膜 40：粘结层