技术摘要：
本发明的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。将生长衬底附连到半导体结构。生长衬底具有至少一个成角侧壁。反射层布置在成角侧壁上。从半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的第一表面提取的。
背景技术：
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和 边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可获得的最高效的光源之一。当前在能够跨可见 光谱操作的高亮度发光器件的制造中感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是还被 称为III氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地，通过借由金属有机 化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或 其它合适衬底上外延生长具有不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制作III氮化物 发光器件。堆叠通常包括在衬底之上形成的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、在一个或多 个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区之上形成的掺杂有例如 Mg的一个或多个p型层。电气接触件形成在n和p型区上。 仅从通常称为“顶”表面的表面发射光的LED（即其中来自LED的侧表面的光发射大 幅减少或消除的器件）通常通过在生长衬底上生长LED半导体结构，将半导体结构附连到底 座，然后移除生长衬底来形成。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种器件，其从器件的顶表面发射大部分光，而不要求移除 生长衬底。 本发明的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。生 长衬底附连到半导体结构。生长衬底具有至少一个成角侧壁。反射层布置在成角侧壁上。从 半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的顶表面提取的。 本发明的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。具 有小于150微米厚度的生长衬底附连到半导体结构。反射层布置在生长衬底的侧壁和半导 体结构的侧壁上。从半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的顶表面提取 的。 根据本发明的实施例的一种方法包括将多个半导体发光器件附连到载体。反射材 料布置在半导体发光器件之间的区域中。使两个相邻的半导体发光器件分离。分离包括切 割反射材料。 附图说明 图1图示了III氮化物LED的一个示例。 3 CN 111613708 A 说　明　书 2/6 页 图2图示了附连到临时载体的LED的晶片。 图3图示了在形成生长衬底中的槽之后的图2的结构。 图4图示了在将波长转换构件附连到LED之后的图3的结构。 图5图示了在利用反射材料填充LED之间的区域之后的图4的结构。 图6图示了在使LED分离之后的图5的结构。 图7图示了附连到临时载体的LED。 图8图示了在将波长转换构件附连到LED之后的图7的结构。 图9图示了在利用反射材料填充LED之间的区域之后的图8的结构。 图10图示了在利用反射材料填充LED之间的区域之后的图7的结构。 图11图示了在形成LED之上的波长转换层之后的图10的结构。 图12图示了附连到临时载体的波长转换构件。 图13图示了在将LED附连到波长转换构件之后的图12的结构。 图14图示了在利用反射材料填充LED之间的区域之后的图13的结构。 图15图示了具有附连到临时载体的大体保形波长转换层的LED。 图16图示了在利用反射材料填充LED之间的区域之后的图15的结构。 图17图示了具有附连到临时载体的LED的顶部之上所形成的掩模层的LED。 图18图示了在形成反射层之后的图17的结构。 图19图示了在移除掩模层之后的图18的结构。 图20图示了在形成结构之上的波长转换层之后的图19的结构。