技术摘要：
本发明公开了一种检测金属层脱落的方法，包括：提供假片；于所述假片背面淀积金属层；于所述金属层上选定若干个测试区域；于所述金属层表面形成拉力测试结构，所述拉力测试结构覆盖所述测试区域；基于所述拉力测试结构检测所述金属层的脱落情况。本发明的检测金属层脱 全部
背景技术：
随着半导体工艺的发展，VDOMS(vertical-double-diffusion power MOSFET，垂 直双扩散功率场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型 晶体管)、SBD(Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管)、氮化镓GaN以及碳化硅SiC等 宽禁带器件均需生长背金(Backside Metal)，即在晶片背面淀积金属，从内到外通常是TI/ NI/AG。背金在VDMOS器件结构中作“漏(Drain)”，在SBD器件结构中作“阴极(Cathode)”。现 如今通过蒸发或溅射两种工艺方式淀积金属层，而背金在后续的划片(Die Saw)、键合 (Bonding)等制造过程中脱落(Peeling)或因后续保存不当导致器件甚至整个晶圆无法正 常使用。淀积的多层金属层，通常最外层金属层脱落，偶尔出现极端情况即多层金属层一起 脱落。因此，背金工艺急需一个快速、简捷、有效的方法来判断蒸发或溅射的背面金属是否 牢靠、是否会脱落。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种检测金属层脱落的方法，能够快速、简捷、有效地检测 晶圆背面金属是否脱落，满足生产需求，达到监控的作用。 为达到上述目的，本发明提供如下技术方案： 一种检测金属层脱落的方法，包括： 提供假片； 于所述假片背面淀积金属层； 于所述金属层上选定若干个测试区域； 于所述金属层表面形成拉力测试结构，所述拉力测试结构覆盖所述测试区域；基 于所述拉力测试结构检测所述金属层的脱落情况。 在其中一个实施例中，所述拉力测试结构包括胶带。 在其中一个实施例中，于所述金属层上选定若干个测试区域包括： 选择若干个区域； 于选定的若干个区域内的所述金属层内形成若干划痕，以形成所述测试区域。 进一步地，基于所述拉力测试结构检测所述金属层的脱落情况包括：将所述胶带 从所述金属层上撕下，检测所述胶带上是否有金属脱落。 在其中一个实施例中，所述拉力测试结构包括焊料层及与所述焊料层连接的金属 线；所述焊料层覆盖所述测试区域。 进一步地，形成所述金属层之后且于所述金属层表面形成所述拉力测试结构之前 还包括：将背面形成有所述金属层的所述假片进行烘烤，烘烤温度为120～150℃，烘烤时间 3 CN 111584381 A 说 明 书 2/7 页 为30～50分钟。 在其中一个实施例中，基于所述拉力测试结构检测所述金属层的脱落情况包括： 使用弹力装置拉所述拉力测试结构； 判断预设压力条件下所述拉力测试结构能否被从所述金属层上拉开，若能，则判 定所述金属层有脱落；若不能，则判定所述金属层未脱落。 进一步地，所述预设压力包括3千克力～10千克力。 在其中一个实施例中，于所述金属层上选定若干个测试区域之前还包括对背面形 成有所述金属层的所述假片进行电性测试，根据得到的电压曲线判断所述金属层的脱落情 况。 进一步地，根据得到的电压曲线判断所述金属层的脱落情况包括：检测电压曲线 是否有波动，若所述电压曲线有波动则判断所述金属层有脱落。 上述实施例提供的一种检测金属层脱落的方法，包括：提供假片；于所述假片背面 淀积金属层；于所述金属层上选定若干个测试区域；于所述金属层表面形成拉力测试结构， 所述拉力测试结构覆盖所述测试区域；基于所述拉力测试结构检测所述金属层的脱落情 况。该检测方法可以快捷、简便、有效地判断晶圆的金属层是否牢靠、是否会脱落，规避背金 在后续划片、键合以及取片等制造过程中脱落而导致晶圆无法正常使用的损失，降低材料 的浪费，节约生产成本，提高生产效率。 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 附图说明 为了更好地描述和说明这里公开的那些发明的实施例和/或示例，可以参考一幅 或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的发明、目前描述 的实施例和/或示例以及目前理解的这些发明的最佳模式中的任何一者的范围的限制。 图1为本发明的一实施例中提供的一种检测金属层脱落的方法的流程示意图； 图2为本发明的一实施例中提供的一种测试区域形成划痕后的结构示意图； 图3为本发明的一实施例中提供的在金属层形成胶带后的结构示意图； 图4为本发明的另一实施例中提供的在金属层表面形成焊料层及金属线后的结构 示意图。 附图标记说明：100-假片；200-金属层；300-划痕；400-胶带；501-焊料层；502-金 属线
