技术摘要：
一实施方式提供一种能够使差动放大电路的动作电压范围宽域化的半导体装置及存储器系统。根据一实施方式，在半导体装置的第1差动放大电路中，第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连  全部
背景技术：
在包括用构成差动对的一对晶体管分别接受输入信号及参照信号的差动放大电 路的半导体装置中，使用电源电压将输入信号及参照信号的差放大而生成差信号。此时，希 望使差动放大电路的动作电压范围宽域化。
技术实现要素：
本发明提供一种能够使差动放大电路的动作电压范围宽域化的半导体装置及存 储器系统。 根据一技术方案，提供一种具有第1差动放大电路的半导体装置。第1差动放大电 路具有第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第4晶体管、第5晶体管、第6晶体管和第1放电电 路。第1晶体管用栅极接受输入信号。第2晶体管和第1晶体管构成差动对。第2晶体管用栅极 接受参照信号。第3晶体管与第1晶体管串联地连接。第4晶体管与第2晶体管串联地连接。第 5晶体管配设在输出侧。第5晶体管和第4晶体管形成第1电流反射镜电路。第6晶体管与第4 晶体管并联地连接于第2晶体管的漏极。第6晶体管和第5晶体管形成第2电流反射镜电路。 第1放电电路连接在第6晶体管的源极上。 附图说明 图1是表示有关第1实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图2是表示有关第2实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图3是表示有关第3实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图4是表示有关第4实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图5是表示有关第4实施方式的变形例的半导体装置的结构的电路图。 图6是表示有关第5实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图7是表示有关第5实施方式的变形例的半导体装置的结构的电路图。 图8是表示有关第6实施方式的半导体装置的结构的电路图。 图9是表示能够应用有关第1实施方式～第6实施方式及它们的变形例的半导体装 置的存储器系统的结构的电路图。