技术摘要：
本发明提供一种抑制Dy含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。该R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备至少含有R、B、Ga和T的R－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R：27.0质量％以上35.0质量％以下、B：0.80质量％以上0.93质量％以下、Ga：0.15质量％ 全部
背景技术：
以R2T14B型化合物为主相的R－T－B系烧结磁体(R为稀土元素，含有选自Nd、Pr和 Ce中的至少1种；T为Fe或者Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)作为永久磁铁中最高性能的磁 铁所周知，在混合动力汽车用、电动汽车用以及家电制品用的各种电动机等中使用。 R－T－B系烧结磁体在高温下矫顽力HcJ(下文中有时简称为“HcJ”)降低，发生不可 逆热退磁。因此，特别是在混合动力汽车用、电动汽车用电动机中使用时，需求在高温下也 维持高的HcJ。 为了提高HcJ，目前采取了向R－T－B系烧结磁体中添加重稀土元素RH(主要为Dy)， 但存在剩余磁通密度Br(下文中有时简称为“Br”)降低的问题。因此，近年来，采用使重稀土 元素从R－T－B系烧结磁体的表面扩散至内部，使重稀土元素在主相晶粒的外壳部浓化，从 而抑制Br降低并且得到高HcJ的方法。 但是，因Dy的产地有限等原因，存在供给不稳定、并且价格发生大幅度变动的问 题。因此，需要尽可能不使用Dy等重稀土元素RH也能够提高R－T－B系烧结磁体的HcJ的技 术。 专利文献1中记载了一种技术，其通过与一般的R－T－B系烧结磁体相比降低B的 含量，并且含有选自Al、Ga和Cu中的1种以上的金属元素M来生成R2T17相，充分确保以该R2T17 相为原料生成的富过渡金属相(R6T13M)的体积率，由此能够抑制Dy的含量，并且得到矫顽力 高的R－T－B系烧结磁体。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：国际公开第2013/008756号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术问题 对于如专利文献1中记载的Dy的含量少的R－T－B系烧结磁体，对进一步提高磁特 性进行探索。本发明的目的在于提供一种抑制Dy的含量并且具有高Br和高HcJ的R－T－B系 烧结磁体的制造方法。 用于解决技术问题的技术方案 本发明的方式1为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括： 准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序，该R－T－B系烧结磁体原材料至少含有R、 B、Ga和T， R：27.0质量％以上35.0质量％以下，其中，R为稀土元素，含有选自Nd、Pr和Ce中的 至少1种； 3 CN 111724985 A 说 明 书 2/8 页 B：0.80质量％以上0.93质量％以下； Ga：0.15质量％以上1.0质量％以下； T：61.5质量％以上70.0质量％以下(T为Fe或者Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)， 并且，上述R－T－B系烧结磁体原材料满足下述式(1)： 14[B]/10.8＜[T]/55.85(1)， ([B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T的含量)；和 热处理工序，将上述R－T－B系烧结磁体原材料在400℃以上600℃以下的热处理 温度保持10秒以上且小于30分钟的保持时间，进行热处理。 本发明的方式2为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，上述热处理工序中 的上述保持时间为10秒以上10分钟以下。 本发明的方式3为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，上述热处理工序中 的上述保持时间为10秒以上3分钟以下。 发明的效果 根据本发明的制造方法，能够提供一种抑制Dy的含量并且具有高Br和高HcJ的R－ T－B系烧结磁体的制造方法。
本发明提供一种抑制Dy含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。该R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备至少含有R、B、Ga和T的R－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R：27.0质量％以上35.0质量％以下、B：0.80质量％以上0.93质量％以下、Ga：0.15质量％ 全部
背景技术：
以R2T14B型化合物为主相的R－T－B系烧结磁体(R为稀土元素，含有选自Nd、Pr和 Ce中的至少1种；T为Fe或者Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)作为永久磁铁中最高性能的磁 铁所周知，在混合动力汽车用、电动汽车用以及家电制品用的各种电动机等中使用。 R－T－B系烧结磁体在高温下矫顽力HcJ(下文中有时简称为“HcJ”)降低，发生不可 逆热退磁。因此，特别是在混合动力汽车用、电动汽车用电动机中使用时，需求在高温下也 维持高的HcJ。 为了提高HcJ，目前采取了向R－T－B系烧结磁体中添加重稀土元素RH(主要为Dy)， 但存在剩余磁通密度Br(下文中有时简称为“Br”)降低的问题。因此，近年来，采用使重稀土 元素从R－T－B系烧结磁体的表面扩散至内部，使重稀土元素在主相晶粒的外壳部浓化，从 而抑制Br降低并且得到高HcJ的方法。 但是，因Dy的产地有限等原因，存在供给不稳定、并且价格发生大幅度变动的问 题。因此，需要尽可能不使用Dy等重稀土元素RH也能够提高R－T－B系烧结磁体的HcJ的技 术。 专利文献1中记载了一种技术，其通过与一般的R－T－B系烧结磁体相比降低B的 含量，并且含有选自Al、Ga和Cu中的1种以上的金属元素M来生成R2T17相，充分确保以该R2T17 相为原料生成的富过渡金属相(R6T13M)的体积率，由此能够抑制Dy的含量，并且得到矫顽力 高的R－T－B系烧结磁体。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：国际公开第2013/008756号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术问题 对于如专利文献1中记载的Dy的含量少的R－T－B系烧结磁体，对进一步提高磁特 性进行探索。本发明的目的在于提供一种抑制Dy的含量并且具有高Br和高HcJ的R－T－B系 烧结磁体的制造方法。 用于解决技术问题的技术方案 本发明的方式1为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括： 准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序，该R－T－B系烧结磁体原材料至少含有R、 B、Ga和T， R：27.0质量％以上35.0质量％以下，其中，R为稀土元素，含有选自Nd、Pr和Ce中的 至少1种； 3 CN 111724985 A 说 明 书 2/8 页 B：0.80质量％以上0.93质量％以下； Ga：0.15质量％以上1.0质量％以下； T：61.5质量％以上70.0质量％以下(T为Fe或者Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)， 并且，上述R－T－B系烧结磁体原材料满足下述式(1)： 14[B]/10.8＜[T]/55.85(1)， ([B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T的含量)；和 热处理工序，将上述R－T－B系烧结磁体原材料在400℃以上600℃以下的热处理 温度保持10秒以上且小于30分钟的保持时间，进行热处理。 本发明的方式2为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，上述热处理工序中 的上述保持时间为10秒以上10分钟以下。 本发明的方式3为一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，上述热处理工序中 的上述保持时间为10秒以上3分钟以下。 发明的效果 根据本发明的制造方法，能够提供一种抑制Dy的含量并且具有高Br和高HcJ的R－ T－B系烧结磁体的制造方法。
