技术摘要：
本发明提供一种显示基板及其不良调整方法和显示装置。该显示基板包括基底和设置在基底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的固有阈值电压偏移方向相反，显示基板还包括偏移调整结构，用于向第一  全部
背景技术：
有机电致发光显示面板(Organic  Electro  luminescent  Display，OLED/LED)凭 借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的 主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，又以柔性OLED/LED产品 最为显著，逐步以其可以满足各种特殊结构而成为OLED/LED显示主流。相应的，由于其具有 可以制作成任意形状，并且可以以厚度很小的方式布置在各种区域，其灵活的应用越来越 广，包括移动终端、手表以及各种可穿戴产品等。在实际使用时，由于器件本身需要消耗一 定的电能，长时间工作条件下，低功率消耗，以及更长的续航时间，就成了一个相当重要的 方面，特别是在充电相对不方便的旅游或其他野外环境。 现阶段正在开发的LTPO(LTPS-Oxide)工艺，是指在显示面板中既设置有低温多晶 硅晶体管(LTPS  TFT)，又设置有氧化物晶体管(Oxide  TFT)。采用低漏电的氧化物(Oxide) 晶体管能降低漏电，以更好的降低显示面板功率消耗。但在实际工艺中，由于LTPS  TFT和 Oxide  TFT本身工艺的匹配性差异，导致部分晶体管会有阈值电压偏移。且由于现有结构的 原因，LTPS  TFT与Oxide  TFT的偏移方向相反，即二者阈值电压为交叉式偏移，这使得显示 器件无法正常工作，甚至无法点亮。而这种发生阈值电压偏移晶体管的设置位置和阈值电 压偏移程度是随机的，目前无法通过简单的工艺方法进行调整。
技术实现要素：
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种显示基板及其不良调整方 法和显示装置。该显示基板能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的 阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏 移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉 式偏移过多所导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。 本发明提供一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的第一晶体管和第二晶 体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏 移，且二者的所述固有阈值电压偏移方向相反，所述显示基板还包括设置在所述基底上的 偏移调整结构，用于向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，以使所述第一晶 体管和所述第二晶体管的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏 移。 优选地，所述偏移调整结构包括调整信号源、开关单元和信号引线，所述调整信号 源与所述开关单元连接，所述开关单元与所述信号引线连接； 所述调整信号源用于产生调整所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述固有阈 4 CN 111613637 A 说　明　书 2/7 页 值电压偏移的调整信号； 所述开关单元用于开启或关闭所述调整信号源； 所述信号引线包括第一引线和第二引线，所述第一引线对应所述第一晶体管设 置，用于向所述第一晶体管引入调整信号；所述第二引线对应所述第二晶体管设置，用于向 所述第二晶体管引入调整信号。 优选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为顶栅型晶体管，所述第一引线设 置在所述第一晶体管的靠近所述基底的一侧，所述第二引线设置在所述第二晶体管的靠近 所述基底的一侧。 优选地，还包括第一导电层，所述第一导电层设置于所述基底上，且位于所述第一 晶体管和所述第二晶体管的靠近所述基底的一侧； 所述第一引线与所述第一导电层采用相同材料且同层设置； 所述第二引线与所述第一晶体管的栅极采用相同材料且同层设置。 优选地，所述调整信号源包括第一信号源和第二信号源，所述第一信号源用于产 生调整所述第一晶体管的所述固有阈值电压偏移的第一调整信号；所述第二信号源用于产 生调整所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的第二调整信号； 所述第一晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第二信号源，所述第二晶体管的栅 极驱动信号源复用作所述第一信号源。 优选地，所述第一晶体管为PNP型晶体管，所述第二晶体管为NPN型晶体管。 优选地，所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管为氧化物半导体 晶体管。 优选地，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的栅极的上方， 所述第一晶体管的源极和漏极位于所述第一绝缘层上方，所述第一绝缘层还延伸至所述第 二晶体管的有源层与所述第二引线之间； 所述第一绝缘层在对应所述第一晶体管的栅极、源极和漏极的位置均开设有过 孔，所述过孔中设置有接触层；所述接触层与所述第二晶体管的有源层采用相同材料且同 层设置。 优选地，所述显示基板划分为多个区，每个区内均分布有所述第一晶体管和所述 第二晶体管； 一个区内的所述第一引线和所述第二引线对应配置一个所述开关单元。 本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。 本发明还提供一种上述显示基板的不良调整方法，包括：当所述显示基板在第一 晶体管和第二晶体管相反方向的固有阈值电压偏移作用下出现显示不良时，偏移调整结构 向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，使所述第一晶体管和所述第二晶体管 的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。 优选地，所述调整方法包括： 向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入极性相反的调整信号。 优选地，所述第一调整信号和所述第二调整信号大小不等； 或者，所述第一调整信号和所述第二调整信号大小相等且引入时长不等。 优选地，所述调整方法包括：对所述显示基板上所述第一晶体管和所述第二晶体 5 CN 111613637 A 说　明　书 3/7 页 管的阈值电压偏移进行分区调整。 本发明的有益效果：本发明所提供的显示基板，通过设置偏移调整结构，能够通过 引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少 或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而 减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良， 提高产品的信赖性和良率。 本发明所提供的显示装置，通过采用上述显示基板，不仅降低了该显示装置的功 率消耗，而且提高了该显示装置的信赖性和良率。 附图说明 图1为本发明实施例1中显示基板的结构剖视示意图； 图2为本发明实施例1中显示基板的结构俯视示意图； 图3为显示基板中低温多晶硅晶体管未进行阈值电压偏移调整前的阈值电压偏移 曲线； 图4为显示基板中氧化物半导体晶体管未进行阈值电压偏移调整前的阈值电压偏 移曲线； 图5为本发明显示基板中低温多晶硅晶体管经阈值电压偏移调整后的阈值电压偏 移曲线； 图6为本发明显示基板中氧化物半导体晶体管经阈值电压偏移调整后的阈值电压 偏移曲线。 其中的附图标记说明： 1.基底；2.第一晶体管；21.第一晶体管的栅极；22.第一晶体管的源极；23.第一晶 体管的漏极；24.第一晶体管的有源层；25.第一晶体管的栅绝缘层；3.第二晶体管；31.第二 晶体管的栅极；32.第二晶体管的源极；33.第二晶体管的漏极；34.第二晶体管的有源层； 35.第二晶体管的栅绝缘层；4.偏移调整结构；41.第一引线；42.第二引线；5.第一绝缘层； 6.接触层；7.第二绝缘层；8.缓冲层。